本発明は、少なくとも１つのケイ素ハロゲン化物、殊にＨ_nＳｉＣｌ_4-n型（ｎは０、１、２または３である）のクロロシランを含む組成物Ｉにおける、ホウ素含有化合物の含有量の減少方法であって、第一の工程における該組成物Ｉへの少量の湿分の装入、および第二の工程における、加水分解されたホウ素および／またはケイ素含有化合物の分離により、その間に、減少されたホウ素含有量を有する予備精製された組成物ＩＩが得られ、殊に第一および第二の工程が少なくとも１つまたはそれより多くのサイクルで行われ得る方法に関する。さらに、該方法の実施のための設備、並びに、該設備が搭載される全体の設備が特許請求される。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物に対するハロゲン化物による反応器の腐食を抑制できると共に、その構造物の十分な機械的強度を実現可能なシリコンの製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ及びＡｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属によりハロゲン化シランを還元してシリコンを得るシリコンの製造方法において、ハロゲン化シランが存在する空間を形成する構造物の材料として、鉄の質量分率が１０％以下のニッケル基合金を用いる。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンを原料とする高純度シリコンの生産効率向上とコスト低減。
【解決手段】溶融した原料シリコンを収容した水冷ハース１３を傾動してハース底、内壁に形成された凝固層からなるスカル２２を溶湯２１から露出させて電子ビーム１４照射と真空雰囲気に暴露し、凝固層を溶解してハース反対側の溶湯に流動させて
常に新しい溶解面を真空雰囲気中に暴露することによって、リンの蒸発除去過程を行い、また、ボロンの除去過程において同じくハースの傾動によって溶湯から露出した凝固層の新しい溶解面に対して酸素ラジカルを供給してボロンを酸化し、形成された酸化ボロンを真空雰囲気において蒸発させて除去する。 （もっと読む）

【課題】必要な純度をもつ球状シリカを低コストで製造することができる球状シリカの製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】不純物が全体として３０００ｐｐｍ以下、不純物を構成する元素である不純物元素についてそれぞれ１００ｐｐｍ以下であるケイ石と、前記不純物が全体として３０００ｐｐｍ以下、前記不純物元素についてそれぞれ１０００ｐｐｍ以下である高純度炭剤を３０質量％以上含有する炭剤と、を混合・加熱して金属ケイ素材料を生成する還元工程と、前記金属ケイ素材料を火炎中にて酸素と反応させて球状シリカとする酸化工程とを有する製造方法。際の原料中の不純物含有量を規制したものを採用することにより、得られる金属ケイ素材料中に含まれる不純物の含有量が規制され、更には、製造される球状シリカに含まれる不純物の含有量も望ましい範囲に規制することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
以上より、本発明の目的は、金属が添加された多孔体シリカ（ＫＩＴ−５）およびその製造方法を提供することである。本発明のさらなる目的は、高濃度の金属が添加された多孔体シリカ（ＫＩＴ−５）およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】
所定の空間群からなる多孔構造をもつ多孔体シリカであって、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素が添加されてなることを特徴とする、多孔体シリカとその製造方法として、界面活性剤Ｆ１２７と、酸と、水と、ケイ素源並びにＡｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＣｏおよびＧａからなる群から選択される金属元素を含む金属源とを混合する工程と、 前記混合する工程によって得られた原料混合物を加熱して、ケイ化する工程と、 前記ケイ化する工程によって得られたケイ化物を焼成する工程とからなることを特徴とする、方法を提供する。 （もっと読む）

種の供給源を、純粋でない液体のクロロシランの供給源に導入する工程、第１の撹拌された容器中で、液体のクロロシランから種上に塩化アルミニウム及びその他の金属塩化物の結晶化を開始させる工程、結果として生ずる液体及び固体の混合物を冷却器を通過させて追加の結晶化のために第２の撹拌容器に通す工程、結果として生ずる液体及び固体の混合物を固体除去デバイスに移す工程、固体含有量の減少した液体を更なる方法又は容器に移し、固体含有量の高い液体を廃棄物濃縮デバイスに移す工程、結果として生ずる固体含有量の減少した液体を更なる方法又は容器に送り、結果としての固体含有量の非常に高い液体を撹拌されている廃棄物貯蔵容器に送る工程を有する、液体のクロロシランから塩化アルミニウム及びその他の金属塩化物を取り除くための方法。
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【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

