【解決手段】不純物としてホウ素を含有するシリコン及びスラグをそれぞれが溶融するよう加熱した後、上記シリコン及び上記スラグを溶融状態で接触させ、上記シリコン中のホウ素を上記スラグに吸収させて上記シリコン中のホウ素を除去するシリコンの精製方法であって、上記スラグの組成を制御しながら上記スラグにホウ素を吸収させることを特徴とするシリコンの精製方法。
【効果】本発明の精製方法によれば、従来公知の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のホウ素を除去することができ、平均ホウ素含有量を、４質量ｐｐｍ以下、特に３質量ｐｐｍ以下にまで低減することができる。本発明の方法に加えて更に公知のホウ素低減方法を行う場合にも、本発明の方法でホウ素濃度の低下が達成されているので、次工程であるホウ素濃度低減工程を実施するには好都合である。 （もっと読む）

【課題】 粉末充填体としての電流遮断性と熱伝導性が高く、かつ充填密度の高い安価な電子部品材料用Ｓｉ粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ：０．０１〜２質量％含み、残部Ｓｉおよび不可避的不純物からなり、内部に生成する膜状不純相の厚さが２μｍ以下である、球形状もしくは概ね球形状であることを特徴とした電子部品材料用Ｓｉ粉末。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効果的に不純物を除去したシリコン屑を回収することができるシリコン含有廃液処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン含有廃液処理方法は、水溶性クーラントを供給しながらシリコン塊を機械加工することにより排出される廃液から再生クーラントと再生シリコン塊を得るためのシリコン含有廃液処理方法であって、前記廃液または前記廃液の濃縮分を蒸留することによって前記再生クーラントとシリコン回収用固形分とに分離する工程と、前記シリコン回収用固形分を洗浄液中に分散させ洗浄した後、前記シリコン回収用固形分と液分とに固液分離する工程と、前記シリコン回収用固形分を塩基性水溶液中に分散させ洗浄する工程と、前記塩基性水溶液と前記シリコン回収用固形分とを固液分離することなく、前記塩基性水溶液に酸性水溶液を添加することにより、酸性水溶液中で前記シリコン回収用固形分を洗浄する工程とを順次含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量であるシリコン系の負極のリチウム挿入／離脱うシリコン粒子の膨張／収縮によるシリコン粒子の破壊や集電体からの脱離を防ぐ負極に適した負極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含み、粒子コア及びそれらから伸長したシリコン含有ピラーのアレイを有する粒子をその活物質の一つとして含む電極であって、該粒子はシリコン又はシリコンゲルマニウム混合物である。またピラーを有する粒子はエッチングによって作成される。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンの精製法に関し、特にニッケルを含む溶融シリコンを一方向凝固法により精製し、このニッケル濃度を指標にして６Ｎ以上の高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】ニッケルを含む金属シリコンを溶融し、この溶融した金属シリコンを一方向凝固法により精製し、６Ｎ以上の純度の多結晶シリコンを製造する方法であり、シリコンブロックの凝固完了からの温度降下時間を制御すること、若しくは、シリコンブロック最表面直下に形成される不純物濃縮層の結晶組織を柱状結晶以外の等軸結晶組織及び／又は樹枝状結晶組織に作り込むことにより、ニッケルの熱拡散による汚染を低減し、太陽電池原料用の多結晶シリコンが効率良く精製するものである。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗、充填密度、流動性、および分散性の高いＳｉ粉末、特に、高い接触抵抗を必要とする電子部品材料や、媒体中で分散性の高いＳｉ原料として用いられるＳｉ粉末を提供する。
【解決手段】 酸素分析値／比表面積が０．２〜１０からなるＳｉ粉末であることを特徴とする接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたＳｉ粉末。また、上記Ｓｉ粉末はアトマイズ法により作製された接触抵抗、充填密度、流動性および分散性の優れたＳｉ粉末、またはその製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素砥粒およびシリコンを含む切削屑を原料として、これらを分離せずとも、シリコンを回収または製造することができる、シリコンの回収または製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットまたはシリコンウェーハの切削または研削時に発生する炭化珪素を含む削屑から、シリコンを回収または製造する方法であって、該炭化珪素を含む削屑とシリカ原料とを加熱してシリコンを製造する工程を含む、シリコンの回収または製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が高い部分を少なくし、多結晶シリコンの歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】ルツボ内に貯留したシリコン融液を、その底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記ルツボは、その側壁内面及び底面内面には窒化珪素のコーティング層が形成されており、前記ルツボ内における凝固過程を、前記ルツボの底面を基準として、０ｍｍから高さＸ（１０ｍｍ≦Ｘ＜３０ｍｍ）までの第１領域と、高さＸから高さＹ（３０ｍｍ≦Ｙ＜１００ｍｍ）までの第２領域と、高さＹ以上の第３領域と、に区分けし、前記第１領域における凝固速度Ｖ１が、１０ｍｍ／ｈ≦Ｖ１≦２０ｍｍ／ｈの範囲内に設定され、前記第２領域における凝固速度Ｖ２が、１ｍｍ／ｈ≦Ｖ２≦５ｍｍ／ｈの範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】フッ素系廃液に含まれる、或いはフッ素系廃液の処理過程で発生するケイフッ化水素酸を原料として、ケイフッ化ナトリウムを製造する。
【解決手段】フッ素系廃液に含まれるケイフッ化水素酸、及びフッ素系廃液に含まれるフッ化水素を酸化珪素化合物と反応させ、生成したケイフッ化水素酸をナトリウム化合物と反応させ、ケイフッ化ナトリウムを製造する。
【効果】工業用薬品レベルの品位のケイフッ化ナトリムを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】様々な品質のシリコンを、数多くの試行錯誤を経ることなく、目標とする減圧保持時間（Ｔ）で、アルミニウム濃度（Ｃ）が精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）になる精製シリコンを、効率良く製造しうる方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム初期濃度（Ｃ₀）と精製後の目標アルミニウム濃度（Ｃ_T）と減圧保持時間（Ｔ）とから、あらかじめ、本発明の式（１）を満足する融液温度（Ｌ）および真空接触面積比（Ｓ）を求め、求めた真空接触面積比（Ｓ）になるように鋳型内にアルミニウムを含有するシリコンを充填し、かつ、求めた融液温度（Ｌ）になるまで減圧下で加熱し、求めた融液温度（Ｌ）で減圧下のまま、減圧保持時間（Ｔ）まで保持する減圧精製工程を含む精製シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱電変換素子に好適な、優れた熱電変換特性を有するＳｉクラスレート化合物を
用いた熱電変換材料を提供する。
【解決手段】クラスレート化合物Ａ_ａＭ_ｂＱ_ｃＳｉ_{４６−ｂ−ｃ}（元素Ａは、Ｂａ、Ｓｒ
から選択した１成分以上の元素、元素Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択した１成分以上の
元素、元素Ｑは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択した１成分以上の元素）を用いた熱電変換材
料であって、Ｄ＝−２ａ＋３ｂ＋ｃで定義されるＤ値が−３以上である。好ましくは、ａ
が７．７以上８．０以下、かつｂが３．４以上３．９以下、かつｃが２．２以上３．６以
下である。また、焼結密度が理論密度の９５％を超える焼結体であること、クラスレート
化合物相の最強ピーク比が８５％以上であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び球状化率が０．５５〜１．００であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び未溶解率が０．００〜０．２５であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

