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Fターム[4G077EG02]の内容

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Fターム[4G077EG02]に分類される特許

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【課題】 シリコン単結晶を製造する際のシリコン単結晶の有転位化を回避し、かつ、高い耐熱性を有し、生産性、歩留まりの低下を抑制することができる石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにそのような石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、石英ガラスからなり、ルツボ形状を有するルツボ基材を準備する工程と、直接法又はスート法により合成石英ガラス材を作製する工程と、前記合成石英ガラス材を、粉砕することなくルツボ形状に加工する工程と、前記ルツボ基材の内壁と、前記ルツボ形状に加工された合成石英ガラス材の外壁とをシリカ粉末を介して熱処理を行って接着させる工程と、を含むことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶引上げに用いられる石英ルツボを内側に装入して保持するカーボンルツボであって、強度特性に優れ、かつ、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部1を有する底部2と、湾曲部1から上方に延びる直胴部3とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボにおいて、少なくとも湾曲部1において、ルツボ最内層及び最外層が炭素繊維織物の積層体11,12からなり、これらの積層体11,12の間に少なくとも1層の膨張黒鉛シート21が挟み込まれている構成とする。 (もっと読む)


【課題】 大型、高寸法精度、高耐久性の、シリカを主な構成成分とするシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、シリカを主な構成成分とし、回転対称性を有するシリカ基体を形成し、該シリカ基体の内表面上に、シリカゾルからゾル−ゲル法によって透明シリカガラス層を形成するシリカ容器の製造方法。 (もっと読む)


【課題】装置が煩雑化することなく、カーボンルツボから発生した炭素含有ガスを効率よく炉体外に排出することができ、製造コストの増加を招くことがなく、低炭素濃度のシリコン単結晶を引上げることができるシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置1は、石英ルツボ10aを内面に保持するカーボンルツボ10bを備え、前記カーボンルツボ10bの上端10baに積載されて設けられ、前記カーボンルツボ10bの上端上方の第1空間S1を通過するキャリアガスGの一部を遮蔽し、前記第1空間S1の下部であり前記カーボンルツボ10bの上端直上の第2空間S2を通過するキャリアガスGの流速を高める円筒形状の整流部を備えた整流部材40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶引き上げ中の高温下において沈み込みが抑制されたシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボの製造では、中空状のモールドを回転させながらモールド内にシリカ粉を供給してシリカ粉層を形成し、シリカ粉層を加熱溶融してシリカガラス層を形成する。シリカ粉層を形成する工程は、ルツボの上端から当該上端よりも下方の第1の中間位置までの範囲に属するルツボ上部に相当するモールド内の所定の位置に第1のシリカ粉を供給する工程と、第1の中間位置からルツボの下端までの範囲に属するルツボ下部に相当するモールド内の位置に第2のシリカ粉を供給する工程と、第1及び第2のシリカ粉に覆われたモールドの内面に第3のシリカ粉を供給する工程とを含み、第1のシリカ粉の粒度分布は第2のシリカ粉の粒度分布よりも広く且つより多くの微粉を含む。 (もっと読む)


【課題】 中性子線に対する感度が高く、かつγ線に由来するバックグラウンドノイズが少ない中性子検出用シンチレーターに好適なコルキライト型結晶、当該結晶からなる中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器を提供する。
【解決手段】 アルカリ金属元素を含有し、且つLiの同位体比が20%以上であるコルキライト型結晶(例えばNaを含有するLiCaAlF等の結晶)、及び当該コルキライト型結晶からなる中性子検出用シンチレーターならびに中性子線検出器である。 (もっと読む)


【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するCZ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が2以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を得る。
【解決手段】 原料を充填する充填部を有する坩堝と、坩堝の蓋となる蓋体と、蓋体に充填部に対向して設けられた種結晶を取り付ける台座と、坩堝から前記台座に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイドと、充填部の上部に設けられた、その上面が単結晶多結晶分離用ガイドに対向して設けられ単結晶多結晶分離用ガイドを下方から放射加熱する放射面である、原料ガス整流ガイドとを備えることにより、分離用ガイドの温度を台座に取り付けられた種結晶より高温にする。 (もっと読む)


【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ1を保持する黒鉛ルツボ2は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材3と、黒鉛ルツボ基材3の表面全体に形成されたフェノール樹脂の炭素化物からなる被膜4とから構成されている。フェノール樹脂は黒鉛ルツボ基材3表面に存在する開気孔5の内部まで含浸されている。被膜4の形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、SiC化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部(小R部)のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 (もっと読む)


