【課題】低温劣化を抑制することが可能なジルコニア焼結体を提供すること、並びに、該ジルコニア焼結体の前駆体となる焼結用組成物及び仮焼体を提供すること。
【解決手段】ジルコニア焼結体の焼成面におけるＸ線回折パターンにおいて、正方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が０．４以上であり、焼成面からの深さが１００μｍ以上の領域におけるＸ線回折パターンにおいて、正方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する立方晶由来の［２００］ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が０．３以下である。 （もっと読む）

【課題】 室温抵抗率が小さく且つ経時変化率が小さい半導体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物の組成は、組成式(Bi_0.5A_0.5)_W(Ba_1-XR_X)_1-W](Ti_1-YＭ_Y)O₃
で表され、かつ前記半導体磁器組成物の全体を100mol%としてCaを５mol％超30mol%以下含むものであり、BaCO₃相とTiO₂相の少なくとも一方を含む仮焼粉を製造する工程と、前記仮焼粉を成形して焼結する工程を有することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】その形状を保ち得る、グリーン成形体およびそれを用いるチタン酸アルミニウム焼成体の製造方法を提供する。
【解決手段】無機化合物源粉末と、有機バインダと、可塑剤と、を含み、前記無機化合物源粉末は、アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含み、前記可塑剤の２０℃における粘度は１０００ｍＰａ・ｓ以上である、グリーン成形体。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＮｄ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.216＜α＜0.385，0.064＜β＜0.146，0.181＜γ＜0.312，0.321＜δ＜0.386、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化雰囲気中で繰り返し使用しても消耗が小さく、且つ溶融ガラスに対して易離型性を有するセラミックスを提供すること。
【解決手段】酸化チタンと酸化アルミニウムを混合してなる原材料混合物を所定の形状の成形体に成形して焼成させるチタン酸アルミニウム系セラミックス焼結体であって、前記酸化チタンと前記酸化アルミニウムの配合量は、前記原材料混合物１００重量部に対し、酸化チタン４０〜８０重量部であり、酸化アルミニウム６０重量部〜２０重量部であることとする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＳｍ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.162＜α＜0.386，0.049＜β＜0.113，0.206＜γ＜0.357，0.340＜δ＜0.417、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが38前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表わされ、０≦ｘ≦０．２０，０≦ｙ≦０．４０，０．００１≦ａ≦０．２０を満たすペロブスカイト化合物を主成分とし、このぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対して、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で０＜Ｓｉ≦０．２０ｍｏｌ部の割合で含有させる。
また、（Ｂａ_1-x-y，Ｃａ_x，Ｓｒ_y）（Ｔｉ_1-a，Ｇｅ_a）Ｏ₃で表されるぺロブスカイト化合物１ｍｏｌ部に対し、Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，およびＣｕからなる元素群より選ばれる少なくとも１種の化合物を、各元素換算で０．０５ｍｏｌ部以下の割合で含有させる。 （もっと読む）

【課題】 低い比誘電率ε_ｒと高いキュリー点Ｔｃを有し、１１００℃以下での低温焼結を実現した焦電磁器材料を提供する。
【解決手段】 組成式が（Ｐｂ_{（１−ｘ）}，Ｃａ_ｘ）（Ｔｉ_{（１−ｙ）}，（Ｓｂ_１／２Ｎｂ_１／２）_ｙ）Ｏ_３（但し、０．０８≦ｘ≦０．２４、０．００１≦ｙ≦０．５）で表される主成分に、副成分としてＳｉＯ_２を０．１質量％以上１０質量％以下添加する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における収縮率（焼成収縮率）を低く抑えることができるとともに、耐熱分解性に優れるチタン酸アルミニウム系セラミックスからなる焼成体を製造し得る方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム源粉末、チタニウム源粉末およびマグネシウム源粉末を含む原料混合物の成形体を焼成する工程を備え、該チタニウム源粉末が、レーザ回折法により測定される粒径分布において、体積基準で、下記式（１）および（２）：
（Ｖ_0.5-3＋Ｖ_15-75）／Ｖ_total≧０．７ （１）
１／２≦Ｖ_15-75／Ｖ_0.5-3≦３／２ （２）
を満たすチタン酸アルミニウム系焼成体の製造方法である。式中、Ｖ_0.5-3は粒径０．５〜３μｍの累積頻度、Ｖ_15-75は粒径１５〜７５μｍの累積頻度、Ｖ_totalは粒径０．１μｍ以上の累積頻度である。 （もっと読む）

