【課題】原料の配合に依らずに所望の気孔径分布の多孔質構造体を得ることが可能な多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】溶媒と溶媒に分散したシリカ源とを含有する原料組成物をゲル化して湿潤ゲルを生成する工程と、上記湿潤ゲルを凍結乾燥して、含水率を０〜６０質量％の範囲で制御した乾燥ゲルを形成する工程と、上記乾燥ゲルを熱処理し、上記含水率に対応する気孔径の気孔を形成した多孔質構造体を形成する工程とを有する多孔質構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池製造用などに有用な高純度のシリコンを提供することを目的として、シリコンからホウ素を除去するための方法であり、ホウ素除去の反応効率を向上させ、かつその反応に用いる容器の耐久性を向上させる。
【解決手段】溶融シリコンを収容した容器に、アルカリ金属の炭酸塩又は該炭酸塩の水和物の一方又は両方とＳｉＯ₂を添加して、スラグを形成させてシリコン中のホウ素を除去する方法であって、ホウ素除去反応に用いる容器として耐酸化性かつ非導電性の材質のものを用いるとともに、該容器を外部から冷却しつつ、誘導加熱手段により該溶融シリコンを直接加熱することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】工業的生産規模において製造費を抑えながら、太陽電池用に要求されるレベルのホウ素濃度のシリコンを簡便に得ることができるシリコンの精製方法、及びシリコンの精製装置を提供する。
【解決手段】複数回に分けて供給される溶融スラグの１回分を溶融シリコンに接触させ、所定時間保持した後に使用済みの溶融スラグを排出する単位操作を複数回繰り返して溶融シリコン中のホウ素を溶融スラグに移動させて除去するシリコンのスラグ精錬方法であって、１つ又は２つ以上の単位操作からなると共に、用いる溶融スラグの組成が互いに異なるm段階の精製段階に分割されてなり、このうちの第(n+1)段階目の精製段階で用いる第(n+1)溶融スラグが、第n段階目の精製段階で用いる第n溶融スラグよりも溶融シリコン中のホウ素に対する酸化力が強くするシリコンのスラグ精錬方法を用いる（但し、mは２以上の自然数であり、nはn≦m-1の関係を満たす自然数である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンから不純物、特にホウ素を除去し、太陽電池製造用などに有用な高純度シリコンを得るための工業的に有用な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】溶融シリコンを収容した容器に、アルカリ金属の炭酸塩又は該炭酸塩の水和物の一方又は両方とＳｉＯ₂の混合物を、溶融シリコンの湯面上から添加して、スラグを形成させてシリコン中のホウ素を除去する方法であって、下端側面部に１箇所又は２箇所以上の開口を有する装入手段を通して、該装入手段を回転させながら、前記混合物を添加することを特徴とするシリコンの精錬方法。 （もっと読む）

ＳｉＯ₂又はＳｉＯ₂と他の金属酸化物、特にＡｌ₂Ｏ₃との混合酸化物のナノスケール原粒子を記載する。これらは１〜２０００ｎｍ（ＺｅｔａｓｉｚｅｒＮＳ装置（Ｎａｎｏ Ｓｅｒｉｅｓ）による粒径を計測する方法により測定）の平均粒径並びに負電荷を有し、そして、生地材料の親水性化コーティングのために好都合に使用できる。親水性中間層を有さない生地材料と比較して向上したアルコール及び油に対する駆散性を有する疎水性の外層を場合により前処理した親水性材料上にここで形成することができる。ナノスケール原粒子が反応溶液中でそのままの状態で(in statu nascendi)これらの目的のために使用される場合に特に好都合である。 （もっと読む）

