【課題】比較的低純度のシリコン原料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で量産が可能なシリコン原料の精製方法を提供する。
【解決手段】原料となるシリコンまたはシリカの粉末１を落下させ、その粉末をオゾンを含む高温領域８を通過させる。高温領域中のオゾンにより粉末に含まれるボロンが酸化され、酸化物として気化して除去される。高温領域８を通過した粉末が冷却され、ボロンを除去した粉末として回収する。高温領域８を高周波誘導熱プラズマまたはレーザビーム照射にて形成する。また、ボロンを除去した粉末を水素を含む高温領域２８を通過させ、高温領域中の水素により粉末に含まれる二酸化硅素成分を還元してシリコンとなす。 （もっと読む）

【課題】シリコンを高純度に精製することが可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン屑から精製シリコンを得るシリコン精製方法であって、シリコン屑を溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯から得られる溶融シリコンを凝固させてシリコン塊を形成する工程と、を含み、シリコン溶湯を形成する工程は、シリコン屑を第１の圧力下で溶融してシリコン溶湯を形成する工程と、シリコン溶湯を第１の圧力よりも低い第２の圧力下で脱気する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ７に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ７にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材１７および１８を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Ｆｅ濃度が１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下、Ｎｉ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下およびＣｒ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】電磁鋳造法によって多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、シリコン融液にリンを連続的又は断続的に添加することによって比抵抗を１Ωｃｍ以上、１０Ωｃｍ以下に制御する。本発明によれば、ドーパントを連続的又は断続的に添加可能な電磁鋳造法を用いていることから、多結晶シリコンインゴットの比抵抗を結晶軸方向において１Ω以上、１０Ωの範囲に制御することが可能となる。しかも、ドーパントがリンであることから、Ｂ−Ｏ複合体が形成されることによる転位密度の増加も生じない。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善すること
【解決手段】反応器中で少なくとも１つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を４００〜１０００℃の心棒温度で、少なくとも１つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、ＵＶ光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法 （もっと読む）

【課題】金属珪素と二酸化珪素の蒸着用材料は、加熱時に蒸気圧が高いために蒸発しにくく、さらに溶融型の蒸着用材料であるため、より大きい熱衝撃が必要となり、蒸着用材料が飛散してスプラッシュが発生しやすい。また蒸着速度の低下の問題、蒸着膜のバリア性の低下の問題もある。本発明の課題は、スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料を提供することである。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、酸化マグネシウム粉末とを含有してなる加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とマグネシウムの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｇ））が１．０〜１．８であり、マグネシウムと珪素の原子数の比（Ｍｇ／Ｓｉ）が０．０２〜０．５０であることを特徴とする蒸着用材料。 （もっと読む）

【課題】真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。
【課題手段】真空ポンプ１を装備した処理室２内に、シリコン溶湯３を収容する坩堝４と坩堝４を加熱する加熱手段５とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＴＣＳ）からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をＴＣＳに変換して、ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびその他の化合物を効果的に再利用する。
【解決手段】本発明は、ホウ素化合物の量を減じたＴＣＳ製造方法に関し、（Ａ）ＴＣＳ含有反応ガスを生成するために、流動床反応器１において冶金級シリコン１１と塩化水素ガス１９とを反応させ、（Ｂ）第１蒸気留分１６と第１蒸留残渣１５とを分離するために、第１蒸留塔３頂部の蒸留温度をＴＣＳの沸点とテトラクロロシランの沸点との間に設定することにより、反応ガスの第１蒸留を実施し、第１蒸気留分を第２蒸留塔４へ供給し、（Ｃ）ＴＣＳ１７と、ホウ素化合物を含有する第２蒸気留分１８とを分離するために、第２蒸留塔頂部の蒸留温度をＤＣＳの沸点とＴＣＳの沸点との間に設定することにより、第２蒸留を実施し、（Ｄ）第２蒸気留分を流動床反応器に再供給する。 （もっと読む）