高品質シリコン材料(例えば、多結晶シリコン) を形成するためのシステム。特定の実施態様において、溶融材料には、シリコン材料及び不純物(例えば、リンの種)が含まれる。システムには、内側領域を備えるるつぼが含まれる。特定の実施態様において、るつぼは、適切な材料(例えば石英材料又は他のもの)でできている。石英材料は、シリコンを処理するために少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができる。特定の実施形態において、るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域を備える。特定の実施形態において、本システムは、エネルギー源を備える。かかるエネルギー源は、アークヒーター又は他の適切な加熱装置であってもよい。これには、複合加熱装置が含まれ、それらは、同じものか異なるものであってもよい。アークヒーターは、開放域より上に構成されて、露出溶融材料とアークヒーター銃口部との間の隙間によって間隔が開いている。露出溶融材料の中心付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する。システムは、結果としてリン種を0.1ppm以下含む溶融材料を生産する。これが、精製されたシリコンである。 （もっと読む）

高純度シリコンを製造するためのプラズマ蒸着装置は、高純度シリコンを蒸着させるチャンバと、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチとをそなえ、チャンバは、その上端を実質的に形成する上部と、上端と下端とを有する１つ又はそれ以上の側部であって、上部が１つ又はそれ以上の側部の上端を実質的に密封的に接合する側部と、チャンバの下端を実質的に形成し、１つ又はそれ以上の側部の下端を実質的に密封的に接合する基部とを含み、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチは、チャンバの上部に配置され、実質的に垂直な位置に向けられて上部から基部に向かう下向きのプラズマフレームを生成し、プラズマフレームが、１つ又はそれ以上の反応剤を反応させて高純度シリコンを生成するための反応区画を形成する。さらに、溶融シリコンを収集する方法も提供する。 （もっと読む）

本発明は、シリコン融液の新規な粗脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 （もっと読む）