【課題】低圧又は常圧で良質の第１３族金属窒化物結晶の製造方法、及び前記製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１３族金属を含有するイオン源と、窒素を含有するイオン源とを、好ましくは溶融塩２中で反応させて第１３族金属窒化物結晶を得る第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶融塩２として、ハロゲン化Ｌｉかハロゲン化Ｎａの少なくとも一方を用い、ＬｉかＮａの少なくとも一方を生成する。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３の製造方法は、チャンバー１０１内に配置された坩堝１０３に結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを収容する工程と、結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを加圧溶融し、かつ結晶成長用原料１５を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３を成長させる工程と、チャンバー１０１内を降温する工程とを備えている。降温する工程は、液体封止剤１７の軟化点に達するまでに、チャンバー１０１内を６０ｋＰａを超えて４００ｋＰａ以下に減圧する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】大きな面積及び厚さを有する単結晶窒化アルミニウム板状体が、大きな速度で形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】希土類元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料又は複合酸化物或いは複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料を準備し、原料の近傍に、突起２４、２６が形成された無機単結晶基板２２を配置する準備工程、及び１０〜１００００Ｐａの非酸化性ガス雰囲気中で、原料及び無機単結晶基板２２を加熱し、原料の温度を１６００〜２０００℃とすると共に無機単結晶基板２２の温度を１５８０℃以上であって原料より低い温度として、突起２４、２６の上に単結晶窒化アルミニウムからなる板状体２８を形成する単結晶窒化アルミニウム形成工程からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】核発生防止および高品質無極性面の成長の少なくとも一方を実現可能なＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属とガリウムとを含む融液中において、ＧａＮ結晶を製造する方法であって、融液中の炭素の含有量を調整する調整工程と、ガリウムと窒素とが反応する反応工程とを包含する。アルカリ金属としては、Ｎａを用いる。この製造方法により、核発生を防止し、無極性面を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。
【解決手段】加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 （もっと読む）

【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）

【課題】全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる炉内の圧力を４０〜２５０ｍｂａｒにして、前記炉内の雰囲気中に水素を体積比で１％〜３．８％導入する工程と、前記シリコン単結晶内にＶ領域とＩ領域を含まないように前記シリコン単結晶を引上げる炉内に窒素を添加し、かつ結晶引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と結晶成長軸方向の平均温度勾配（℃／ｍｍ）との比であるＶ／Ｇを制御して、かつ前記シリコン単結晶の中心の結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ_Ｃと外周部Ｇ_Ｅとの比率Ｇ_Ｅ／Ｇ_Ｃが１．４以上であるようなシリコン単結晶を作成する工程と、当該シリコン単結晶から切り出したシリコンサブストレートを非酸化性雰囲気下で１１５０〜１２５０℃、１０分以上２時間以下の条件で熱処理する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なＧａＮを提供する。
【解決手段】ガリウムを主成分とする１３族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む１３族元素の金属及び／又は該金属の窒素化合物１２を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤１４の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤１４は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料を収納する原料容器とサセプタとを備える成長容器と、該成長容器の内部空間の圧力を調整するためのガス導入部およびガス排出部と、を少なくとも備えた窒化物単結晶の製造装置を用い、昇華法によりサセプタ上に配置された種子基板上に窒化物単結晶を堆積させる窒化物単結晶の製造方法において、１００μｍ／ｈ以下の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第１段階と、成長容器の内部空間の圧力を減少させた状態で、１００μｍ／ｈ以上の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第２段階とを有したこと。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドコーティングを基板上に堆積させる方法に関し、該方法は、サブミクロン粒子を含有するピラミッド型の新規な形態のダイヤモンドを特徴とする、コーティングの作製をもたらす。該方法は、印加する電界を制御することによる化学気相成長法によって行う。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を結晶成長させる際に、サファイア単結晶中への気泡の混入をより抑制する。
【解決手段】チャンバ内に置かれたるつぼ中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液を得る溶融工程と、アルミナ融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程と、チャンバ内に、酸素と不活性ガスとを含み、酸素の濃度が０．６体積％以上且つ３．０体積％以下に設定された混合ガスを供給するとともに、融液からサファイア単結晶を引き上げて直胴部を形成する直胴部形成工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。 （もっと読む）