クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは、共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

【課題】５７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法の提供。
【解決手段】ＭｏＳｉ_２粉末を酸化性の酸又は酸化剤を含む酸で洗浄し、ＭｏＳｉ_２粉末の比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、かつ表面に酸化皮膜を備え、また酸素含有量が２０００ｐｐｍ以上であるＭｏＳｉ_２粉末とし、さらに、該粉末を用いてペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末を主成分とする発熱体を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化ケイ素層によって支持されたＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃縮によって少なくとも１つのＧｅＯＩ構造を形成する方法に関する。
【解決手段】酸化ケイ素層は、ゲルマニウムでドープされ、酸化ケイ素層中のゲルマニウム濃度は、ＳｉＧｅ領域のゲルマニウム濃縮を可能にする酸化温度以下に酸化ケイ素層のフロー温度を下げる濃度である。 （もっと読む）

【課題】亜鉛還元法で副生する塩化亜鉛を電気分解して亜鉛を得るに際して効率良く高純度な亜鉛を製造し、この亜鉛により珪素を製造する。
【解決手段】粗塩化亜鉛を蒸留して精製塩化亜鉛を得る蒸留工程と、精製塩化亜鉛を電気分解して亜鉛を回収する電気分解工程からなり、蒸留工程に先立って粗塩化亜鉛に金属亜鉛を添加して２質量％以上とする亜鉛の製造方法。また、粗珪素または珪素化合物を塩素化して塩化珪素を得る塩化工程、塩化珪素と亜鉛を反応させて珪素および粗塩化亜鉛を得る珪素製造工程、粗塩化亜鉛を蒸留精製し、精製塩化亜鉛を得る蒸留工程、精製塩化亜鉛を電気分解して亜鉛および塩素を得る電気分解工程からなる珪素の製造方法であって、電気分解工程において得られた亜鉛および塩素を、珪素製造工程および塩化工程にそれぞれ再利用し、蒸留工程に先立って粗塩化亜鉛に金属亜鉛を添加して２質量％以上とする珪素の製造方法。 （もっと読む）

式Ｓｉ_nＨ_2n+2（ここでｎは１以上４以下の整数である）の化合物の製造方法であって、式Ｍ¹_xＭ²_yＳｉ_z（ここでＭ¹は還元性金属であり、Ｍ²はアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｘ、ｙおよびｚは０から１まで変化し、ｚは０と異なり、ｘ＋ｙは０と異なる）の粉末の形態にある少なくとも１種のシリサイドまたは珪素合金の、ＣＯ₂を含む水溶液との反応により、前記溶液は前記反応の温度および圧力においてＣＯ₂で飽和されているかまたは飽和されていない方法。 （もっと読む）

【課題】従来のシリカ微粒子を用いた場合に比べて少ない添加量で耐擦り傷性を向上させることが可能なシリカナノシート／有機ポリマー複合物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリカナノシートの有機溶媒分散物と有機ポリマーとを混合して混合溶液を調製する工程と、前記混合溶液から有機溶媒を除去することにより前記シリカナノシートと前記有機ポリマーとの複合物を形成する工程と、を含むことを特徴とするシリカナノシート／有機ポリマー複合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造工程を削減し、しかも必要な電力も削減できる新規なシリコンインゴットの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンとの共晶反応を持ち、シリコン合金となったときの共晶点がシリコンの融点より低い元素と、金属シリコンとを、坩堝内で加熱融解し合金融液を生成する工程と、前記合金融液に対し共晶反応を利用してシリコンを低温凝固精製すると共に、前記合金融液より引き上げ法によりシリコンインゴットを生成する工程とを含むことを特徴とするシリコンインゴットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】本発明は、リチウムイオン電池の珪素・炭素複合陰極材料及びその製造方法を提供し、電池の比容量を高めることである。本発明の材料は、球形または球形近似の珪素形粒子、炭素形粒子の複合材料の基本体とし、その外側に被覆層を被覆する。
【手段】珪素形粒子を破砕し、それを炭素形粒子と混合して複合粒子を製造してから、有機物の熱分解グラファイトの前駆物と混合被覆し、炭化処理をしてから、破砕する。従来の技術に比べて、本発明の複合陰極材料は、珪素形粒子と炭素形粒子からなる複合材料の基本体とし、その外側に被覆層を有する構造をもっており、その可逆的容量は450mAh/gより大きく、第一回のサイクルクーロン効率は85%より大きく、200回のサイクル容量の保持率は80%より大きい。本発明は、リチウムの挿入・脱離時に生じた炭素を含む活性物質の体積効果を著しく減軽し、活性材料におけるリチウムの拡散行為を改善して、各種類の携帯式器具、電動工具などに使われている電池陰極材料に適している。

