【課題】面内磁気記録方式および垂直磁気記録方式の何れにおいても、高密度記録のため
のランプロード方式にも十分対応し得る良好な表面特性を兼ね備え、高速回転化、衝撃に耐え得る高強度を有し、各ドライブ部材に合致する熱膨張特性や耐熱性をも兼ね備えた、溶融温度が低く生産性の高い情報記録媒体用ディスク基板用等の無機組成物品を提供する。
【解決手段】
Ｌｉ_２Ｏ成分と、Ａｌ_２Ｏ_３成分を含有し、Ｌｉ_２ＯとＡｌ_２Ｏ_３の質量％比率であるＬｉ_２Ｏ／Ａｌ_２Ｏ_３が０．３以上であり、結晶を含有し、表面に圧縮応力層を設けた無機組成物物品。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ処理を繰り返すことによる石英部品の表面の残留物質によるプラズマ処理性能が変化を、抑制しプラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ処理装置内に備える石英製部材に、プラズマ処理に用いる石英製部材から除去しにくい元素をあらかじめ混入することにより、石英製部材の交換時におけるプラズマ処理環境を実質的に変化の少ないプラズマ処理環境とし、プラズマ処理装置の性能を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】タブレット一体型排気管に結晶性ガラスタブレットを適用した場合において、結晶性ガラスタブレットが封着工程で軟化流動した後に、ガラスに結晶が析出するタブレット一体型排気管を得ることにより、平面表示装置等の製造効率を向上させること。
【解決手段】本発明のタブレット一体型排気管は、拡径された排気管の先端部に、結晶性ガラスタブレットが取り付けるとともに、結晶性ガラスタブレットの封着面の全部または一部を研磨面とすることに特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）プロセスでの使用に許容され得ない表面粗さまたは表面下欠陥を生じない、ガラスを研磨する新しい方法及びその方法を用いて作成される光学素子を提供する。
【解決手段】ＥＵＵＶに適する光学素子において、＜１０ｎｍの中空間周波数山対谷粗さ及び＜０.２０ｎｍの高空間周波数平均粗さを有するガラスでつくられ、０±３０×１０^−９/℃ないしさらに低い熱膨張係数を有し、５〜１０重量％のチタニアを含有する、シリカ−チタニアガラス素子である。発明はさらにＥＵＶＬに適する光学素子を作成する方法に向けられ、この方法は所望の光学素子の形状のガラス基板を提供する工程及び＞２.０ｍｌ/ｃｍ^２/分の高研磨スラリー流量を用いて整形済基板を研磨する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置に使用するカバーガラスをイオン交換するに際し、その処理時間を短縮できるため、生産性を向上することが可能な強化ガラス基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属酸化物を含有し、３０〜３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が３０〜１００×１０^-7／℃のガラスとなるように原料を調製する工程、該原料を溶融容器内で溶融した後、オーバーフローダウンドロー法によって板状に成形する工程、成形した板状ガラスをイオン交換することによって、その表面に圧縮応力層を形成する工程、からなる強化ガラス基板。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐紫外線特性を有し、かつ紫外吸収端近傍における透過特性と製造性を高い次元で両立し得る新規な合成石英ガラスを提供する。
【解決手段】 波長１７０ｎｍから３８０ｎｍの全域における透過率が８０％以上、１６３ｎｍの吸収ピークが実質的に存在せず、ＯＨ含有量：３０ｗｔｐｐｍ以下、Ｃｌ含有量：１０ｗｔｐｐｍ以下、フッ素含有量：７０００ｗｔｐｐｍ以上、３００００ｗｔｐｐｍ以下、であることを特徴とする石英ガラスとした。 （もっと読む）

約９０重量％〜約９９重量％の量のアルミナと、酸化ホウ素、酸化リン、または酸化ホウ素および酸化リンの両方を含む酸化混合物またはガラス混合物とを含む絶縁体。
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【課題】イオン伝導性向上に寄与する結晶の含有率が高く、かつ、Ｌｉ_４Ｐ_２Ｓ_６の結晶の含有率が低いガラスセラミックを提供する。
【解決手段】リチウム（Ｌｉ）元素、リン（Ｐ）元素及び硫黄（Ｓ）元素を含有するガラスセラミックであって、ガラスセラミックの固体^３１ＰＮＭＲスペクトルが、９０．９±０．４ｐｐｍ及び８６．５±０．４ｐｐｍの位置に、結晶に起因するピークを有し、ガラスセラミックに占める前記結晶の比率（ｘ_ｃ）が５０ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ％であり、ガラスセラミックに占めるＬｉ_４Ｐ_２Ｓ_６が１０ｍｏｌ％以下であるガラスセラミック。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_４Ｐ_２Ｓ_６の結晶の生成を抑制しつつ、Ｌｉ_４Ｐ_２Ｓ_７及びＬｉ_３ＰＳ_４の結晶含有率を向上できるガラスセラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ_４Ｐ_２Ｓ_７を主成分とするガラスと、Ｌｉ_３ＰＳ_４を主成分とするガラスとを含有し、Ｌｉ_４Ｐ_２Ｓ_７とＬｉ_３ＰＳ_４の含有率比がＬｉ_４Ｐ_２Ｓ_７/Ｌｉ_３ＰＳ_４
