【課題】溶融金属塩または溶融金属を冷却するために用いられた場合、高い除熱性および耐侵食性を発揮できる除熱器を提供することを提供すること。
【解決手段】本発明に係る、溶融金属塩または溶融金属を冷却するための除熱器は、耐火物から構成された柱状体（Ａ）と、該柱状体（Ａ）に埋設された有底筒状体（Ｂ）と、該有底筒状体（Ｂ）の内部に配置された冷却管（Ｃ）とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応炉内に形成された多結晶シリコンロッドを、破損させず安全にかつ効率よく搬出する。
【解決手段】１本のシリコンロッドＲを把持する複数のクランプ２０を備えるハンド部１１と、前記ハンド部を回動自在に保持する回動部１２と、前記回動部を助力移動可能に保持するバランサー部１３とを備え、複数の前記クランプは、それぞれ独立して開閉可能であり、立設状態のシリコンロッドを上下方向に並んだ複数の前記クランプで把持して、前記回動部により前記クランプが横方向に並ぶように前記ハンド部を回動させることにより、前記シリコンロッドを横置状態に移動させる多結晶シリコンロッド解体機１０。 （もっと読む）

【課題】操作が簡単で、しかも、汚染や異物混入が生じ難い多結晶シリコンロッドの破砕方法を提供すること。
【解決手段】中心軸Ｃの方向に力学成分を有する衝撃力Ｆ₁（第１の衝撃力）を、打撃等により、多結晶シリコンロッド１０の一方端部に加える。この衝撃力（打撃の力）Ｆ₁は、多結晶シリコンロッド１０の内部に弾性波（第１の弾性波）を発生させ、この弾性波により、多結晶シリコンロッド１０の中心軸Ｃを分断する破砕面１を有する多結晶シリコン塊に破砕する。第１の衝撃力の付与は、多結晶シリコンロッド１０の一方端部とは逆の端部である他方端部を固定した状態で行われることが好ましい。多結晶シリコンロッドは結晶粒の集合であり、ロッド内部では局所的に強度のばらつきがあるため、付加された衝撃力が局所的に強度の弱い部分に有効に作用し、長尺の多結晶シリコンロッドであっても全長に渡る破砕を実現させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【解決課題】シリコンを溶融するときに、溶融し易く、且つ、表面酸化を受け難い高純度シリコン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】棒状、粒状若しくは板状のシリコン、又は棒状、粒状及び板状のもののうちの少なくとも１種が複数接合したシリコンであり、径が２ｍｍを超える部分の割合が７５質量％以上であることを特徴とする高純度シリコン。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極３上に二酸化ケイ素４を載置させた状態で当該二酸化ケイ素４を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線と他の導電部材の間での火花放電の発生を抑制し、多結晶シリコンの生産性の向上を図ること。
【解決手段】シリコン芯線は単結晶シリコン又は多結晶シリコンの円柱形状のインゴットから切り出され（Ｓ１０１）、切断化工時に生じた残留歪を除去する目的で、取りしろが通常５０μｍ〜２００μｍ程度となるようなフッ酸と硝酸の混酸溶液によるエッチング処理が行われ（Ｓ１０２）、そのエッチングの後に多結晶シリコンの析出反応に用いられる（Ｓ１０３）。エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制し得る多結晶シリコンの製造技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン製造用反応炉は、底板１に、シリコン芯線５を保持する少なくとも一対の芯線ホルダ８と、原料ガスを供給するノズル３ａが少なくとも１つ設けられており、このノズル３ａのガス吹出部が、芯線ホルダ８の上端を基準として所定の高さに設けられている構成を有している。例えば、多結晶シリコンの析出反応開始後、シリコン棒の径がおよそ８０ｍｍを超える程度になった時点で、ノズル３ａから供給するガス組成の切り替えを行い、相対的に低い温度のガスをノズル３ａから供給する。ガス温度が高くなり易くガス滞留も生じ易い領域を効率的に冷却することで、炉内の温度分布の均一化を図り、金属塩化物起因の重金属汚染やシリコン粉の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】基体上に低反射膜を形成するための、単層膜において低屈折率且つ低反射率を有し、より簡便な方法で大面積の成膜が容易な低反射膜形成用塗布液およびその調製方法およびそれを用いた低反射部材を提供する。
【解決手段】基材に低反射膜を形成するための低反射膜形成用塗布液であって、コロイダルシリカに対して、酸化物換算で５質量％以上、４０質量％以下のタンタル化合物を含む分散液からなることを特徴とする低反射膜形成用塗布液。長径５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の棒状コロイダルシリカ、粒径５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の球状コロイダルシリカ、およびタンタル化合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 円筒状シリコンインゴットの側面剥ぎ切断装置上で、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する方法および外周刃の横揺れ幅を小さくすることができる自己補償機構の提供。
【解決手段】 加圧冷却液供給パッド一対９６ｐ，９６ｐを外周刃９１ａを挟んで外周刃の前面および後面に設け、ポンプ９６ｐより供給される加圧液体の供給管を２分岐し、分岐された供給管のそれぞれの先端を前記一対の加圧冷却液供給パッドの液体貯め空間に望ませた外周刃横揺れ自己補償機構９６。および、レーザ光反射型変位センサｓを用い、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する。 （もっと読む）

