【課題】長期間の貯蔵性を有して、更なる事前処理無しに被覆溶液を調製するために直ちに使用され得るＹＢＣＯ系超伝導体の調製のための前駆原料として適合する事前混合された粉末状前駆組成物の提供。
【解決手段】ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕ＝ １：２：３の原子比を伴った各元素の塩からなる混合物を含む粉末状の前駆原料組成物からなり、その粉末前駆組成は、構成要素の適切な塩、特にトリフルオロ酢酸塩、酢酸塩またはそれらの混合物の形態で存在する。好ましくは、事前混合された粉末状前駆組成物内の含水量は１．５ｗｔ％未満であり、より好ましくは１ｗｔ％未満である。より少ない含水量は長期の貯蔵性を支援すると考えられる。 （もっと読む）

【課題】 超伝導性ナノアーキテクチャを備えた焼結セラミック複合リードの提供。
【解決手段】 （Ａ）＊ナノサイズ超伝導粒と、
＊ナノ厚多酸化ケイ酸塩ガラス膜及びドットを構成する追加相エレメントと、
＊ナノサイズドットの形状をした、無機エレメント等の組合せから構成する更に別のナノサイズ相エレメントと、
から成る物理−化学相組成と、
（Ｂ）幾何学的に規則的な３Ｄセッティングネットワークを備え、粒界領域に存在する追加の及び更に別の相エレメントから成り、ナノサイズ超伝導粒をケージング及びフレーミングし、追加の及び更に別の相エレメントによって囲まれた超伝導粒を備える３Ｄナノサイズセルネットワークとともに成形し、超伝導粒のナノセッティングを提供する３次元超伝導ナノ構造と、を備えた焼結セラミック複合超伝導マクロリード。 （もっと読む）

本発明の膜は特にマイクロ波およびＲＦ用途に関して最適化された高温超伝導（ＨＴＳ）薄膜である。特に、本発明はマクロ波／ＲＦ用途に関して最適化された膜を製造するために１：２：３の化学量論からの大きなずれを有する組成に焦点を合わせる。ＲＦ／マイクロ波ＨＴＳ用途はＨＴＳ薄膜が優れたマイクロ波特性、特に低い表面抵抗、Ｒ_ｓおよび高線形表面リアクタンスＸ_ｓ、すなわち高Ｊ_ＩＭＤを有することを要する。そのようなものとして、本発明はその物理的組成、表面モルホロジー、超伝導特性、およびこれらの膜からつくられるマイクロ波回路の性能特性に関して特徴がある。
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本発明の超伝導ワイアは、基板と自動的に配列する超伝導材料の連続層とを含む。本発明のワイアの長さは１０メートルを超える。
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【課題】 材料の組織を工夫することにより、臨界電流密度が高く、且つ、材料内における超電導特性のばらつきが小さい、酸化物バルク超電導体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（０≦ｘ≦０．１、６．５≦ｙ≦７．２、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれた少なくとも一つの元素）結晶中に、ＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d（０≦ｚ≦０．１、−０．５≦ｄ≦０．５）相の粒子が分散しているＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導材料において、比較的大きいＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d相の粒子を含有する領域（Ａ）と、非常に微細なＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d相の粒子を含有する領域（Ｂ）とが混在していることを特徴とする酸化物超電導材料。 （もっと読む）

