本発明は、シリコン融液の新規な粗脱炭法、及びシリコン、好ましくはソーラーシリコン又は半導体シリコンの製造のためのその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、触媒を含む水素化脱塩素反応器内での、水素を用いた四塩化ケイ素の変換のための改善された方法に関する。本発明は、さらに、かかる水素化脱塩素反応器のための触媒系に関する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化珪素を金属で還元してシリコンを生成させる反応の反応効率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応器の内部で下式（１）で表されるハロゲン化珪素を溶融アルミニウムで還元してシリコンを製造する方法であって、還元時に前記反応器の内部に三塩化アルミニウムを供給する高純度シリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n （１）
（式中、ｎは、０〜３の整数であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】不純物の混入が防止された高純度のシリコン微粒子を得ることができるシリコン微粒子の製造方法を得ること。
【解決手段】容器３内にボール２およびシリコン塊１を投入し、前記容器３を回転させて前記容器３内において前記ボール２と前記シリコン塊１とを衝突させることにより前記シリコン塊１を粉砕してシリコン微粒子を得るシリコン微粒子の製造方法であって、前記容器３および前記ボール２が、金属不純物混入量が１０ｗｔ ｐｐｍ以下である石英またはシリコンからなり、前記シリコン塊１の体積に対して前記ボール２の体積が５倍以上である。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシランの生成反応の反応生成物からトリクロロシラン及びテトラクロロシランを主成分とするクロロシラン混合物を分離させる前処理段階と、上記クロロシラン混合物を微量の不純物及びトリクロロシランの混合物からなる第１上部ストリームと、テトラクロロシランを主成分とする第１下部ストリームとに分離させる第１精製段階と、上記第１上部ストリームを微量の低沸点不純物とトリクロロシランの混合物からなる第２上部ストリームと、微量の高沸点不純物とトリクロロシランの混合物からなる第２下部ストリームとに分離させる第２精製段階と、上記第２下部ストリームをトリクロロシランを主成分とする第３上部ストリームと、微量の高沸点不純物及びトリクロロシラン混合物からなる第３下部ストリームとに分離させる第３精製段階を含み、このとき、上記第３精製段階は、上記第２精製段階より高い圧力条件下で行われ、上記第２下部ストリームと上記第３上部ストリームの間で熱交換が行われることを特徴とするトリクロロシランの精製方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、沈降シリカ、特に粉体形状の沈降シリカの製造方法に関する。本発明はまた、得られる沈降シリカ、その使用、特にシリコーンエラストマーマトリックス又はシリコーンペーストをベースとするマトリックスを補強するためのその使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】９９．９９％以上の高純度のシリカまたはシリコンを工業的にかつ安価に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の高純度シリカの製造方法は、珪砂または水晶の細粒子を１ミクロン以下に粉砕する粉砕工程と、粉砕したものを水を加えてスラリー状にするスラリー工程と、磁石分離器を用いて、鉄・アルミ・カリウム等の不純物を取り除いて、二酸化硅素を取り出し回収する磁力分離回収工程と、回収した二酸化硅素から加熱により水分を蒸発させ、若しくは、遠心分離により水分を除去し、二酸化硅素を乾燥させる乾燥工程とを備え、９９．９９％以上の高純度シリカを得る。磁石分離器に電磁回転型磁力分離器を用い、長時間運転を可能とし製造コストを安価にする。更に、カーボンアーク炉内で還元する工程を加え、高純度シリコンを得る。 （もっと読む）

各種実施形態では、異なる密度の不純物が遠心力を用いて分離及び集積されるシリコンの精製方法が提供され、溶融シリコンの制御結晶化は、固体／液体界面での不純物の集積によって、さらなる精製をもたらす。
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本発明は、ゲルの亜臨界乾燥によるゾル−ゲルプロセスによる製造プロセスの最後に熱酸化により除去される一時的な孔充填剤または固体骨格支持体（例えば炭素または有機物）を用いて製造された多孔質ＳｉＯ_２キセロゲルに関する。
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本発明は、その場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で形成され、製造プロセスの最後に熱酸化により除去される一時的な有機固体骨格支持体を用いた、ゲルの亜臨界乾燥によるゾル−ゲルプロセスによる多孔質ＳｉＯ_２キセロゲルの製造に関する。