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【課題】ナノワイヤの取り扱い性が良好なナノワイヤ部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１２と、該基材１２上に形成されたナノワイヤ１０と、を含むことを特徴とするナノワイヤ部材である。ＳｉおよびＦｅを含有する基材上にＧａを介在させ、６５０℃以上で加熱処理を施すことを特徴とするナノワイヤ部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】精製速度を低下させることなく、効率よく精製し、太陽電池用シリコンを安価に提供する。
【解決手段】本発明のシリコンの精製方法は、不純物元素を含有する溶融シリコンの精製方法であって、前記不純物元素と反応する成分を含む精製ガスを、酸性酸化物を主成分とする精製添加物が添加された溶融シリコンに接触させることにより、不純物元素を含む生成物を溶融シリコンから除去する工程と、溶融シリコンとの反応性が小さい処理ガスを溶融シリコンに接触させることにより、溶融シリコンと精製ガスとの酸化反応による生成物を除去する工程とを繰り返し備え、前記精製添加物は、アルカリ金属の酸化物と、アルカリ金属の炭酸塩と、アルカリ金属の炭酸水素塩と、アルカリ金属の珪酸塩とからなる群より選択された少なくとも１種類が添加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、出発材料を破砕することにより、前記出発シリコン材料を回収および／またはリサイクルするための方法に関する。回収またはリサイクルされた材料は溶融され、結晶は、例えばシリコンブロック、チューブ、またはストリップとして得られた融液から成長する。何の問題もなく同じものを搬送するために高いアスペクト比を有する出発材料を用いることを可能にするために、５＜Ａ_I≦３０のアスペクト比Ａ_Iを有する粒子を含有する、破いた多結晶ニードル状Ｓｉ材料（材料Ｉ）を出発材料として用いる。材料Ｉを、破砕した粒子（材料ＩＩ）が実質的にＡ_II＜３のアスペクト比を有するように破砕する。あるいは、砕いたＳｉウエハを用い、これは、破砕した粒子（ＩＩＩ）が本質的にＡ_III＜３のアスペクト比を有するように破砕した層状粒子から成る。
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本発明は、アモルファス状態の成形品である巻きリボンから得られて、原子組成［Ｆｅ_{１−ａ−ｂ}Ｃｏ_ａＮｉ_ｂ］_{１００−ｘ−ｙ−ｚ−α−β−γ}Ｃｕ_ｘＳｉ_ｙＢ_ｚＮｂ_αＭ’_βＭ”_γ（式中、Ｍ’は元素Ｖ、Ｃｒ、Ａｌ、およびＺｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍ”は元素Ｃ、Ｇｅ、Ｐ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｉｎ、およびＢｅのうちの少なくとも１つであり、ａ≦０．０７およびｂ≦０．１、０．５≦ｘ≦１．５および２≦α≦５、１０≦ｙ≦１６．９および５≦ｚ≦８、β≦２およびγ≦２である）を有するナノ結晶材料のストリップを作製する方法、および特にこれまで知られているよりもはるかに小さい巻き付け半径を伴った、先行技術のものよりも小型の磁気回路幾何学構造のために取り扱いおよび使用されることが可能なナノ結晶製品を提供することである。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】 従来のバリスタ材料は、酸化金属などの焼結体であり基本的に素子の膜厚が厚く小型化し難いものであり、またその材料の種類は限られていた。
【解決手段】 ２価を取り得る元素（X）―シリコン（Si）非晶質母体中に多数のXSi₂結晶粒を均一に析出させるのに十分であり、前記析出させたXSi₂結晶粒のそれぞれの少なくとも一部をパーコレーションさせるのに十分であり、かつ、シリコン（Si）結晶の析出が起こる一歩手前である熱処理を施すことによって、熱電能および／またはパワーファクターを増加させたことを特徴とするナノクリスタル構造体を提供する。 （もっと読む）