【課題】使用時の熱応力に起因する割れが発生しにくい材質からなるＮＤフィルタ用の基板を提供することである。
【解決手段】本発明の基板１０は、スピネル焼結体からなる、ＮＤフィルタ１６用の基板１０である。基板１０は、ヤング率が１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であり、基板１０を構成するスピネルの焼結体の組成がＭｇＯ・ｎＡｌ_２Ｏ_３ （１．０５≦ｎ≦１．３０）であり、Ｓｉ元素の含有量が２０ｐｐｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】強化ガラス基板からなるハードディスクよりも衝撃に強く剛性が高いハードディスクを形成することが可能な基板を提供する。
【解決手段】基板１０は、スピネルからなる、ハードディスク用の基板１０である。基板１０のヤング率は１５０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下であることが好ましい。また、前記基板の一方の主表面１０ａの平均粗さＲａの値が０．０１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。基板１０を構成するスピネルの組成としてはたとえばＭｇＯ・ｎＡｌ２Ｏ３（１≦ｎ≦３）が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】圧電体粉末と、バインダと、溶媒とを含むペースト材料を、基板上に印刷した後、焼成することで、圧電素子を製造する方法において、圧電特性を向上する。
【解決手段】単一径の圧電体粉末を用いるのではなく、比較的大径の圧電体粉末と小径の圧電体粉末と混合したペーストを用いる。具体的には、メジアンが０．９μｍのＰＺＴ粉末と、０．３μｍのＰＺＴ−ＰＺＮ粉末とを１：１で混合した粉末を用いた。したがって、焼成前（ａ）と後（ｂ）とを比較すると、大径のＰＺＴ粉末は成長の核になり、小径のＰＺＴ−ＰＺＮ粉末は大径のＰＺＴ粉末に吸収されつつ、流動化が活発で緻密な膜を成膜する。これによって、圧電特性を向上することができる。また、本焼成の温度を１１５０℃から、８５０℃程度にまで下げることができ、基板へのダメージを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、しかも良好なＤＣバイアス特性を示す誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡＢＯ_３（ＡはＢａを含み、ＣａまたはＳｒを含んでもよい、ＢはＴｉ）で表される化合物と、Ｚｒ酸化物と、希土類元素酸化物と、Ｍｇ酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物中に、誘電体粒子と結晶粒界とが存在し、結晶粒界２１におけるＲ元素量の最大値をＲｍａｘとし、誘電体粒子２０において、Ｒｍａｘの５０％以上である領域を拡散領域２０ｂ、それ以外の領域を中心領域２０ａとし、拡散領域２０ｂでのＺｒ量をＺｒ１、結晶粒界２１でのＺｒ量をＺｒ２としたとき、Ｚｒ１／Ｚｒ２≧１．５である関係を満足する誘電体粒子の割合が、誘電体粒子全体に対して５０％以上である。上記の関係は、Ｍｇ−Ｚｒ−Ｏ固溶体を予め作製し、これを含む原料を焼成することで達成される。 （もっと読む）

【課題】 ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換された半導体磁器組成物に関して、Ｐｂを使用することなく室温抵抗率を低減しながらも優れたジャンプ特性を示し、経時変化の少ないＰＴＣ素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも２つの電極と、前記電極の間に配置されたＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａ及びＣａで置換された半導体磁器組成物とを有するＰＴＣ素子であって、前記半導体磁器組成物は少なくとも２種類の組成物が前記電極の通電方向に積層されてなり、前記電極のうち負極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７８を越え、１．０以下であり、正極側の電極が配置される組成物のＢｉとＮａのモル比率Ｂｉ／Ｎａが０．７５を越え、１．５５以下となしたＰＴＣ素子である。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）ガーネット相と、（Ｂ）ペロブスカイト相、モノクリニック相及びシリケート相から選ばれる１種類以上の相とを含有し、（Ａ）相中に（Ｂ）相からなる微細結晶が包含されて分散してなる多結晶の焼結セラミックスで形成された波長変換部材。
【効果】本発明の波長変換部材を透過した光は、波長変換部材中、ガーネット相と、ペロブスカイト相、モノクリニック相又はシリケート相との界面にて散乱するので、この波長変換部材を用いた発光装置では、光の損失が少なく、また、発光色の均一性が良好になる。即ち、このような波長変換部材を使用した発光装置では、波長変換部材を透過する光と波長変換された光との配光の均一性が、従来のものと比べて改善され、色むらの改善された照明面が得られる。 （もっと読む）

【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、Ｒ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、および、Ｍ（Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏ，ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）を含み、ＲおよびＭは、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、ＲおよびＭの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分Ｃ２と、極大となる部分Ｃ３とを有する構成とする。 （もっと読む）