【課題】ケイ素の純度が高くなくても電子部品に悪影響を与え難い球状シリカ粉末を得ることができる球状シリカ粉末製造用ケイ素含有合金を提供すること。
【解決手段】火炎中で酸素と反応させて球状シリカ粉末を製造する原料であるケイ素含有合金であって、ケイ素を８０質量％以上含有し、（１３族元素の含有量）／｛（５族元素の含有量）＋（６族元素の含有量）＋（７族元素の含有量）｝の値が質量基準で４以上である。５〜７族元素の含有量に応じて、１３族元素を含有させることにより、高い性能を発揮させることが可能になる。５〜７族元素がシリカ粉末中に含有されていると、溶出などのおそれがある。溶出などした５〜７族元素は電子部品に対して望ましくない作用を及ぼすおそれがあるが、所定の比率で１３族元素を含有させることにより５〜７族元素における溶出などのおそれを小さくすることができる。 （もっと読む）

クロロシラン（主に：トリクロロシラン）の製造のためおよびこれらのクロロシランからの高純度ポリシリコンの堆積のための方法および関係する材料。クロロシラン製造のためのソースは共晶または亜共晶の銅−シリコンであり、前記銅−シリコンの濃度範囲は１０ないし１６ｗｔ％シリコンである。共晶または亜共晶の銅−シリコンは、塩素処理反応器に好適な形状に鋳造され、そこで、少なくとも部分的にＨＣｌからなるプロセスガスに曝される。このガスは共晶または亜共晶の銅−シリコンの表面で反応してシリコンを揮発性クロロシランの形態で抽出する。貧化した共晶または亜共晶の材料はその後リサイクルすることができ、抽出された量のシリコンが補充され、この材料は所望の形状へ再鋳造される。 （もっと読む）

【課題】 最頻細孔直径が大きく、制御された細孔特性を有し、不要な金属不純物の含有量が少なく、且つ耐熱性や耐水性等にも優れたシリカを提供する。
【解決手段】 以下の特性を備えるようにする。
（ａ）細孔容積が０．６ｍｌ／ｇ以上、１．６ｍｌ／ｇ以下
（ｂ）比表面積が５０〜６００ｍ²／ｇ
（ｃ）最頻細孔直径（Ｄ_max）が１５ｎｍ以上
（ｄ）固体Ｓｉ−ＮＭＲでのＱ⁴／Ｑ³値が３以上
（ｅ）非結晶質であること
（ｆ）金属不純物の含有量が１００ｐｐｍ以下 （もっと読む）

【課題】高純度のゲルマニウム合金化された多結晶シリコンインゴットを提供すること、並びにその簡単でかつ低コストの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン心棒又はゲルマニウムで合金化されたシリコン心棒に堆積された、ゲルマニウム０．１〜５０ｍｏｌ％及びシリコン９９．９〜５０ｍｏｌ％からなる高純度合金からなり、前記合金は多結晶構造を有する０．５ｍ〜４ｍの長さ及び２５ｍｍ〜２２０ｍｍの直径のインゴット。 （もっと読む）

【課題】珪化鉄粉末に含まれるガス成分である酸素が少なく粉砕が容易であり、したがって粉砕が不良である場合に伴う不純物の混入が少なく、また珪化鉄粉末の比表面積が大きく、焼結する際に密度を上げることが可能である珪化鉄粉末を提供する。
【解決手段】酸化鉄を水素で還元して鉄粉末を作製し、この鉄粉末とＳｉ粉末を非酸化性雰囲気中で加熱して主にＦｅＳｉからなる合成粉末を作製し、さらに再度Ｓｉ粉末を添加混合し非酸化性雰囲気で加熱して主にＦｅＳｉ_２からなる珪化鉄粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３をハースの傾動によって溶湯から露出した底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させてスカル２２の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してホウ素を酸化し、形成された酸化ホウ素を真空雰囲気において蒸発させ、しかる後、一方向性凝固等による固液分配係数の差を利用して不純物部分を除去して精製シリコンインゴットを形成した後、当該インゴットを電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、これを溶解して溶融面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、高純度精製シリコンを得る。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電装置の発電効率を向上させることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス導入口１０ａからアルゴンガス、ガス導入口１０ｂから水素ガスをチャンバー１０に導入し、この状態で多結晶シリコンインゴット３３を育成する。これにより、シリコン融液３２に水素が直接導入されることから、多くの水素がシリコン融液３２内に取り込まれる。このため、最終的に得られる多結晶シリコンウェーハには従来よりも多くの水素が含まれ、且つ、その濃度分布が面内方向及び厚さ方向においてほぼ一定となる。 （もっと読む）

【課題】緻密な外部および複数の孔を有する内部から構成された低屈折率のシリカ粒子を提供することを課題とする。また、従来よりも簡便な低屈折率のシリカ粒子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るシリカ粒子分散液は、（ア）５ｎｍ〜２００ｎｍのメジアン径（ｄ_５０）を有するシリカ粒子であって、ＪＩＳ−Ｋ−７１４２Ｂ法により測定した屈折率が、１．３５〜１．４２であるシリカ粒子と、（イ）分散媒と、を含むことを特徴とする。本発明に係るシリカ粒子分散液の製造方法は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル法により測定されたスペクトルにおいて、化学シフト−９４ｐｐｍ〜−１０３ｐｐｍに発現するピークのシグナル面積をＱ３とし、化学シフト−１０３ｐｐｍ〜−１１５ｐｐｍに発現するピークのシグナル面積をＱ４とした場合、Ｑ４／Ｑ３の値が０．５〜５．０であるシリカ粒子未処理体を水熱処理する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法は、汚染材料中に高純度シリコンのサンプルを部分的に包み込むステップを含む。汚染材料中に包み込まれるサンプルは、炉内で加熱される。加熱ステップの前の高純度シリコンの不純物含有量と比較されて、加熱ステップの後に高純度シリコンの不純物含有量の変化が決定される。高純度シリコンを熱処理する炉は、加熱チャンバを定めるハウジングを含む。ハウジングは、高純度シリコンを焼き鈍す十分な時間の期間に亘る焼鈍し温度での加熱の間、４００ｐｐｔａ未満の不純物を高純度シリコンに寄与する低汚染材料で少なくとも部分的に形成され、炉は、同じ加熱条件の下で、平均４００ｐｐｔａ未満の不純物を高純度シリコンに寄与する。 （もっと読む）

