【課題】 準安定溶媒エピタキシー法を用いた炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素単結晶の成長速度を制御し、炭化珪素単結晶を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】
炭化珪素単結晶材料２０の表面上に炭化珪素単結晶を成長させる準安定溶媒エピタキシー法を用いた炭化珪素単結晶の製造方法であって、配置工程Ｓ２では、炭化珪素単結晶材料２０又は炭素珪素供給材料４０の何れか一方の材料を珪素材料６０の上側に配置し、一方の材料の位置を固定し、炭化珪素単結晶材料２０と炭素珪素供給材料４０との間に珪素材料６０を介在させる。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、１本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として利用可能な、直径が４インチ超のＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素結晶の製造方法は、成長容器内に、種基板および炭化珪素結晶の原料を配置する工程と、昇華法により、種基板の表面に直径が４インチを超える炭化珪素結晶を成長させる工程と、を備える。上記成長させる工程において、成長容器内の圧力が所定の圧力から所定の変動割合で変動する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液成長が実施可能な高温で、雰囲気ガス圧力が０．１ＭＰａ以上の加圧条件においても、特別な装置を用いることなく、かつ気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制できる溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも５０〜３００℃高温に保って製造して、結晶成長部分のボイド密度を１００００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長温度、成長に用いる雰囲気ガスによらず、溶液法によるＳｉＣ単結晶製造において気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制しうる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を９０°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を１０００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い窒化アルミニウム単結晶を高収率で製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長容器７内に収容した窒化アルミニウム原料６を加熱して昇華させ、成長容器７の内壁面に固定した種結晶１３の表面上に窒化アルミニウムの単結晶１９を成長させて窒化アルミニウム単結晶を製造する単結晶成長工程を含む窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、単結晶成長工程が、種結晶１３の表面のうち結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われるまでは成長容器７を開放し、成長容器７内に窒素ガスを導入する開放工程と、種結晶１３の表面の結晶成長面１３ａが窒化アルミニウム単結晶１９で全面的に覆われた後は成長容器７を密閉する密閉工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度の計測が可能となる特性を有する半導体多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多結晶ダイヤモンドは、平均粒径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下のダイヤモンド結晶粒と、５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下の硼素および不可避不純物とで構成され、温度が上昇した際に電気抵抗が減少する特性を有するように硼素をダイヤモンド結晶粒中に分散させる。該半導体多結晶ダイヤモンドは、気相合成で作製され硼素を５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下含むグラファイトを、１２００℃以上２５００℃以下の温度、７ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下の圧力で直接ダイヤモンドに変換することで得られる。 （もっと読む）

【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】育成容器内で窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶成長に直接必要な時間以外の時間を削減し、単結晶を効率よく育成する単結晶育成装置を提供することである。
【解決手段】窒化物単結晶育成装置は、予熱ゾーン３、結晶育成ゾーン４および冷却ゾーン５を備えている主部、予熱ゾーン３の上流側に設けられた第一の圧力調整室２Ａ、予熱ゾーンと第一の圧力調整室との間に設けられた第一の耐圧仕切り弁９Ａ、冷却ゾーン５の下流側に設けられた第二の圧力調整室２Ｂ、冷却ゾーンと第二の圧力調整室との間に設けられた第二の耐圧仕切り弁９Ｂ、主部内を加熱するマルチゾーンヒーター、および第一の圧力調整室から主部を通って第二の圧力調整室まで育成容器を移送する移送機構を備えている。 （もっと読む）

【課題】たとえ反応容器が破損した場合であっても、耐圧性容器の内壁が腐食されることなく良質な窒化物結晶を得ることができる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器２に原料５、酸性鉱化剤、およびアンモニアを充填して密閉した後、耐圧性容器１内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に、前記酸性鉱化剤または前記酸性鉱化剤から発生する酸と反応して反応生成物２３を生じる物質を存在させる。 （もっと読む）

【課題】様々な物質を含む、ガリウムナイトライドの成長のための高圧システムのオペレーション方法を提供する。
【解決手段】成長領域と原料領域を有する高圧の化学反応炉１１０は、高圧下で封じ込める筐体１０４を、格納容器内に配置して構成される。格納容器には、排気システム１４２、１４６が連結されている。この排気システム１４２、１４６は、少なくとも０．３リットルのアンモニア液から発生したアンモニアガスを取り除くように構成される。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】混合融液から外部へのフラックスの蒸発を防止してＩＩＩ族窒化物結晶を製造可能なＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とフラックスとを含む融液が保持された保持容器１０１を内在した反応容器１０３と窒素ガスボンベ１０５とを結ぶ配管１０４内に溶融Ｎａ１１２の滞留部を形成し、該滞留部によって配管１０４を一時的に閉塞する。これにより、結晶成長中の時間内（数１０〜数１００時間）では、保持容器内の融液中に含まれるフラックスの減少を防止することができ、その結果として、従来よりも低コストかつ高品質で、大型のＩＩＩ族窒化物結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）