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本発明は、ハロゲンシランからヒドリドシランを製造するための方法において、ａ）ｉ）一般式Ｓｉ_nＸ_2n+2［式中、ｎ≧３であり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランと、ｉｉ）一般式ＮＲＲ’_aＲ’’_bＹ_c［式中、ａ＝０又は１であり、ｂ＝０又は１であり、かつｃ＝０又は１であり、かつ式（Ｉ）であり、その際、ａａ）Ｒ、Ｒ’及び／又はＲ’’は、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアリール、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アミノアラルキルであり、かつ／又は、基Ｒ、Ｒ’及びＲ’’のうち２つ又は３つは、ｃ＝０である場合には、一緒になって、Ｎを含む環式又は二環式、複素脂肪族又は複素芳香族系を形成するが、但し、基Ｒ、Ｒ’又はＲ’’のうち少なくとも１つは−ＣＨ₃ではなく、かつ／又は、ｂｂ）Ｒ及びＲ’及び／又はＲ’’は、（ｃ＝１である場合には）−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−アラルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアルキレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアリーレン、−Ｃ₁〜Ｃ₁₂−ヘテロアラルキレン及び／又は−Ｎ＝であるか、又は、ｃｃ）（ａ＝ｂ＝ｃ＝０である場合には）Ｒ＝≡Ｃ−Ｒ’’’（但し、Ｒ’’’＝−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アルキル、−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アリール及び／又は−Ｃ₁〜Ｃ₁₀−アラルキルである）である］の少なくとも１の触媒とを、一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2［式中、ｍ＞ｎであり、かつＸ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］の少なくとも１のハロゲンシランとＳｉＸ₄［式中、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及び／又はＩである］とを含む混合物の形成下に反応させ、かつ、ｂ）一般式Ｓｉ_mＸ_2m+2の少なくとも１のハロゲンシランを、一般式Ｓｉ_mＨ_2m+2のヒドリドシランの形成下に水素化することを特徴とする方法、該方法により製造可能なヒドリドシラン及びその使用に関する。
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光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法には、金属シリコンをルツボ装置に提供することが含まれる。金属シリコンは、少なくとも熱工程を施され、金属シリコンの状態が第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態に変化する。少なくとも不純物の一部は、溶融状態において金属シリコンから除かれる。溶融金属シリコンの下方領域から上方領域までを冷却して下方領域を凝固させる一方で残りの不純物の一部を分離させて液状領域に留める。液状領域を凝固させることで精製領域及び不純物領域を有するシリコン構造物が形成される。精製領域は、99.9999%を超える純度によって特徴づけられる。
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【課題】モノシランの精製方法を提供する。
【解決手段】（１）モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程；及び（２）前記工程（１）で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程；を含むモノシランの精製方法を提供するものである。本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。 （もっと読む）

【課題】、高純度のシリカを、簡易かつ低コストで製造できる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ含有鉱物粉末と、アルカリ水溶液を混合して、ｐＨが１１．５以上のアルカリ性スラリーとし、上記珪質頁岩の粉状物中のＳｉ、Ａｌ、Ｆｅを液分中に溶解させた後、該アルカリ性スラリーを固液分離して、Ｓｉ、Ａｌ、Ｆｅを含む液分を得るアルカリ溶解工程と、（Ｂ）工程（Ａ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを１０．３以上１１．５未満とし、液分中のＡｌ、Ｆｅを析出させた後、固液分離を行い、Ｓｉを含む液分を得るＳｉ液分分離工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られた液分と酸を混合してｐＨを９．