【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の結晶製造装置は、原料を含む反応容器１０１と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管１０８と、前記反応容器１０１の周囲に設けられた加熱用ヒーター１１１と、前記加熱用ヒーター１１１および前記反応容器１０１を覆う外側容器１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】内層の透明層が、外層の不透明層よりも厚いシリカガラスルツボであって、シリコン単結晶引上げに使用した後、ルツボの冷却時に割れることのない、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有し、外層４が不透明層、内層５が透明層からなり、前記透明層５が前記不透明層４よりも厚いシリカガラスルツボにおいて、前記底部１から前記コーナー部３にかけて透明層５内に、前記不透明層４と接触せず、かつ、ルツボ内表面に露出しないように、平均気孔径６０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度５０〜１００個／ｍｍ³の多孔質層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ終了後、ルツボの冷却時間を短縮し、シリコン単結晶の製造効率の向上を図るために、ルツボ外周に接するカーボンルツボへの伝熱性及び放熱性に優れたシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、第１層４は、透明シリカガラス、又は、平均気孔径１２０μｍ以下の気孔を含有し、気孔密度３０個／ｍｍ³以下の不透明シリカガラスにて、前記底部中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面において前記コーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、前記曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成し、第２層５は、平均気孔径８０〜１２０μｍの気孔を含有し、気孔密度４０〜８０個／ｍｍ³の不透明シリカガラスにて形成し、第３層６は、透明シリカガラスにて形成する。 （もっと読む）

本発明は、石英ルツボおよびその製造方法に関する。本発明による石英ルツボは、単結晶成長装置に使用される石英ルツボであって、シリカからなる内部層と、窒素が添加されたシリカからなり、前記内部層の外側に位置して前記内部層を取囲む外部層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げの際、ルツボ内の原料シリコンを溶融するための加熱開始直後に、外周に接するカーボンルツボと十分な密着性が得られるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】底部１と円筒状の側壁部２との間にアール状のコーナー部３を有する３層構造のシリカガラスルツボとし、底部２中央から、ルツボの中心を通る鉛直方向断面においてコーナー部３の最も曲率が大きい箇所とその曲率中心とを結ぶ直線に対して、曲率中心周りに±５°以内の位置にかけて形成された、ＯＨ基含有濃度が３０〜３００ｐｐｍの合成シリカガラスからなる厚さ１〜５ｍｍの第１層４と、天然シリカガラスからなる不透明層の第２層５と、天然シリカガラス、又は、Ｎａ、Ｋ、Ａｌの金属不純物含有量が各々１ｐｐｍ以下の高純度合成シリカガラスからなる透明層である第３層６とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液が貯留される石英坩堝２０の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材６０であって、石英坩堝２０よりも高温強度の高い材料からなり、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備え、この係止部６３によって、石英坩堝２０の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱衝撃性に優れると共に耐久性に優れるルツボを提供すること。
【解決手段】ルツボ２は，石英からなる内層２１とカーボン材料からなる外層２２とを有し，溶融状態のシリコン３を保持する。また，外層２２は，曲げ強度をＳ［ＭＰａ］，ポアソン比をν［−］，弾性率をＥ［ＧＰａ］，熱膨張係数をα［１０^−６／Ｋ］，熱伝導率をｋ［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，密度をρ［１０^３ｋｇ／ｍ^３］，比熱をｃ［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］としたとき，Ｒ＝Ｓ・ｋ・（１−ν）／（Ｅ・α・ρ・ｃ）［Ｋ・ｍ^２／ｓ］で表される熱衝撃破壊抵抗係数Ｒが，０．０８以上であり，かつ，バインダーピッチとコークスを配合し混練してなる混和物を粉砕して得られた成形粉をラバープレス成形してなる。 （もっと読む）

【課題】引き上げ法を用いたサファイア単結晶の製造において、るつぼ内に残存するアルミナの融液の固化に起因するるつぼの変形を抑制する。
【解決手段】サファイアインゴットの引き上げに用いられ、その原料となるアルミナ融液を収容するるつぼ２０は、円形状を有する底部２１と底部２１の周縁から立ち上がる円筒状の壁部２２とを備えており、底部２１の厚さである底部厚さＴｂが、壁部２２の厚さである壁部厚さＴｗよりも厚くなるように構成される。 （もっと読む）

