溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】引き上げによって得られる単結晶における残留応力を低減することができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】底部２１および底部２１の周縁から立ち上がる壁部２２を有し、アルミナ融液を収容するるつぼ２０と、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回され、交流電流の供給によって壁部２２を誘導加熱する加熱コイル３０と、るつぼ２０の上方に配置され、るつぼ２０に収容されるアルミナ融液からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、るつぼ２０の底部２１の下方であって引き上げ棒４０にて引き上げられるサファイアインゴット２００の下方且つ内側に配置され、加熱コイル３０によって誘導加熱されることによりるつぼ２０の底部２１の中央部を加熱する筒状ヒータ１６とを含む単結晶引き上げ装置。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法では、内面に剥離材をコーティングし焼成した坩堝に溶融原料を供給する工程と、前記坩堝内で前記溶融原料を固化させ、溶融原料の残量が３０％以下となる段階で、結晶片を溶融層に浸漬し、結晶の表面に突出部を形成する工程と、前記突出部を利用して前記結晶を前記坩堝から取り出す工程を、同じ坩堝を再利用して繰り返し行う。また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。また、前記坩堝に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。 （もっと読む）

【課題】原料融液が充填された高温下での変形や歪みが抑制され、かつ、ブラウンモールドの発生が抑制され、しかも、ルツボに起因する不純物汚染を招くことなく、シリコン等の半導体単結晶を歩留まりよく引上げるのに好適なシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向における外層が天然質シリカガラス、内層が合成シリカガラスからなるルツボの製造方法において、外層および内層を、それぞれ、天然シリカ質原料粉および合成シリカ原料粉を減圧アーク溶融によりガラス化して形成し、少なくとも直胴部における外層と内層の総厚さが６〜１６ｍｍ、内層の厚さが総厚さの５〜４０％、かつ、内層におけるＮａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｃａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｕのいずれの濃度も０．１ｐｐｍ以下、外層におけるＮａ濃度が０．２ｐｐｍ以下、ルツボ内表面から深さ０．５ｍｍ以下の領域において直径２０μｍ以上の気孔が２０個／ｍｍ²以下となる構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボにおいて、耐久性を確保すると共に、ルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ上端６から下方に所定距離までのルツボ上端領域１０が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層５ａと、天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４とで形成された２層構造からなり、前記ルツボ上端領域の下端から側部７、底部９と底部コーナー８との間の曲率変化点を基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層２と、前記ルツボ上端領域の不透明外層から連続して形成された不透明中間層３と、前記透明内層とで形成された３層構造からなり、前記底部が、前記側部における前記不透明中間層から連続して形成された不透明外層５ｂと、前記透明内層とで形成された２層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B₂O₃）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）

【課題】高温強度、特に底部と側壁部とを連結する角部の高温強度に優れるモリブデン製ルツボを提供すること。
【解決手段】純度９９％以上のモリブデンからなり、底部２と側壁部３とが角部４を介して連結された上部開放の有底筒状のモリブデン製ルツボ１であって、前記モリブデンは、粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下のモリブデン結晶粒の割合が粒子数の割合で９０％以上であるもの。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液中にＣが溶け込んだＳｉＣ溶液１０２からＳｉＣ単結晶１２０を製造する方法であって、ＳｉＣ溶液１０２を収容した黒鉛坩堝１０４の上部開口端１１２で、円板状のＳｉＣ種結晶１１４のａ面を含む円周面をＳｉＣ溶液１０２に側方から接触させ、種結晶１１４の円周面にＳｉＣ単結晶１２０を成長させつつ、成長の速度に同期させて、円板状のＳｉＣ種結晶１１４を板面に垂直なｃ軸周りであるＲ方向に回転させると同時に回転の軸１１６を上部開口端１１２からＴ方向に遠ざけることにより成長するＳｉＣ結晶１２０を巻き取って、連続的に円板状のＳｉＣ単結晶１２０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層（失透）を発生させると同時に単結晶中のＬｉ濃度を制御することにより、単結晶育成時の有転位化を防止し、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理で酸化膜厚のばらつきを抑制でき、長時間に亘る単結晶引き上げの操業に際しても単結晶歩留まりと生産性を向上させることを、低コストの定電圧電源装置を用いて行う方法を提供する。
【解決手段】原料融液３から単結晶４を引き上げた後、ヒーター２の電源１０を落とさずに残りの原料融液３に多結晶原料を追加投入して融解した後、次の単結晶４を引き上げ、これを繰り返して複数の単結晶４の引き上げを行う方法において、最初の単結晶４の引き上げを行い、その後最初の原料溶融開始から所定時間が経過してから、石英坩堝１ａの外壁と単結晶４を引き上げる引上ワイヤー又は引上シャフト５に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料を短時間で溶融でき、且つ、不透明石英ガラス層の経時的な変態によってシリコン単結晶の製造歩留まりを向上させることが可能な石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】 石英ガラスルツボは、外表面側に設けられた多数の気泡を含む不透明石英ガラス層１１と、内表面側に設けられた実質的に気泡を含まない透明石英ガラス層１２とを備えている。不透明石英ガラス層１１に含まれる気泡の径分布は、直径が１０〜３０μｍの直径を有する気泡が１０％以上３０％未満、４０〜９０μｍの直径を有する気泡が４０％以上８０％未満、９０μｍ以上の直径を有する気泡が１０％以上３０％未満である。不透明石英ガラス層１１中の比較的小さな気泡は引き上げ工程の初期の段階からルツボの伝熱性に寄与し、比較的大きな気泡は長時間の引き上げ工程を経ることによって膨張し、引き上げ工程の後半でルツボの保温性に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造のために適したシリコンを製造するための坩堝を製造するための焼結体に関する。本発明の構成では、該坩堝が、複数の構成部分から形成されていて、少なくとも１つの閉じられていない接合ギャップを有している。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ時の熱膨張が少なく、高い単結晶歩留りを得ることができる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボは、アルゴン雰囲気２０torr下において温度１５００℃で１０時間加熱する基準加熱条件下でのルツボの壁部、コーナ部及びボトム部の各部位の膨張率が何れも８％以下であり、ルツボ各部位相互の膨張率差が５.５％以下であり、ルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率が０.０５％以上〜０.４％以下であることを特徴とし、例えば、石英粉を加熱溶融して石英ガラスルツボを製造する際に、１８００℃以上で５分以上加熱してガラス化し、かつルツボ内表面から外表面までの全壁厚方向の気泡含有率を０.０５％以上〜０.４％以下に調整することによって、ルツボ各部位の熱膨張を抑制する。 （もっと読む）