【課題】金属とリチウムとの合金化・脱合金化反応を利用したリチウムイオン二次電池用負極材に好適な、高容量で、充放電サイクル性に優れる複合粒子、その製造方法、それを用いたリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池を提供すること。
【解決手段】リチウムを電気化学的に吸蔵・放出できる金属粒子Ａと、前記金属粒子Ａよりも導電性が高く、且つ前記金属粒子Ａよりもリチウムの吸蔵・放出能力が低い金属粒子Ｂと、を用いて得られる複合粒子であり、前記金属粒子Ｂの重量平均粒子径（Ｄ５０）は０．２μｍ以上１．２μｍ以下であり、粉体電気抵抗が圧力５０ＭＰａにおいて１×Ｅ１Ω・ｃｍ以上１×Ｅ８Ω・ｃｍ以下の複合粒子である。 （もっと読む）

【課題】将来の純度の要求を満たす、ポリシリコンの特に経済的な製造法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する成分と水素を有する反応ガスを反応器中に導入することによってシリコンを析出させる、多結晶シリコンの製造法において、第１の反応器中での第１の析出プロセスからの精製された凝縮液を、第２の反応器に供給し、この第２の反応器中での第２の析出プロセスに際して使用することを特徴とする、多結晶シリコンの製造法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】表面ダストの含量が少なくコスト的に好ましい多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも９０％が明細書中に記載のサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、４００μｍ未満の粒子サイズについては１５ｐｐｍｗ未満であり、５０μｍ未満の粒子サイズについては１４ｐｐｍｗ未満であり、１０μｍ未満の粒子サイズについては１０ｐｐｍｗ未満であり、かつ１μｍ未満の粒子サイズについては３ｐｐｍｗ未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、０．１ｐｐｂｗ以上で１００ｐｐｂｗ以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコンによって解決される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×10¹⁷atoms/cm³以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、冷却銅モールドの酸素含有率が低く、且つチャンバ内の酸素分圧が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を抑制しながらも、離型性に優れた、きわめて低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、前記多孔質シリカ板体の両平行平面の表面部分のかさ密度が、前記角形シリカ容器の内表面部分よりも外表面部分において高い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。 （もっと読む）

【課題】触媒担体としてポリエチレンの製造において使用することができる、熱分解により調製された二酸化ケイ素からの噴霧顆粒の提供。
【解決手段】熱分解により調製された二酸化ケイ素をベースとし、かつ次の物理化学的特性：平均粒度：１０〜１２０μｍ、ＢＥＴ表面積：４０〜４００ｍ²／ｇ、細孔容積：０．５〜２．５ｍｌ／ｇ、細孔分布：合計の細孔容積の５％未満が、直径＜５ｎｍを有する孔であり、残りはメソ孔及びマクロ孔、ｐＨ値：３．６〜８．５、タップ密度：２２０〜７００ｇ／ｌを有する顆粒。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】半導電材料等の導電性付与剤として用いた際に、十分、かつ安定した導電性を付与し得る無機酸化物粉体を提供する。
【解決手段】無機酸化物粉体に表面処理を施すことにより表面改質された無機酸化物粉体において、表面に窒素を含有するオニウム塩を有し、窒素含有量が０．０２％以上３％以下であり、かつオニウム塩の固定化率が５０％以上１００％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン融液及び多結晶シリコンインゴットへの不純物汚染を十分に防止することができる能力を有し、かつ、離型性に優れた、低コストの多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びそのような角形シリカ容器を製造する方法を提供する。
【解決手段】 シリコン融液を収容した後凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、該角形シリカ容器は、少なくとも多孔質シリカ基体からなるものであり、前記多孔質シリカ基体は、かさ密度が１．８０〜２．１０ｇ／ｃｍ^３であり、Ａｌ濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、ＯＨ基濃度が５〜５００ｗｔ．ｐｐｍであり、前記多孔質シリカ基体の内表面部分の少なくとも一部に、前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものである多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器、及びこのような角形シリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を防止しながらシリコン試料を短時間で溶解することができ、これによりシリコン単結晶中の不純物の検出下限を低くすることができるシリコン単結晶の不純物評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サンプルカップ内のシリコン試料を気相全溶解して揮散させ、前記サンプルカップ内に残存した残存物を回収し、該回収した残存物から前記シリコン試料中の不純物を評価するシリコン単結晶の不純物評価方法であって、前記シリコン試料の気相全溶解を、個別の容器に入ったフッ化水素酸と発煙硝酸を発煙硝酸の沸点より低い温度まで加熱し、該加熱されたフッ化水素酸と発煙硝酸の蒸気により前記シリコン試料を気相全溶解するシリコン単結晶の不純物評価方法。 （もっと読む）