【課題】１０ＭＰａ以下の低圧または常圧において良質な化合物結晶を工業的に安く製造すること。
【解決手段】化合物ＡＢＸをイオン性溶媒に溶解した溶液中で化合物ＡＸを結晶成長させる際に、溶液中の溶質成分ＢＸの濃度を調整することにより、化合物ＡＸの結晶成長速度を制御する［前記Ｂは１族金属元素または２族金属元素であり、前記Ａは第１３族金属元素であり且つ前記Ｘは第１５族元素であるか、前記Ａは第１２族金属元素であり且つ前記Ｘは第１６族元素であるか、または、前記Ａは第１４族元素であり且つ前記Ｘは炭素元素である］。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶を含有し、｛１１３｝面、｛０１２｝面、｛１０４｝面、｛１１０｝面、｛１０１｝面、｛１１６｝面、｛２１１｝面、｛１２２｝面、｛２１４｝面、｛１００｝面、｛１２５｝面、｛２２３｝面、｛１３１｝面、および｛３１２｝面からなる群から選択される少なくとも１つの結晶面を有することを特徴とする人工コランダム結晶を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成中に、ルツボ材料やカーボン蒸気と原料融液との反応に起因する内包物の生成が抑制され、高品質なサファイア単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン系ヒータ３，４又はカーボン系断熱材５を用いたチャンバ６内に、モリブデン、タングステン、もしくはそれらの合金製のルツボ１を設置し、このルツボ１にサファイア原料粉末を装入し、雰囲気ガスを予め不活性ガスで置換した後、ルツボ１を直接加熱してサファイア原料粉末を溶融し、得られた原料融液１０に種結晶１１を接触させて成長結晶１２を引き上げる融液成長法によるサファイア単結晶の製造方法において、前記雰囲気ガスは、不活性ガスと一酸化炭素ガスの混合ガスであり、かつ、一酸化炭素ガスの含有量が、カーボン蒸気又はルツボ材料とサファイア原料融液との反応に起因する内包物の生成を抑制するのに十分な量であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶成長用ルツボＣは、貯留するシリコン融液との接触面にシリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１、溌液層Ｃ２、石英ガラス層Ｃ３、カーボン層Ｃ４から構成され、シリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１の製造方法は、原料ＳｉＣ粉末を、シリコン融液を貯留する空間を有する形状に成形するＳｉＣ粉末成形工程と、成形されたＳｉＣ粉末成形体を焼成し多孔質ＳｉＣ層を形成する焼成工程と、多孔質ＳｉＣ層に溶融したシリコンを含浸させ、シリコン含浸ＳｉＣ層を形成するシリコン含浸工程とを有する。前記シリコン含浸工程は、シリコン結晶引き上げ前のシリコン原料を加熱溶融する時に行っても良い。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるサファイア単結晶の製造において、単結晶を安定的に成長させ、均一性にすぐれた結晶品質が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱コイル（加熱手段）３０を用いて坩堝２０を加熱し坩堝２０中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液３００を得る第１の工程と、加熱コイル３０により坩堝２０を加熱しつつ坩堝２０中のアルミナ融液３００からサファイアインゴット２３０を引き上げて成長させる第２の工程と、を有し、第２の工程において、サファイアインゴット２３０の成長に伴うアルミナ融液３００の液面Ｓの下降に追随し、且つ、加熱コイル３０の最上部位置Ｔと液面Ｓとの距離Ｈが一定範囲内となるように加熱コイル３０を下降させることを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶の製造方法、ＳｉＣ結晶、およびＳｉＣ結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。坩堝１０１と、坩堝１０１の外周を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。坩堝１０１内に原料１７を配置する。坩堝１０１内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。坩堝１０１内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、坩堝１０１の種結晶１１側の外表面１０１ａと、断熱材１２１との間に、空間からなる放熱部１３１を配置する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶の結晶性を良好にすることができる、ＳｉＣ結晶、その製造方法、その製造装置および坩堝を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。本体部１０２を含む坩堝１０１と、本体部１０２を覆う断熱材１２１とを含む製造装置１００を準備する。本体部１０２内に原料１７を配置する。本体部１０２内において、原料１７と対向するように種結晶１１を配置する。本体部１０２内において、原料１７を加熱することにより昇華させて、種結晶１１に原料ガスを析出することによりＳｉＣ結晶を成長する。製造装置１００を準備する工程は、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ側に、断熱材１２１よりも熱伝導率の高い放熱部１３１を配置するとともに、放熱部１３１で、または、放熱部１３１と断熱材１２１とで、本体部１０２における種結晶１１側の外表面１０２ａ全体を覆う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