【課題】 超伝導特性を左右する組織の不均質の要因となる粒径の不均一性を抑え、粒径分布を小さなものとして超伝導線材の特性向上に寄与することのできる、超伝導体微粒子、もしくはその前駆体微粒子を製造する。
【解決手段】
酸化物超伝導体の構成金属の水性溶液にキレート剤を添加し、次いで加熱および過酸化水素水の添加の少くともいずれかを行い、単分散微粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着中に銀の蒸気を添加することで結晶粒の増大を図るとともに結合度の向上も図れるようにする。
【解決手段】真空蒸着装置の真空室内に蒸着源としてＮｄとＢａとＣｕとＡｇのインゴットを配置する。ついで、真空室内の所定箇所に酸化マグネシウム基板を配置し、真空室内を例えば、１０^-4程度の圧力状態とし、酸素ガスと活性化酸素ガスとの混合ガスを１．８sccmで真空室内に供給する。この状態で、真空室内に配置した各蒸着源を電子銃を用いて加熱し、各蒸着源を気化（昇華）させる。以上に示した蒸着法により、基板温度を６９０℃とした基板の上にＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇の薄膜が形成できる。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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【課題】フルオロカルボン酸を用いたＭＯＤ法により、Ｙ系超電導体のＴ_cを超える実用的なＴ_cを示すＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ系超電導体を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ランタン、ネオジウムおよびサマリウムからなる群より選択される金属Ｍを含む金属酢酸塩を炭素数３以上のフルオロカルボン酸と、酢酸バリウムを炭素数２のフルオロカルボン酸と、酢酸銅を炭素数２以上のフルオロカルボン酸と、それぞれ反応させて精製し、反応生成物を前記金属Ｍ、バリウムおよび銅のモル比が１：２：３となるようにメタノール中に溶解してコーティング液を調製し、前記コーティング溶液を基板上に成膜してゲル膜を形成し、仮焼および本焼を行い、酸化物超電導体を得る。 （もっと読む）

【課題】 Ｃａを含まず、極めて欠陥の少ない高品位なＲ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇針状結晶と、そのＲ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇針状結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式（１）
【化９】


（式中、Ｒは、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕのうちのいずれか１種の希土類元素を示し、Ｘは、Ｓｂ，Ｔｅ，Ｓｅ，Ａｓ，Ｓ，Ｐのうちのいずれか１種の元素を示す）で表される原子比組成を有する圧粉成形体からなる前駆体を、５〜１００％の酸素雰囲気中、９００℃以上前駆体が完全に溶融する温度未満の温度範囲で熱処理することで、Ｒ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇結晶構造を有する酸化物超伝導体針状結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＲＥ１２３相の熱分解工程を含まず、高温かつ長時間の溶融が不必要なプロセスを開発し、大型でかつ高性能、かつ、機械的特性に優れた超電導バルク体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ−Ｂａ−Ｏ系化合物（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上）とＢａ−Ｃｕ−Ｏ系液相原料を出発原料とし、液相成分を溶融した後、結晶成長させることを特徴とするＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法である。 （もっと読む）

薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも１つがフッ化物含有塩である、１種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の１つまたは複数の前駆体成分、または希土類／アルカリ土類金属／遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある１つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある１つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
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基板１０と、該基板１０の上に横たわるバッファ層１２ａと、該バッファ層１２ａの上に横たわる超伝導体層１４ａと、該超伝導体層の上に横たわるキャッピング層１６ａと、該キャッピング層１６ａの上に横たわる電気メッキされた安定化剤層１８ａとを含む超伝導テープ（１）が開示されている。また、超伝導テープを組み込んだ要素、それを製造する方法、及びそれを利用する方法も開示されている。
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【課題】従来の方法で前駆溶液を作るのに必要なコストよりも遥かに安価な前駆溶液を製造できる超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法、及びこのような前駆溶液を用いて超伝導伝導体を作る製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導原料粉末をＴＦＡ溶液に溶かした後に熱板内で溶融させる段階と、粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると前記熱板内の温度を上げて溶液を蒸発させ、粘性のあるゼリー状になるまで加熱を続ける段階と、前記溶液の流動性が完全になくなると加熱を中断して前記溶液を冷却する段階と、常温で固まったゼリー状の化合物をメチルアルコールに溶かして超伝導原料粉末-ＴＦＡ前駆溶液を得る段階と、を含む超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法；及びこのような前駆溶液を用いて超伝導伝導体を作る製造方法である。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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