【課題】基材上に均一な超電導膜を形成して超電導特性の優れた酸化物超電導線材を製造すること。
【解決手段】超電導原料溶液２０が収容されたＵ字状管３０内を、テープ状の基材１０を移動させることにより、基材１０の表面に超電導原料溶液２０を付着させる工程において、Ｕ字状管３０の内壁に、Ｕ字状管３０の内壁と離間させつつ基材１０の移動方向に案内するガイド部４０を配置し、このガイド部４０によって、基材１０を、Ｕ字状管３０中を基材１０の移動方向に案内して移動させる。 （もっと読む）

【課題】主面上に中間層や超電導層などを成膜した際に、膜剥がれが生じ難い酸化物超電導線材用基材の製造方法の提供。
【解決手段】超電導線材用基材の製造方法は、表面粗さＲａが６ｎｍ以下であって、成膜法により主面上方に中間層１０２を介して酸化物超電導層１０５が積層される金属基材１００に対し、金属基材１００の表面を有機溶剤により拭き取り洗浄することにより、洗浄前後で金属基材１００の表面の水に対する接触角を９．８％以上減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導薄膜線材の製造において、結晶配向性の低下やバラツキの発生が抑制された高い結晶配向性を有する酸化物超電導層を形成して、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を安定して提供する。
【解決手段】配向金属基材上に酸化物超電導薄膜層を設ける際に、配向金属基材と酸化物超電導薄膜層の中間に形成される酸化物超電導薄膜層形成用の中間層であって、表層の結晶ドメインサイズが２５ｎｍ以下である酸化物超電導薄膜層形成用の中間層。前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されている酸化物超電導薄膜層。配向金属基材上に、前記酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されている酸化物超電導薄膜線材。前記酸化物超電導薄膜層が塗布熱分解法を用いて作製されている酸化物超電導薄膜線材。 （もっと読む）

【課題】超電導線材のＩｃ特性を向上させる。
【解決手段】基材１１上に、Ｂａと反応する希土類元素を含有する中間層１２を形成する第１工程と、中間層１２上にＢａを含有する酸化物超電導層１３を形成する第２工程と、を有する超電導線材１の製造方法であって、第２工程は、基材１１をＴｇ−３０℃＜Ｔ１＜Ｔｇ（Ｂａと希土類元素とを含有する不純物が生成し始める温度）の条件を満たす温度Ｔ１で加熱しながら、酸化物超電導層１３の１層目となる第１酸化物超電導層１３Ａを形成する初期工程と、温度Ｔ１とは異なる温度Ｔ２で又は一旦温度を下げて再度温度Ｔ１で、基材１１を加熱しながら、酸化物超電導層１３の残り２層目以降となる第２酸化物超電導層１３Ｂを形成する本工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 バルク体全体の臨界電流密度の向上および制御により疑似永久磁石等の性能を大幅に改善でき、また、現存の加速器により実施可能で、しかも、複数のバルク体の臨界電流密度のばらつきを抑制してアンジュレータの性能向上も図れるバルク超伝導体の臨界電流密度制御方法、及びアンジュレータ用バルク超伝導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バルク状の第二種超伝導体に対し、エネルギーが前記バルク体を透過可能な大きさで、かつ、柱状欠損の生成閾値よりも低い粒子ビームを照射して臨界電流密度の制御を行った。 （もっと読む）

【課題】 超電導層全体の超電導結晶が高度に配向化する熱処理方法、つまりは高臨界電流値を有するＲＥ１２３超電導薄膜テープ線材の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 金属基板上に中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層上に原料を塗布して前駆体線材を形成する前駆体形成工程と前記前駆体線材を熱処理し、ＲＥ１２３超電導薄膜を形成する薄膜形成工程を備え、前記薄膜形成工程において、前記金属基板を誘導加熱法によって加熱し、熱が前記金属基板側から前記原料側に伝わるよう熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接続強度が高い超電導接続構造体、簡単な接続作業で形成できる超電導線材の接続方法、超電導コイル装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の超電導接続構造体１Ａは、基材１１と、該基材１１上に設けられた酸化物超電導層１７と、該酸化物超電導層１７上に設けられた安定化層１９とを備え、その一端部が接続端２１、３１とされた少なくとも２本の超電導線材２、３と、各超電導線材２、３の各接続端２１、３１どうしを接続する複数の接続用超電導テープ４とを有し、各超電導線材２、３は、各安定化層１９側の表面２１ａ、３１ａが同じ側となり、且つ、前記各接続端２１、３１の側端面どうしが隣接するように配されており、各接続用超電導テープ４は、互いに間隔を空けて配列するように、それぞれ、その安定化層１９側の表面４ａが、各接続端２１、３１の各安定化層１９側の表面２１ａ、３１ａに亘って接合されている。 （もっと読む）