本発明は、シリカート溶液からの高純度ＳｉＯ₂の新規の製造方法、特殊な汚染物質スペクトルを有する新規の高純度ＳｉＯ₂並びにその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】塗料成分に配合する場合に、粒子が壊れ難く、かつ部分的に亀裂などが生じても中空状態の機能を保持することができ、容易に平滑性が得られ、従来品よりも少い添加量で十分な断熱機能および遮音機能を得ることができる塗料用粒材とその塗料を提供する。
【解決手段】塗料に配合されるシリカ質の中空微粒子であって、平均粒径５〜１００μｍであり、内部空間が隔壁によって区切られた複数の独立気泡によって形成されていることを特徴とする塗料用粒材であり、好ましくは、８MPa静水圧浮揚残存率５０％以上であって、吸水率３％以下、ＳｉＯ₂含有量６５〜９０質量％、容重０.１６〜０.３５g/cm³であり、断熱用として１〜５０μm、遮音用として１〜２００μmの粒子径を有する塗料用粒材と該粒材を含有する塗料。 （もっと読む）

本発明は、シリカート溶液からの高純度ＳｉＯ₂の新規の製造方法、特殊な汚染物質プロファイルを有する新規の高純度ＳｉＯ₂並びにその使用に関する。
（もっと読む）

【課題】化学的に不活性な粒子状不純物を効率的に除去することができるシリコンの精製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】二酸化珪素と、シリコンカーバイト、シリコンナイトライドまたはダイヤモンドの何れかを粒子状不純物として含む回収シリコンを、加熱してシリコン融液を得る融解工程と；前記シリコン融液を冷却して得られるシリコン塊を粉砕してシリコン粒を得る粉砕工程と；前記シリコン粒を酸溶液で洗浄して二酸化珪素を前記粒子状不純物とともに除去する酸洗浄工程と；を含むことを特徴とするシリコンの精製方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】不純物を含むシリコンを加熱溶融し、又は不純物を含むシリコンと不純物精製用添加剤を含む固体とをそれぞれが溶融するよう加熱し、溶融状態のシリコン又は上記シリコン及び上記不純物精製用添加剤を含む融液中に不純物精製用気体として窒素原子と水素原子を含む気体を吹き込むことにより、シリコン中の不純物を低減することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【効果】本発明によれば、金属Ｓｉ中の不純物、特にＢとＰ、さらにＡｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の金属不純物を１つの工程で同時に低減することができる。また、一般的な大気開放炉を使用するため高真空雰囲気も必要とせず、さらに電子ビームやプラズマトーチ等の高価な設備も不要であるため、設備投資額を大幅に低減できる。この結果、極めて安価にＢ，Ｐと共に、Ａｌ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ等の不純物が低減された金属Ｓｉを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造、設備及び運転の費用の節減に有効であり、純度制御が易しい高純度シリコン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪藻土を酸性溶液に溶解させる段階、溶解された珪藻土に塩基溶液を添加してシリカを沈澱させて回収する段階、及び回収されたシリカに還元剤を混合し、還元反応を引き起こしてシリコンを得る段階を含む。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】金属ケイ素から非金属不純物を除去する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン元素を含むケイ素を金属ケイ素に混合し、この混合物を融解させて、金属ケイ素中に含まれる非金属不純物を、ハロゲン化物の形で融解液から気化させ、除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体用途で用いるポリクロロポリシラン中のアルミニウムやチタンに代表される金属不純分を除去する方法を提供する。
【解決手段】金属不純分を含むクロロポリシランを固体微粒子と接触させることによって、工業的に安全簡便に高純度なクロロポリシランを製造することができることを見出し、さらに固体微粒子はフィルターによってろ別することができ、使用後のフィルターをアルカリ性液体で処理することにより安全に再生処理することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜チャンバー及びその部材や排気系や配管等を腐食することなく、低誘電率、低屈折率、及び高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜を作製する方法、多孔質膜、並びに多孔質膜の前駆体組成物の溶液を提供すること。
【解決手段】式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物とを含む多孔質膜の前駆体組成物の溶液であって、ｐＨが５〜９である溶液を基板上に塗布し、所定の温度範囲で焼成させ、得られた多孔質膜に対する紫外線照射後、ヘキサメチルジシラザン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール及びトリメチルアミンジメチルアミンから選ばれた疎水性化合物を所定の温度で気相反応させ、疎水化された多孔質膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 袋詰めされた多結晶シリコンの破砕塊の保管中に、破砕塊の表面に生じるシミと呼ばれる異常酸化現象を簡単かつ確実に防止する。
【解決手段】 多結晶シリコンの破砕塊を、フッ素を含む洗浄液により処理し、水洗、乾燥後に、減圧中で露点が−３５℃から−２０℃の不活性ガスを流通させながら４５℃以上の温度に２０分間以上保持する。塊表面に存在するフッ素原子個数が1,000,000 原子／μｍ² 以下となり、従来どおりの梱包のまま高温多湿下で保管しても、シミと呼ばれる異常酸化物の発生を防止できる。 （もっと読む）