【解決課題】安価な冶金級金属シリコンを原料とし、スラグ精錬法によって太陽電池用途に好適な純度６Ｎ以上の高純度シリコン、特にボロン含有量が少なくとも０．３質量ppm以下の高純度シリコンを工業的規模で安価に製造するのに適した高純度シリコンの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】スラグ精錬法による高純度シリコンの製造装置及び製造方法であり、ルツボの外壁面外側にはルツボ内の溶融シリコンを直接に電磁誘導加熱する機能を有する直接電磁誘導加熱手段が配設されていると共に、ルツボは少なくとも直接電磁誘導加熱手段への非通電時に溶融シリコンがルツボ内壁面と接触する領域が耐酸化性材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 真球状の形状であり従来にない粒径の大きさとシャープな粒度分布とを兼ね備えたシリカ粒子や、例えばシール剤等のバインダー成分といった有機質成分への分散性に優れたシリカ粒子を用いてなる,タッチパネル用スペーサーとその用途を提供する。
【解決手段】 本発明のタッチパネル用スペーサーは、光電子分光法により求められる炭素とケイ素との表面原子数比（Ｃ／Ｓｉ）が０．０１〜１．０ある、シリカ粒子を用いてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は四塩化珪素の亜鉛還元によって高純度シリコンを得るシリコン製造装置であり、気相反応により生成した高純度シリコンを系内で溶解し、他の反応成分との分離操作を実質的に廃し、シリコンのみを分離取り出しが可能な装置を提供することを課題とした。
【解決手段】気相で四塩化珪素を亜鉛還元して、高純度シリコンを得るシリコン製造装置であって
１．亜鉛ガスを作る工程と
２．該亜鉛ガスを反応塔内に送り込む工程と
３．該反応塔内の亜鉛ガスの流れ中に四塩化珪素ガスを吹き込む工程と
４．反応塔内で亜鉛ガスと四塩化珪素が反応してシリコンを生成する工程と
５．該シリコンを含む反応ガスがシリコンの融点以上に保持されたシリコン溶解壁に衝突する工程と
６．液状シリコンが下方に有るシリコン保持槽に導かれる工程と
７．反応塔から出た残部反応ガスを冷却して該残部反応ガス中の亜鉛を液化し分離すると共に亜鉛ガス製造工程に戻す工程と
８．生成した塩化亜鉛を取り出す工程
とからなる高純度シリコン製造装置である。 （もっと読む）

【課題】金属イオンがケイ酸塩骨格中に十分に埋め込まれている金属イオンでドープされたシリカを提供する。
【解決手段】３００ｍ²／ｇを上回るＢＥＴ表面積を有しかつ０．０５ｍＭｏｌ／ｍ²の異種原子の最大表面濃度を有する異種原子でドープされた沈殿シリカ。異種原子は有機塩又は無機塩の形で沈殿時に添加する。硫酸の添加の時期又はケイ酸ナトリウムと硫酸との一緒の添加の終了頃（１５〜５分）に、異種原子もしくはその溶液を添加する。異種原子としては、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げられる。 （もっと読む）

シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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【課題】イオン性不純物の含有量が低減され、かつ各種樹脂との親和性（濡れ性）に優れ
たシリカ粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ粉体原料を５００〜９００℃の温度で焼成した後、洗浄工程（ａ）または（ｂ）を経由し、ついで高分子凝集剤および高分子凝結剤の少なくとも一方を添加してシリカ粉体原料を凝集させる。そして、この凝集させたシリカ粉体原料を洗浄した後、再度５００〜９００℃の温度で再焼成して粉体化する。
（ａ）ｐＨ２以下の状態に調整した酸性スラリー水性液状態にして上記シリカ粉体原料を洗浄し、ｐＨ１１以上の状態に調整して上記シリカ粉体原料を洗浄する洗浄工程。
（ｂ）ｐＨ１１以上の状態に調整したアルカリ性スラリー水性液状態にして上記シリカ粉
体原料を洗浄し、続いてｐＨ２以下の状態に調整して上記シリカ粉体原料を洗浄する洗浄工程。 （もっと読む）

支持体及び、カリウム及びナトリウムを除く、各痕跡金属不純物２００ｐｐｂ以下を有する多数のコロイド状シリカ粒子を含み、残留アルコール２ｐｐｍ以下（この際、カリウム及びナトリウムを除く、痕跡金属の累積濃度は、約０．５〜約５ｐｐｍの範囲にある）及び粒子を懸濁させるための溶媒を含む組成物（この際、組成物は超純度コロイド状シリカ分散液である）を接触させる（この際、接触は、支持体を平坦化させるために十分な温度及び時間で実施される）段階を包含する、支持体の表面の化学機械研磨法。
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【課題】エラストマー混合物中の補強剤として特に好適である沈降シリカ及び該沈降シリカの製造法を提供する。
【解決手段】以下の物理化学的パラメータ：孔径分布の相対幅γ ４．０〜１０．０（ｇ ｎｍ）／ｍｌ、ＢＥＴ表面積 ９０〜３２０ｍ²／ｇ、ＣＴＡＢ表面積 １００〜２００ｍ²／ｇ、シアーズ数Ｖ₂ ２５〜４０ｍｌ／（５ｇ）、シアーズ数Ｖ₂／ＣＴＡＢ比 ０．１６〜０．２８ｍｌ／（５ｍ²）を特徴とする沈降シリカであり、粉末の形か又はほぼ球状粒子（ミクロ顆粒）の形か又は顆粒として存在する。 （もっと読む）

