【課題】ＬＥＤの発光再結合効率を高める。
【解決手段】（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。したがって、得られたＧａＮナノコラム５の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。こうして、発光再結合効率を高めることができる。 （もっと読む）

InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 （もっと読む）

【課題】品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。
【解決手段】成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減され、１０⁶ 個／ｃｍ² オーダーとなる。 （もっと読む）

【課題】結晶中の転位の挙動に違いが出ることにより、転位の屈曲が起こらずＧａN層の表面まで貫通してしまうこと、及び、ピットが閉塞しないなど、ＧａN層表面の平坦化に影響が出ることに対し、ＡｌＧａN中間層なしで凹凸を形成すること。
【解決手段】半導体成長用基板と、該半導体成長用基板の主面上に形成された第１の窒化ガリウム層と、該第１の窒化ガリウム層上に形成された第２の窒化ガリウム層とを有するエピタキシャル基板において、上記第１の窒化ガリウム層のａ面またはｍ面が上記半導体成長用基板の主面に平行であって、上記第１の窒化ガリウム層と第２の窒化ガリウム層との界面は上記半導体成長用基板の主面に対して非平行であること。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性や結晶構造の完全性に優れ、かつ光学特性の良好なＩｎＮエピタキシャル薄膜を得るのに有用で簡便な成長方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。（ＲＦ−ＭＢＥと呼ばれる手法）。 （もっと読む）

【課題】 基板上にＺｎＴｅを成膜した半導体において、ドーパントとして一般的な不純物を用いた場合であっても、キャリア濃度が高い半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 基板１ａ上にｐ型ＺｎＴｅ薄膜１ｂを成膜した被処理基板１を、熱処理装置２の処理室３内で、ガス導入口５から導入したＺｎＴｅと反応しない気体の雰囲気中において、成膜処理工程における成膜温度以下で電気炉４によって熱処理する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）の上に、例えばＧａＮ層（５）のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法を提供するものであり、基板（１）は、少なくともＧｅ表面（３）、好適には六方対称を有する。この方法は、基板（１）を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板（１）を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面（３）の上に、例えばＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。本発明の具体例にかかる方法では、良好な結晶品質を有するＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる。本発明は、更に、本発明の具体例にかかる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させてなる窒化物半導体ウェハを２つの部分に切り離して、異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶の製造方法において、異種基板から分離した窒化物半導体結晶層に、格子不整合に起因する欠陥を高密度に含む領域が含まれないようにする
【解決手段】１は異種基板、２は異種基板１上に成長したバッファ層、３はバッファ層２上に成長した窒化物半導体結晶層である。窒化物半導体結晶層３は、波長λの光に対する吸収性の異なる下部結晶層３１と上部結晶層３２とから構成されている。下部結晶層３１と上部結晶層３２のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを２つの部分に切り離す。欠陥密度の低い上部結晶層３２のみを、異種基板１から分離することができる。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】特定の結晶面を備えていて高品質で表面が均一な窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】表面に少なくともＣ面を備え、かつ、該Ｃ面と直接隣接する面がＭ面でもＡ面でもないことを特徴とする六方晶系の種結晶を用いて結晶成長することにより窒化物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】磁性を有するアルカリ土類金属窒化物、特にＣａＮとＳｒＮを提供する。
【解決手段】α―Ｃａ_３Ｎ_２を、β―Ｃａ_３Ｎ_２に構造相転移する以上の温度に加熱する加熱ステップと、加熱ステップで得られたβ―Ｃａ_３Ｎ_２に、磁性を有する構造をしたＣａＮとＣａとに分解する以上の圧力を加える加圧ステップ、を有していることを特徴とする磁性を有する窒化カルシウムの製造方法。ＣａまたはＳｒをＡ、窒素をＮと表記したときに、格子定数がＡＮに近く、ＡＮの磁性を破壊しない半導体、化合物半導体、絶縁体、金属から選択された材料からなる基板上に気体状のＡとＮとＡと基板材料の元素等を１〜２層ずつ交互に積層させることを特徴とする磁性を有するアルカリ土類金属窒化物の製造方法。１〜２層ずつ交互に積層させるのは、プラズマを利用した打ち込みであることを特徴とする磁性を有するアルカリ土類金属窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産性とキャリア濃度が向上し、低抵抗ｎ型ＡｌＮ半導体結晶を得ることを目的とし、短波長発光素子やパワーデバイスを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,
Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原
子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０¹⁸cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aである
ことが好ましい。またＡｌＮ結晶の製造方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法や昇華法等公知の方法に採用できる。 （もっと読む）

【課題】良好なｐｎ接合を容易に形成することが可能なＺｎＯ系の酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドー
プした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ₂単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】下地基板表面上に選択エピタキシャル成長用マスクを簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 （もっと読む）

【課題】つぼの中の薄膜素子材料の残量が減少しても、ニードルバルブにより分子線量を毎時一定に調整出来るようにする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。さらに、前記成膜面に向けて放出される分子線量を検知する膜厚計１６、２６で検知された分子線量情報を帰還して、サーボモータ３６、４６によりバルブ３３、４３の開度を調節する制御手段と、前記ヒータ３２、４２の加熱のための電力を供給する加熱電源と、前記分子線量情報とバルブ開度情報とから前記加熱電源の投入電力を調整する制御手段とを備える。 （もっと読む）