本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
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【課題】包装済ルツボのハンドリングを人手に頼ることなく機械を介して実現する、包装済ルツボのハンドリングに適したクレーン装置を提供する。
【解決手段】包装済の石英ガラスルツボを配置した吊り上げ場所の上方と梱包用コンテナを配置した吊り降ろし場所の上方との間の経路上を往復動可能に、かつ該経路から前記吊り上げ場所および吊り降ろし場所のそれぞれにおいて前記経路に対して昇降可能に設置されるクレーン装置であって、前記昇降方向に延びる４本のアームを有し、該４本のアームを四角形の頂点に配置するとともに、該四角形の対角線上のアーム対を相互に進退可能に設け、各アームは先端に前記アームの進行方向に延びる爪を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クリーンな環境下にて、石英ガラスルツボを堅固に挟持し、確実に移動させることのできるハンドリング装置。
【解決手段】水平方向に延びるビーム２、及び、ビーム２の中心軸線方向に対し直交する方向にビーム２から突出し、少なくとも一方がビーム２の中心軸線方向に移動可能である一対のアーム３を具えるフレーム４の、一対のアーム３に組み付けられた、石英ガラスルツボ５の胴部５０をルツボの径方向に挟持する相互に対向する一対の挟持手段６、各挟持手段６に隣接して設けられ、石英ガラスルツボ５をルツボの中心軸線方向に挟んで掛止するルツボの中心軸線方向に近接離間可能な一対の舌片からなる掛止手段７、並びに、挟持手段６及び掛止手段７をアーム３に沿って往復運動させる駆動手段８を具える石英ガラスルツボ５のハンドリング装置１である。 （もっと読む）

【課題】濡れ性を石英ガラスるつぼ内表面に作り出すことによって、この石英ガラスるつぼを用いてシリコン単結晶を引き上げる際にシリコンメルトの湯面振動を抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法を提供する。
【解決手段】回転する上部開口型１を使用してシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼを製造する方法であって、（ａ）二酸化珪素粉末６を前記型１内に供給して、該型１内面に沿って成型体を形成する工程、（ｂ）前記前成型体を加熱溶融して、半透明石英ガラス製るつぼ基体３を形成する工程、（ｃ）このるつぼ基体３の形成中もしくは形成後に、該るつぼ基体３内の高温ガス雰囲気中８に二酸化珪素粉末６を供給し、内壁面に向って飛散融合させて透明石英ガラス層４を形成する工程からなり、製造された石英ガラスるつぼの内表面の表面張力を５０ｍＮ／ｍ以下に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状を小さくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。
【解決手段】底部及び底部周縁から立ち上がる壁部を有し、アルミナ融液（原料融液）３００を収容する坩堝２０と、坩堝２０を加熱する加熱コイル（加熱手段）３０と、坩堝２０の壁部の外側を含む第１の領域に配置された断熱容器（第１の断熱部材）１１と、坩堝２０の底部の外側中央部を含む第２の領域に配置され、断熱容器１１より熱伝導性が低い断熱部材（第２の断熱部材）１６と、坩堝２０に収容されたアルミナ融液（原料融液）３００から柱状の単結晶２００を引き上げる引き上げ棒（引き上げ手段）４０と、を備える単結晶引き上げ装置１。 （もっと読む）

【課題】耐久性にすぐれたシリコン単結晶製造装置用ルツボ保護シートを提供する。
【解決手段】黒鉛ルツボと石英ルツボとの間に配されるルツボ保護シート２１は、黒鉛シート材２２と、この黒鉛シート材２２の一面に形成された炭化ケイ素層（ＳｉＣ層）２３とからなり、黒鉛シート材２２は、膨張性黒鉛、例えば、炭素繊維を含む。前記ルツボ保護シート２１は、複数回の単結晶製造工程に渡って反復利用することが可能となるので、シリコン単結晶製造のコストや廃棄物の減量による環境負荷の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高寸法精度を有し、炭素及びＯＨ基の含有量が極めて少ないシリカ容器を、シリカを主成分とする粉体を主原料として、低コストで製造できるシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】回転対称性を有するシリカ基体５１を備えてなるシリカ容器７１を製造する方法であって、減圧用の孔を有する外型枠を回転させながら、外型枠の内壁に基体用原料粉（シリカ粒子）を導入し、所定形状に仮成形する工程、除湿により所定の露点温度以下とした、Ｏ_２ガスと不活性ガスとを含む混合ガスを、仮成形体の内側から供給し、外型枠内のガスを換気して、外型枠内における湿度を調整しつつ、仮成形体を外周側から減圧しながら、炭素電極による放電加熱溶融法により仮成形体の内側から加熱することによって、仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、内側部分を溶融ガラス体とし、シリカ基体５１を形成する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新たな真空紫外発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式ＬｉＬｕ_１−ｘＴｍ_ｘＦ_４で表わされ、ｘが０．０００１〜１、より好ましくは０．００５〜０．１の範囲である金属フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新たな金属フッ化物結晶及び真空紫外発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式ＬｉＬｕ_{１−ｘ−ｙ}Ｎｄ_ｘＭ_ｙＦ_４で表わされ、ＭがＴｍまたはＥｒであり、ｘが０．０００１〜０．２、ｙが０．０００１〜（１−ｘ）の範囲であることを特徴とする金属フッ化物結晶、及び当該金属フッ化物結晶からなる真空紫外発光素子である。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 （もっと読む）