＝３０/７０〜７０/３０（モル比）であるガラス組成物。このガラス組成物を熱処理するガラスセラミックの製造方法。 （もっと読む）

【課題】リン酸結合（ＰＯ_ｘＳ_４−ｘ：ｘは１〜４の整数）を所定量含有する硫化物系固体電解質であって、正極合材として使用できる硫化物系固体電解質を提供する。
【解決手段】硫化物系固体電解質中に存在する、^３１ＰＮＭＲスペクトルの７０〜−２０ｐｐｍの領域に観測されるリン酸結合（ＰＯ_ｘＳ_４−ｘ：ｘは１〜４の整数）のピーク面積が、前記スペクトルの１７０〜−２０ｐｐｍの領域に観測される全リン元素のピーク面積の１〜５０％である正極合材用硫化物系固体電解質。 （もっと読む）

（ｉ）第１の屈折率ｎ₁を有するシリカ系の希土類ドープトコアであって、１質量％より多くＹｂを含み、１１５０ｎｍと１３５０ｎｍの間に位置する波長で５ｄＢ／ｋｍ未満の損失、１３８０ｎｍの波長で２０ｄＢ／ｋｍ未満の損失、および０．８を超えるスロープ効率を有するコア、および（ｉｉ）コアを取り囲み、ｎ₁＞ｎ₂となるような第２の屈折率ｎ₂を有する少なくとも１つのシリカ系クラッド、を有してなる光ファイバ゛か開示されている。
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【課題】プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】重量％でＳiＯ_２を５〜１１、Ｂ_２Ｏ_３を４５〜６５、ＺｎＯを２０〜３０、Ｒ_２Ｏ（Ｌi_２Ｏ＋Ｎa_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）を１０〜１８、ＢaＯを０．１〜３、ＺｒＯ_２を０．１〜７、ＣｅＯ_２を０〜２、ＣｏＯを０〜２、ＣｕＯを０〜２含み、更にＢ_２Ｏ_３／ＺｎＯの重量比が１．５以上３以下であることを特徴とするＳiＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｒ_２Ｏ−ＢａＯ−ＺｒＯ_２系無鉛低融点ガラスである。３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜９５）×10^−７／℃、軟化点が５００℃以上６３０℃以下である特徴を有す。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネルに代表される電子材料基板開発で、銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】重量％でＳiＯ_２を０〜７、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜２０、ＺｎＯを７〜２０、Ｂi_２Ｏ_３を６０〜７８、ＢaＯを０〜１０、Ｒ_２Ｏ（Ｌi_２Ｏ＋Ｎa_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）を０〜１０、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）を０〜１０、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８、ＣｕＯを０〜２、Ｌa_２Ｏ_３を０〜３、ＣｅＯ_２を０〜２、ＣｏＯを０〜１、ＭｎＯ_２を０〜１、ＴｉＯ_２を０〜５含むことを特徴とするＢ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−Ｂi_２Ｏ_３系無鉛低融点ガラス。
３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜１００）×10^−７／℃、軟化点が４５０℃以上５５０℃以下である特徴も有す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、平面表示装置の支持枠の形成に好適なガラス組成物を提案し、平面表示装置の信頼性向上およびコストの低廉化に資することである。
【解決手段】本発明の支持枠形成用ガラス組成物は、下記酸化物換算のモル％表示で、ガラス組成として、ＳｉＯ₂ ５〜３０％、Ｂ₂Ｏ₃ ２０〜５０％、ＺｎＯ ２０〜６０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜１０％、Ｒ₂Ｏ １〜２０％（但し、Ｒ₂Ｏは、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏを指す）、Ｌｉ₂Ｏ ０〜１５％、Ｎａ₂Ｏ ０〜１５％、Ｋ₂Ｏ ０〜１０％、Ｒ’Ｏ ０〜２５％（但し、Ｒ’Ｏは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを指す）、ＭｇＯ ０〜１５％、ＣａＯ ０〜１５％、ＢａＯ ０〜１５％、ＳｒＯ ０〜１５％、ＺｒＯ₂＋ＴｉＯ₂ ０〜１０％を含有し、且つ実質的にＰｂＯを含有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造用石英ガラスの公知の組成物を出発点とし、該組成物は少なくとも近表層領域において第１ドーパントと第２酸化ドーパントとの共ドーピングを示し、前記第２ドーパントは一種類以上の希土類金属をそれぞれ（ＳｉＯ²及びドーパントの全質量に基づいて）０．