０以上１０．３未満とし、液分中のＳｉを析出させた後、固液分離を行い、ＳｉＯ₂を含む固形分を得るシリカ分離工程を経て得られる高純度シリカの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシランの合成システム及び方法に向けられる。開示されたシステム及び方法は、気化された金属塩を回収又は分離し、トリクロロシラン合成中の下流操作で金属塩の凝固によって生じる閉塞を削減するために、スラリー中の固形物濃度を増大することを含みうる。加熱して温度を上げてクロロシラン化合物を気化し、その後気化クロロシラン化合物を凝縮するのではなく、本発明は、水素などの非凝縮性ガスを利用してクロロシラン成分を気化することによって、スラリーストリーム中の固形分濃度を増大させることを含みうる。この方法は、結果的に、スラリー温度を低下できる蒸発条件を促進できる。低いスラリー温度によって金属塩は気化しにくくなり、このことが下流のユニット操作へのキャリーオーバーの可能性を削減する。 （もっと読む）

【課題】 半金属元素、又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料を、より効率的に精製して高純度の材料を得ること。
【解決手段】 半金属元素又は金属元素を主成分とし不純物を含有する材料と、下記一般式（１）で表される化合物と、を接触させることにより材料中の不純物を除去する、材料の精製方法。
ＭＸ_Ｚ （１）
［式中、ＭはＧａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｉ，からなる群より選択される１種以上の元素であり、Ｘはハロゲン原子であり、Ｚは２〜４の整数である。］ （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯガスが発生する原料をプラズマ加熱により気化させてＳｉＯガスとした後、珪素酸化物として析出させることを特徴とするＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法である。ＳｉＯガスを析出する際は、析出基体を用いる、またはＳｉＯガスに非酸化性ガスを混合することにより、冷却して行うのが好ましい。原料は、Ｓｉ粉末とＳｉＯ₂粉末および／またはＳｉＯ粉末とを混合して得られたものを用いるのが好ましい。得られた珪素酸化物は、Ｘ線回折測定において金属珪素および二酸化珪素に由来する回折ピークを示さない、非結晶質のＳｉＯ_x（ｘ＜１）となる。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの品質低下を招く重金属不純物であるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの含有量の総計が低い清浄な高純度の多結晶シリコン塊を提供すること。
【解決手段】シーメンス法で得られたシリコン多結晶棒の電極側端近傍では、クロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が高い。そこで、多結晶シリコン棒１００の破砕工程に先立ち、反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒１００の電極側端から少なくとも７０ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を設ける。これにより、バルク中のクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が１５０ｐｐｔａ以上の多結晶シリコン部分を除去することができる。より低不純物濃度の多結晶シリコン塊を得るためには、少なくとも１５５ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去すればよい。 （もっと読む）

【課題】微塗工紙の印刷不透明度の向上の観点から填料としての改良が要請されている。そこで、本発明の主たる課題は、高い吸油量を示し、紙の不透明度を向上できるシリカ複合再生粒子、シリカ複合再生粒子の製造方法およびシリカ複合再生粒子を内添した微塗工紙を提供することにある。
【解決手段】製紙スラッジを主原料とし、これを脱水、乾燥、燃焼および粉砕工程を経て得られた再生粒子を原料とし、シリカ複合工程を経て得られるシリカ複合再生粒子であって、得られたシリカ複合再生粒子の細孔容積が、０．３〜１．２ｃｃ／ｇ（細孔半径が１０，０００Å以下）とする。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が５〜５００ｎｍの範囲にあり、屈折率が１．１５〜１．３８の範囲にあり、シリカをＳｉＯ₂で表し、シリカ以外の無機酸化物をＭＯ_Xで表したときのモル比ＭＯ_X／ＳｉＯ₂が０.０００１〜０.２の範囲にあり、アルカリ金属酸化物の含有量がＡ₂Ｏ（Ａ：アルカリ金属元素）として５ｐｐｍ以下であることを特徴とする外殻内部に空洞を有するシリカ系微粒子を提供する。
【解決手段】珪酸塩及び／または酸性珪酸塩と、アルカリ可溶の無機化合物水溶液とをアルカリ水溶液中に同時に添加して、複合酸化物微粒子分散液を調製した後、酸を加え複合酸化物を構成する珪素以外の元素の少なくとも一部を除去する。 （もっと読む）