【課題】中間層の成膜工程を改善することで、所望の超電導特性（例えば臨界電流特性）を実現できるとともに、中間層の薄膜化により超電導線材の生産性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。具体的には、配向層を２００℃以上１０００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 （もっと読む）

【課題】優れたＪｃ（臨界電流密度）やＩｃ（臨界電流値）を有する高温超電導線材を製造することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上１に、中間層２および超電導層３が形成されている酸化物超電導薄膜の製造方法であって、配向金属基板を、真空雰囲気あるいは還元雰囲気に設けた熱処理室２２内で、配向金属基板上に形成された酸化層を還元除去する温度で加熱し、その後、１００℃以下まで冷却する熱処理工程と、熱処理工程後の配向金属基板を、熱処理室より取り出して大気中に曝露する曝露工程と、成膜室２３内で、曝露工程後の配向金属基板上に、酸化物薄膜層を形成させる中間層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式（１）で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるＡｓ−Ａｓ間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約１倍であることを特徴とする超伝導体構造。式（１）ＬｎＦｅＡｓＯ_1-pＦ_q（式（１）において、Ｌｎは１種以上のランタノイド元素であり、０＜ｐ＜１、０≦ｑ＜１） （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

ワイヤの機械的な完全性を維持する一方で、２本の積層ワイヤを共に接合する２面ジョイントが開示されている。２面ジョイントは、テーパ端部を有した２本の積層ＨＴＳワイヤを接合することができ、底部ストラップおよび頂部ストラップを備えている。一態様では、積層した繋いだ超伝導体ワイヤは、超伝導体ジョイントを備えており、それは、第１および第２超伝導体ワイヤを備えている。各ワイヤは、ラミネート層と、該ラミネート層上の基板層と、該基板層上の緩衝層と、該緩衝層上の超伝導体層と、該超伝導体層上の空隙層と、該空隙層上のラミネート層とを備えている。各ワイヤは、第１積層ワイヤの第２ラミネート層と第２積層ワイヤの第２ラミネート層とに電気的に接続する第１ＨＴＳストラップと、第１ラミネート層に近接したバッキング・ストラップを備えている。
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【課題】ＭｇＯ基板の上に、バリウムと銅とを含む酸化物からなる高品質な高温超伝導薄膜が、再現性よく形成できるようにする。
【解決手段】Ｃａの含有量が１４７ｐｐｍ程度のＭｇＯ基板１０１を用意し、これを酸素雰囲気１０２の中に配置された状態とし、加えて、ＭｇＯ基板１０１に１０００℃・１２時間の加熱処理が行われた状態とする。このことにより、ＭｇＯ基板１０１の表面に形成されている劣化層が除去された状態とする。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、基板温度を７００℃とした状態とし、Ｎｄ，Ｂａ，及びＣｕを蒸発源とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の上にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導薄膜１０３が膜厚２５０ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

本発明の膜は特にマイクロ波およびＲＦ用途に関して最適化された高温超伝導（ＨＴＳ）薄膜である。特に、本発明はマクロ波／ＲＦ用途に関して最適化された膜を製造するために１：２：３の化学量論からの大きなずれを有する組成に焦点を合わせる。ＲＦ／マイクロ波ＨＴＳ用途はＨＴＳ薄膜が優れたマイクロ波特性、特に低い表面抵抗、Ｒ_ｓおよび高線形表面リアクタンスＸ_ｓ、すなわち高Ｊ_ＩＭＤを有することを要する。そのようなものとして、本発明はその物理的組成、表面モルホロジー、超伝導特性、およびこれらの膜からつくられるマイクロ波回路の性能特性に関して特徴がある。
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