１〜３％の濃度で含有する。エッチング処理を使用する環境において半導体製造用石英ガラス組成物を供給することを出発点として、該組成物は高純度及び高いドライエッチング耐性により区別され、酸化アルミニウムとの共ドーピングにより引き起こされる公知の欠点を回避し、第１ドーパントが窒素であり、石英ガラス中の準安定ヒドロキシル基の平均含有量が３０質量ｐｐｍ未満とすることを本発明により提案するものである。 （もっと読む）

【課題】化学耐久性に優れる無鉛ガラスを用いた隔壁付きガラス基板の製造方法の提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成された電極を、下記酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ_２を９〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３を１３〜４０％、ＺｎＯを５〜３５％、Ａｌ_２Ｏ_３を４〜１５％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１６〜２８％含有し、ＺｎＯ含有量が（Ｂ_２Ｏ_３含有量＋１０モル％）以下である無鉛ガラスの粉末と、その粉末１００質量部に対して０．１〜４０質量部の割合の無機酸化物粉末とを含有するガラスセラミックス組成物を含有するグリーンシートまたは同ガラスセラミックス組成物を含有するガラスペーストによって被覆して焼成し、そのグリーンシートまたはガラスペーストの焼成体の上にエッチング法によって隔壁を形成する隔壁付きガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】錫リン酸系ガラスの耐水性を改善すると同時に、低酸素雰囲気、特に減圧雰囲気で良好に封着できるとともに、４９０℃以下の低温で封着可能であり、且つ熱的安定性の良好な封着用ガラス組成物および封着材料を提供する。
【解決手段】封着用ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算のモル％表示で、ＳｎＯ ３０〜８０％、Ｐ₂Ｏ₅ １０〜２５％（但し、２５％は含まない）、Ｂ₂Ｏ₃ ０〜２０％、ＺｎＯ ０〜２０％、ＳｉＯ₂ ０〜１０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜１０％、ＷＯ₃ ０〜２０％、Ｒ₂Ｏ（ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓを指す） ０〜２０％含有し、且つ低酸素雰囲気、特に減圧雰囲気における封着に用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い収率で、表面に引っ掻き傷が入らず、美観の点で優れる結晶化ガラス板の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の結晶化ガラス板の製造方法は、結晶性ガラス板をセッター上に載置した後、熱処理して結晶化する結晶化ガラス板の製造方法において、前記結晶性ガラス板とセッターとの間隙に電荷が帯電した離型材を介在させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ１ｍｍ、波長５８８ｎｍにおける内部透過率が８０％以上であり、且つ、４００℃以下の軟化点を有するＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５−Ｂ_２Ｏ_３系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリカをベースとし他の成分を１種以上含むガラスからなるナノレベルの粒子径を有する球状ガラス微粒子及びセラミックスの焼結を容易にするための、そのような球状ガラス粒子よりなる焼結助剤を提供する。
【解決手段】組成として，酸化物換算で，ＳｉＯ₂を４０〜９７モル％の量で含有し，Ｌｉ₂Ｏ，Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏよりなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物を６０モル％以下の量で含有するか, Ｂ₂Ｏ₃を４０モル％以下の量で含有するか，又はＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯよりなる群より選ばれる１種又は２種以上のアルカリ土類金属酸化物を５０モル％以下の量で含有し，平均粒子径が２０ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であることを特徴とする，球状ガラス微粒子。 （もっと読む）