【課題】不純物を確実に除去して優れた洗浄効果を得るとともに、作業性を向上させることのできる多結晶シリコンの洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽２の洗浄室２１〜２５内に、異なる勾配の載置面６１を有する支持台６が複数配設され、バスケット３は、その両側部に、吊り上げ機４２により係止される突出部３５がバスケット３の幅方向外方に突出し、かつ、長さ方向に間隔をあけて相互に平行に一対ずつ設けられてなり、支持台６は、その両側部に、載置面６１にバスケット３を載置する際に、一対の突出部３５の間に配置され、支持台６の載置面６１よりも上方に突出する一対のガイドフレーム７が上下方向に沿って立設されている。 （もっと読む）

【課題】吸着塔内における吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置および方法であって、当該装置においては、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部３と、吸着塔１から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器５を備える。不活性ガスはＡｒガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン細棒の製造における欠点を回避して従来技術を改善する。
【解決手段】シリコン細棒（１）の製造方法であって、ａ）多結晶シリコン製のロッドを準備して、これから前記多結晶シリコン製のロッドに対して縮小された断面積を有する少なくとも２つの細棒（１１，１２）を分離する工程；ｂ）前記分離された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を、材料侵食性液状媒体での処理によって清浄化する工程；ｃ）前記清浄化された少なくとも２つの細棒（１１，１２）を溶接して、１つのより長い細棒（１）とする工程；ｄ）前記のより長い細棒（１）をチューブラフィルム（１００）中にパッケージングする工程を含む前記製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】輸送時の振動によるポリシリコンの表面とフィルムの内面が擦れることを確実に防止し、樹脂粉の発生を効果的に防止できるポリシリコンの新規な包装体、すなわち、ポリシリコンの汚染をより高度に防止できるポリシリコンの新規な包装体の提供。
【解決手段】ポリシリコン１を収納した包装袋２を外部から緊締用フィルム３により締着して包装袋をポリシリコン表面に密着固定したことを特徴とするものであり、包装袋と緊締用フィルムとの間の少なくとも一部に包装袋と緊締用フィルムを離間する介在物４を存在せしめる。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉を提供すること。
【解決手段】密閉された反応炉の炉台１１に、立設された複数のシリコン芯棒１３と、原料ガスを供給する導入口１５と、反応後のガスを排気する排気口１６を有し、シリコン芯棒が、下記の条件（１）から（３）のうちの少なくとも１つを満たすように配置されている。（１）シリコン芯棒と隣接配置された導入口が２箇所である場合、該２箇所の導入口の各中心と前記シリコン芯棒の中心とのなす角度が、１３５°以上。（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 （もっと読む）

【課題】制御が容易で、高品質のシリコンシードを製造する。
【解決手段】チャンバ５の上壁２に上側シリコンシード６を貫通状態に保持する上シード保持部７と、上シード保持部７による保持中心Ｃに沿って上側シリコンシード６の下端と対向する下側シリコンシード２３をチャンバ５内で上下移動可能に保持する昇降機構と、上シード保持部７に保持された上側シリコンシード６の下端部を囲む位置に配置される高周波誘導加熱コイル３１と、高周波誘導加熱コイル３１の下方に配置される予熱リング３２と、下側シリコンシード２３上端部を囲んで高周波誘導加熱コイル３１に誘導加熱される加熱位置とこの加熱位置から離間した待機位置との間で予熱リング３２を往復移動させる予熱リング移動手段とを備える。 （もっと読む）

各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体／液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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【課題】改善された破砕挙動を有する高純度シリコンからなる直径＞１００ｍｍを有する多結晶シリコンロッドを提供し、破砕に関連するシリコン破砕破片の汚染を大きく減らし、そして不所望な寸法を有するシリコン破砕破片の割合を減らす。
【解決手段】ロッド直径＞１００ｍｍを有するロッド状の多結晶シリコンの製造にあたり、シーメンス法によりケイ素含有ガスを用いた析出を採用し、該シリコンロッドを、析出法の終わりに反応器中で冷却の間に水素と接触させ、その際、水素流量及び／又は水素圧力を、この流量及び／又は圧力で、析出温度の保持に必要な出力が析出の終わりの出力の少なくとも５０％であるが、１ｍのロッド長あたり５ｋＷを下回らず、かつ冷却されたシリコンロッドが、垂直な断面において亀裂及び／又は少なくとも１・１０^-4ｃｍ^-1の大きさの放射状張力を有するように選択する。 （もっと読む）