【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、ポリシラザンコーティングによる厚さ０．０２〜０．２ｍｍのシリカガラス膜からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、塩素又はフッ素濃度が５０〜１００００ｐｐｍ、厚さ０．０５〜０．２ｍｍの透明シリカガラスからなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、バルブを有する耐圧性容器内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において窒化物結晶を成長させる。その際に、バルブを介して、前記反応容器の外側と内側の圧力差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．５〜２００μｍのＳｉＯ_x膜（０＜ｘ＜２）からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．０５〜０．５ｍｍのホウケイ酸ガラスからなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶融中のシリカガラスルツボ外層から内層へ拡散される汚染を効果的に抑制しつつ、高強度かつ高純度のシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明に係るシリカガラスルツボは、ＯＨ基が０．１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下のシリカからなる内層と、前記内層の外側に形成されＯＨ基が２００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下のシリカからなる中間層と、前記中間層の外側に形成されシリカガラスまたは無機材料からなる外層と、から構成されている。より好ましくは、中間層が、酸素欠乏型欠陥の濃度が１×１０^１４atoms/cm^３以上１×１０^１８atoms/cm^３以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族および関連する単結晶半導体化合物が、封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によって成長する。
【解決手段】サポート・シリンダは、統合されて封止されたアンプル・るつぼ装置を支持し、その一方で、サポート・シリンダの内部の低密度断熱材が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料を貫通する輻射チャネルによって、シード・ウェルおよび結晶成長るつぼの移行領域に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボの座屈や沈み込みが抑制され且つ亀裂が入りにくいシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁が、前記ルツボの内面側から外面側に向かって天然シリカガラス又は合成シリカガラスからなるノンドープの内面層、及び鉱化元素が島状に偏在した鉱化元素偏在領域が分散している鉱化元素偏在シリカガラス層を備え、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とその周辺のガラス成分は、鉱化元素がドープされた天然シリカガラスとノンドープの合成シリカガラスの組み合わせ、又は鉱化元素がドープされた合成シリカガラスとノンドープの天然シリカガラスの組み合わせであり、前記内面層は、前記鉱化元素偏在領域のガラス成分とは異なる種類のガラス成分からなるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】長時間、高温に加熱しても、変形することが少ないシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明によれば、直胴部と、底部と、前記直胴部と前記底部をなめらかに接続する湾曲部とを有するシリカガラスルツボであって、前記シリカガラスルツボの壁は、内側から順に透明層及び気泡含有層を備え、前記直胴部の上端と下端の中間部分において、前記透明層の厚さに対する前記気泡含有層の厚さの比が０．７〜１．４であるシリカガラスルツボが提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液への不純物の混入のおそれなく、シリカガラスルツボの座屈や沈み込みを抑制することができるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いるシリカガラスルツボであって、前記ルツボの壁３の外表面から内表面に向かって厚さ２ｍｍの領域３ｃのシリカガラスのラマンスペクトルでの４９２ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ１と、６０６ｃｍ^−１におけるピークの面積強度Ｉ２の比Ｉ２／Ｉ１が０．６７〜１．１７であるシリカガラスルツボ。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ中の高温下において沈み込みが抑制された石英ガラスルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１０は、ルツボの外表面側に設けられた多数の気泡を含む不透明石英ガラス層１１と、ルツボの内表面側に設けられた透明石英ガラス層１２とを備え、不透明石英ガラス層１１は、ルツボ上部に設けられた第１の不透明石英ガラス部分１１ａと、ルツボ下部に設けられた第２の不透明石英ガラス部分１１ｂとを有している。第１の不透明石英ガラス部分１１ａの原料石英粉のＯＨ基濃度が第２の不透明石英ガラス部分１１ｂの原料石英粉のＯＨ基濃度よりも高いため、第１の不透明石英ガラス部分１１ａの比重は第２の不透明石英ガラス部分１１ｂの比重よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】廃ガラスを用いて、透明層を有するシリカガラスルツボを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶又は多結晶シリコンインゴット製造用のシリカガラスルツボ１の製造方法であって、前記ルツボ１は、ルツボ形状のシリカ粉焼結体３に対して、前記シリカ粉焼結体３をルツボ内面側からアーク溶融させて前記シリカ粉焼結体３の厚さ方向の全部又は一部をガラス化させる工程を備え、（１）前記アーク溶融時にルツボ外面側から前記シリカ粉焼結体３を減圧することと、（２）前記アーク溶融時に前記シリカ粉焼結体３の内面に合成シリカ粉を散布することによってルツボ内面に合成シリカガラス層５を形成すること、のうちの少なくとも一方の手段を備えるシリカガラスルツボ１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＸ（ＸはＳｃ及びＹを除く遷移金属、Ａｌ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＲ（ＲはＳｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】ルツボ回転軸から炉外への熱逃げを抑制することができ、しかも、製造コストを安価に抑えることのできる金属単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、シリコン体融液３を収納する石英ルツボ２と、石英ルツボ２を保持する黒鉛ルツボ４と、黒鉛ルツボ４を下部で固定保持するための受け皿５と、受け皿５を下部で支持し受け皿５及びルツボ２，４を回転させながら昇降させるルツボ回転軸６とを備えている。受け皿５とルツボ回転軸６との接合面には、低熱伝導部材１０が介在されている。低熱伝導部材１０は略管状に形成されており、低熱伝導部材１０の中央孔をルツボ回転軸６の凸部が挿通した状態で介在配置されている。これにより、受け皿５の底部下側に空隙部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造等、高温での使用環境下において、ふくれの発生を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】高融点金属に酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子を分散させたことを特徴とするルツボ１であって、前記高融点金属はタングステン、モリブデンまたはタングステンモリブデン合金のいずれか１種であることが好ましく、また、前記酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルの金属粒子またはその酸化物のいずれか１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の製造の際のルツボ自体に起因するシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有する石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスからなり、ルツボ形状を有するルツボ基材を準備する工程と、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ形状に加工した合成石英ガラス材を、前記ルツボ基材の内面に溶着する工程とを含む石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に大口径石英ガラスルツボを用いてシリコン単結晶引上げを行う際、内表面の結晶化物質の剥離を抑制でき、石英ガラスルツボの変形を抑制できるとともに、毒性が低く、取扱いが容易な石英ガラスルツボとその製造方法およびシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】モリブデン含有物質を石英ガラスルツボの内表面および／または外表面の全部または一部に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶を製造する際に転位の発生を抑制するシリコン単結晶の製造方法であって、石英るつぼ内表面に不純物層を形成することなく、またシリコン単結晶を製造していない無駄な時間を短縮できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英るつぼ内に収容された多結晶シリコンを溶融してシリコン融液とする溶融工程と、前記シリコン融液の融液面に種結晶を接触させ、前記シリコン融液に磁場を印加しながら前記種結晶を上方に引き上げることによりシリコン単結晶を育成する引き上げ工程とを有するＭＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
少なくとも、前記溶融工程後、前記引き上げ工程前に、前記シリコン融液に磁場を印加して放置する工程と、その後、磁場の印加を止めて放置する工程とを行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）