【課題】エラストマー混合物中の補強充填剤として適用する際に改善された応用技術的特性を有する沈降シリカを提供する。
【解決手段】以下の物理化学的パラメータ：孔径分布の相対幅γ ４．０〜１０．０（ｇ ｎｍ）／ｍｌ、シアーズ数Ｖ₂ ２８〜４０ｍｌ／（５ｇ）、シアーズ数Ｖ₂／ＣＴＡＢ比 ０．１８〜０．２８ｍｌ／（５ｍ²）、ＣＴＡＢ １００〜２００ｍ²／ｇを特徴とする沈降シリカであり、粉末の形か又はほぼ球状粒子（ミクロ顆粒）の形か又は顆粒として存在する。 （もっと読む）

【課題】安い製造コストによって、大きな基板を生成することができる、希土類元素がドープされた酸化物前駆体を生成する方法を提供する。
【解決手段】第１の有機溶媒中にシリコン粒子を添加し、第１の沸点を有する第１の溶液を生成する。巨大な粒子を除去するために第１の溶液をろ過する。ろ過した第１の溶液に第１の沸点よりも高い第２の沸点を有する第２の有機溶媒を混合する。分留によって、ナノ結晶シリコンを有する第２の溶液を生成する。シリコン粒子は、フッ化水素（ＨＦ）酸およびアルコール類を含む第３の溶液中に浸漬し、電圧を印加し、シリコンウエハ上にポーラスシリコン層を形成することによって形成される。シリコン粒子は、第１の有機溶媒中にシリコンウエハを沈殿し、シリコンウエハからポーラスシリコン層を超音波によって除去することによって有機溶媒中に混合される。 （もっと読む）

【課題】表面が緻密な成形焼結体の製造が容易な金属酸化物粉末、特にシリカ粉末又はアルミナ粉末及びその製造方法を提供すること。平滑性の高められた金属酸化物焼結体、薄膜の多層基板に対しても充填性及び電気的特性とが高められた樹脂基板及び狭隙充填性が高められた電子部品の封止材を提供すること。
【解決手段】金属粉末及び／又は金属酸化物粉末の火炎による熱処理物であって、平均粒子径０．１〜２μｍ、比表面積２〜３０ｍ^２／ｇ、１５μｍ以上の粗大粒子数が３００個／ｇ以下であることを特徴とする球状金属酸化物粉末。本発明の球状金属酸化物粉末の焼結体からなる金属酸化物焼結体。本発明の球状金属酸化物粉末を含有させた樹脂成形体。本発明の球状金属酸化物粉末を樹脂及び／又はゴムに含有させてなる電子部品の封止材。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの収率の高い製造方法を提供する。
【解決手段】金属の塩化物の生成自由エネルギーがシリコンより低く、かつ金属の融点もシリコンより低い金属と、下式（１）で示される気体のクロロシランとを反応させることによってシリコンを製造する方法であって、気体のクロロシランを溶融金属中に吹き込む際に、該溶融金属の温度を、該金属の絶対温度で表した融点の１．０３倍以上１．７９倍未満であり、シリコンの融点未満に保持し、かつ毎分当りのクロロシランの供給モル数を金属のモル数に対して、１．０パーセント未満とすることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】多数の針状構造を表面に有する金属錯体含有する金属錯含有有機無機複合体微粒子、および該粒子の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】直鎖状ポリエチレンイミン骨格を有するポリマーと金属イオンとからなる金属錯体により、該金属錯体をシリカ内部に含有する微細針状表面の複合微粒子が誘導され、微粒子の表面にナノ次元の針状構造を多数有する針状表面微粒子を実現できる。得られる針状表面微粒子の針状構造および粒子の空間構造は、金属イオン種や金属錯体支持媒体を変化させることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】マグネタイト粒子をシリカ粒子内に均一に分散させて合成する際に、マグネタイト含有量と形状、分散度を向上させた複合磁性粒子の製造方法及び複合磁性粒子を提供する。
【解決手段】シリカ粒子内に磁性体としてマグネタイトを含む複合磁性粒子の製造方法であって、水系溶媒中で球形のシリカ核粒子を生成させた後に、水系溶媒中で合成した後、両末端にカルボキシル基とシラノール基とを有するシランカップリング剤で処理するマグネタイトを含む水溶液を添加して、複合磁性粒子を合成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用原料として、好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法、及び該製造方法で得られる高純度シリコンを提供する。
【解決手段】〔１〕下式（１）で表されるハロゲン化珪素をアルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元剤として使用するアルミニウムの純度が９９．９重量％以上である高純度シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
（式中、ｎは、０〜３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。ここでアルミニウムの純度は、１００重量％から、アルミニウムに含まれる鉄と銅とガリウムとチタンとニッケルとナトリウムとマグネシウムと亜鉛の合計の重量％を差し引いたものである。） （もっと読む）