【課題】低過冷度型の結晶を高い割合で含む球状シリコン結晶を、高い再現性をもって得ることを可能とする、球状シリコン結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料に、AlPの微粉末を添加する工程、及び、AlPの微粉末を含む溶融シリコン材料の液滴を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン結晶の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、非常に高純度のハロゲンシラン、とりわけ非常に高純度のクロロシランを製造するために、工業的な純度のハロゲンシラン中にある元素周期表の第三主族の元素、とりわけホウ素とアルミニウムを含む化合物の含分を低減させるための方法に関する。本発明はさらに、当該方法を実施するための装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に疣状突起を有する球状シリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾルであって、特に、ナトリウム、炭素などの含有割合が低レベルにある球状シリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾル、および、その様なシリカゾルの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の疣状突起を有する球状シリカ微粒子が溶媒に分散してなるシリカゾルであって、該球状シリカ微粒子のＢＥＴ法により測定された比表面積を（ＳＡ１）とし、画像解析法により測定される該シリカ微粒子の平均粒子径（Ｄ２）から換算した比表面積を（ＳＡ２）としたときの表面粗度（ＳＡ１）／（ＳＡ２）の値が、１．９〜５．０の範囲にあり、該平均粒子径（Ｄ２）が１０〜１５０ｎｍの範囲にあり、ナトリウム含有割合が１００質量ｐｐｍ以下、炭素含有割合が０．１〜５質量％の範囲にあることを特徴とするシリカゾル。 （もっと読む）

【課題】高容量かつサイクル特性の良好な新規なリチウムイオン二次電池やリチウムイオンキャパシタの負極として適用可能な複合体材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粒子と該シリコン粒子の表面の少なくとも一部に存在する炭化金属からなる被覆層とを有する複合体であって、前記炭化金属の少なくとも一種が炭化反応におけるギブスの自由エネルギーがシリコンの炭化反応におけるギブスの自由エネルギー未満である金属の炭化物である複合体材料およびその製造方法。前記炭化反応におけるギブスの自由エネルギーがシリコンの炭化反応におけるギブスの自由エネルギー未満である金属の炭化物が５重量％以上８０重量％以下含まれる。 （もっと読む）

【課題】リンを効率的に除去することができるシリコン再生方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン再生方法は、砥粒とクーラントを含むスラリーを用いたシリコン塊又はシリコンウエハの切断又は研磨によって前記スラリーにシリコン屑が混入された廃スラリー又はその濃縮分を固液分離してシリコン屑を含有するシリコン回収用固形分を取得し、前記シリコン回収用固形分を酸溶液からなる洗浄液で洗浄し、前記洗浄後に２００℃以上１０００℃以下の温度で前記シリコン回収用固形分を焼成する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面平滑性に優れた多孔質シリカ系粒子並びにその製造方法、および該多孔質シリカ系粒子を配合してなる化粧料に関するものである。
【解決手段】 平均粒子径が０．５〜３０μｍの範囲にある多孔質シリカ系粒子であって、該粒子の全体表面を１００００倍の走査型電子顕微鏡で撮った写真（ＳＥＭ写真）にて観察したとき、その表面に異物の付着が殆ど認められない程度の表面平滑性を備えた多孔質シリカ系粒子、その製造方法および該多孔質シリカ系粒子を配合してなる化粧料。
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【課題】シェル内不純物濃度、コア／シェル間の格子不整合等の観点からコア／シェル型半導体ナノ粒子を改善することにより、ブリンキング現象を抑制し、発光強度を向上させたコア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】コア部とシェル層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、当該シェル層内の不純物濃度が５．０原子％以下であり、かつコア／シェル間の格子不整合率が１５％以下であることを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【解決手段】（１）酸化珪素を還元することで金属珪素を得る工程、
（２）上記金属珪素をガス吹練処理して不純物を除去する工程、
（３）上記不純物を除去した金属珪素を溶解し、一方向凝固する工程、
（４）一方向凝固した金属珪素から純度の低い部分を除去する工程、及び
（５）上記低純度部分を除去した金属珪素を減圧下で電子ビーム溶解して不純物を気化・除去する工程
を含むことを特徴とする金属珪素の精製方法。
【効果】本発明によれば、Ｆｅ等の不純物金属元素はもちろんＢ，Ｐ等の金属成分以外の不純物も短工程で効率よく、しかも安価に除去・精製した高純度化金属珪素を得ることができる。本発明で得られる金属珪素は、太陽電池用として好適に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、特に高湿度条件下での耐熱性に優れ、化学安定性および寸法安定性を備え、１００℃を越える温度でも安定なプロトン伝導が達成可能な、新規なプロトン伝導性シリカを提供する。
【解決手段】Ｎａ含有量５００ｐｐｍ以下、Ｂ含有量１００ｐｐｍ以下のシリカ基材において、特定の固定アニオン基５種のうち少なくとも１種有するプロトン伝導性シリカを用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン方向凝固物におけるアルミニウム濃度を調べることなく、粗シリコン領域を切除して、精製シリコンを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】目標最大アルミニウム濃度Ｃ_10max、温度勾配Ｔおよび凝固速度Ｒから、下式（１）を満足する基準凝固率ｆ₀を求め、凝固させる過程での凝固率ｆがｆ₀に相当する部分でシリコン方向凝固物4を切断する。ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ）＋Ｋ₂｝×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝×｛Ｋ₇×Ｔ＋Ｋ₈｝−Ｋ₉（１）〔式中、ｋは、式（２）Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−ｆ₀）^k'-1（２）（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）