本発明は、溶融鋳型内に粒子層を形成させ、該粒子層を石英ガラスるつぼの形成下に焼結又は溶融させることによる、単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの公知の製造法をベースとしている。高純度である点で傑出しており、かつ、気泡不含となるように再現性よく調節することを可能にするばかりでなく、所定の均一な細孔性をも可能にする、石英ガラスるつぼのための石英ガラスの廉価な製造を提供するために、本発明によれば、該粒子層の少なくとも一部をシリカガラス顆粒から作製し、その製造が以下の方法工程を含むことが提案される：実質的に均一な回転楕円状のモルホロジーを有する圧縮成形体の形成下に、シリカ粉末をロールブリケッティング法を用いて機械的に圧密化する工程、及び該圧縮成形体又は該圧縮成形体の破片を熱的に圧密化し、シリカガラス顆粒にする工程。
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【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容するルツボを支持、保持するために用いられる炭素繊維強化炭素複合材ルツボであって、底部湾曲部において、皺あるいは重ね合わせの段差部分をなくし、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部を有する底部３と、前記底部湾曲部から上方に延びる直胴部２とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ１であって、前記底部３と直胴部２が、炭素繊維の縦糸と横糸とを交互に織り上げた炭素繊維織布１１，１２，１３（１０）を複数枚、貼り合わせることにより形成されると共に、前記底部湾曲部に位置する炭素繊維織布の縦糸と横糸の軸線が、ルツボ周方向に対し斜め方向に形成されている。 （もっと読む）

【課題】速い育成速度と高い結晶品質とを両立することができる、アモノサーマル法による窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ３内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料６として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤をアンモニアに添加して、アモノサーマル法により窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、オートクレーブ３内には、窒化物多結晶を配置する部位９と、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０とが存在しており、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０の温度Ｔ１は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、窒化物多結晶を配置する部位９の温度Ｔ２よりも、平均温度で、高く保持され、そして耐腐食性オートクレーブ３内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている。 （もっと読む）

【課題】シールド部の材料を強固にすることにより、繰り返し使用可能回数を向上させた、１３族元素窒素化合物の結晶を製造するための圧力容器の提供。
【解決手段】温度６００℃〜８５０℃、及び圧力３０ＭＰａ〜２５０ＭＰａのアンモニア雰囲気下で、１３族元素窒素化合物の結晶を製造するための圧力容器であって、該アンモニア雰囲気に接する該圧力容器のシールド部の材料が、イリジウムと白金の合金又はイリジウム単体であり、ここで、イリジウムが、該シールド部の材料の全体に対して、２０重量部〜１００重量部で含有されていることを特徴とする圧力容器。 （もっと読む）

方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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【課題】シリコン単結晶引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、クリストバライト化の進行が抑制された石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１１１を作製した後、前記作製した石英ガラスルツボの外面側を研削することにより、あるいは、石英ガラスルツボの外面を熱処理することにより、前記作製した石英ガラスルツボ１１１の外層部１４２に存在するシリカの結晶相１５１を除去する。この結果、前記石英ガラスルツボ１１１の全体が石英ガラス１２１からなり、前記石英ガラスルツボ１１１の外層部１４２にシリカの結晶相１５１が実質的に存在しない石英ガラスルツボ１１１が得られる。 （もっと読む）

【課題】アルミナ、イットリアまたはイットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる反応容器内にナトリウムを含む融液を収容した状態でフラックス法によって単結晶を育成した後に、反応容器を再生し、次の単結晶育成時に透明な単結晶を育成できる方法を提供する。
【解決手段】アルミナ、イットリアまたはイットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる反応容器内にナトリウムを含む融液を収容した状態でフラックス法によって単結晶を育成する。次いで、反応容器を超音波洗浄し、次いで反応容器を酸化性雰囲気下で１３００〜１６００℃で５〜２０時間にわたって加熱することによって，反応容器を再利用可能とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉱化剤を含有する溶液を入れた容器１内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器１および容器１内に設置される部材５、６の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ｔａ）、タングステン(Ｗ)およびチタン(Ｔｉ)からなる群より選択される１種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ（Ｒａ）が１．８０μｍ未満となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温強度、特に底部と側壁部とを連結する角部の高温強度に優れるタングステン製ルツボを提供すること。
【解決手段】純度９９．９％以上のタングステンからなり、底部２と側壁部３とが角部４を介して連結された上部開放の有底筒状のタングステン製ルツボ１であって、前記タングステンは、粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下のタングステン結晶粒の割合が粒子数の割合で９０％以上であるもの。また、焼結工程やＨＩＰ焼結により製造する。 （もっと読む）