【課題】MBE成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置62において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面90になされた原料保持体64と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面90に沿って流下させる原料液体貯留部66と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段68とを備える。 (もっと読む)


【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ1を保持する黒鉛ルツボ2は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材3と、黒鉛ルツボ基材3の表面全体に形成された熱分解炭素被膜4とから構成されている。被膜4は黒鉛ルツボ基材3表面に存在する開気孔の内面まで生成されている。この被膜4はCVI法によって形成されたものである。被膜4形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、SiC化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部(小R部)のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 (もっと読む)


【課題】高周波誘導加熱によりるつぼ内のサファイア粉末を溶解させてサファイア単結晶を引き上げ成長させる装置において、るつぼの低価格化を図る。
【解決手段】サファイア単結晶引上成長装置において、るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の内周面および外周面に筒形状の軸方向に沿って延長する複数の溝を形成し、複数の溝は、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の周面に対して、外周面の溝と内周面の溝とが互いに交互にずれて位置するように配置した。 (もっと読む)


【課題】内表面の状態(ルツボ内表面特性)などが適切に制御されたシリカガラスルツボを製造する。
【解決手段】回転するモールド10内で、シリカ粉末からなるシリカ粉層11を複数本の炭素電極13によるアーク放電で加熱熔融し、シリカガラスルツボを製造する方法であって、上記シリカ粉層11の複数箇所について、加熱熔融時における最適熔融温度を予め求めておく予備工程と、上記複数箇所の加熱熔融時の実温度を測定する温度測定工程と、上記最適熔融温度になるように、上記複数箇所の上記実温度を制御する温度制御工程とを有するシリカガラスルツボの製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に成形し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、シリカ粉層の内表面に設定した複数の測定点の温度を測定し、各測定点にて熔融の初期に現れる最初の温度の極大点Tpを検知する。 (もっと読む)


【課題】シリカガラスルツボ製造時の熔融状態を制御して、シリコン単結晶製造時のルツボ内表面のブラウンリング発生を防止し、湯面振動を抑制するシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリカガラスルツボ製造方法は、原料シリカ粉をルツボ成形用のモールド内に供給してシリカ粉層を形成し、そのシリカ粉層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する方法であって、原料シリカ粉を前記モールド内部に供給してシリカ粉シリカ粉層を形成するシリカ粉供給工程と、複数本の炭素電極によるアーク放電でシリカ粉シリカ粉層を熔融するアーク熔融工程とを有し、前記アーク熔融工程では、前記シリカ粉層の温度を測定し、上記アーク熔融工程の初期に現れる最初の温度の極大点Tpを基準温度とし、上記基準温度に基づいてシリカガラス熔融状態を制御する。 (もっと読む)


【課題】耐熱強度が高く長時間の引き上げに使用することができ、さらに低コストで製造可能なルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合ルツボ10は、石英ガラスルツボ本体11と、ルツボの上端部に設けられた補強層14を備え、補強層14は、アルミナとシリカを主成分とするムライト質な材料で構成されている。石英ガラスルツボ本体11は、ルツボの外表面側に形成された不透明石英ガラス層12と、ルツボの内表面側に形成された透明石英ガラス層13とを備えており、不透明石英ガラス層12と補強層14はルツボの外層を構成しており、透明石英ガラス層13はルツボの内層を構成している。 (もっと読む)


【課題】内表面の状態(ルツボ内表面特性)などが適切に制御されたシリカガラスルツボを製造する。
【解決手段】回転するモールド10内で、シリカ粉末からなるシリカ粉層11を複数本の炭素電極13によるアーク放電で加熱熔融し、シリカガラスルツボを製造する方法であって、上記シリカ粉層11、上記熔融時に発生するヒューム、上記アーク放電で生じるアーク火炎からなる群より選ばれる1以上について、加熱熔融時における最適温度を予め求めておく予備工程と、最適温度が求められた上記群より選ばれる1以上について、加熱熔融時における実温度を測定する温度測定工程と、実温度が測定された上記群より選ばれる1以上について、最適温度になるように、実温度を制御する温度制御工程とを有するシリカガラスルツボの製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリカガラスルツボの製造において製造中に正確な温度測定を可能とすること。
【解決手段】シリカ粉末をルツボ成形用のモールド内に供給してシリカ紛層を形成し、そのシリカ紛層をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボを製造する装置であって、
シリカ粉を供給してシリカ紛層を形成するためのモールドと、複数本の炭素電極および電力供給部とを具備するアーク放電部と、少なくとも前記モールド内の熔融部分の温度測定を行う温度測定部とを有し、
前記温度測定部が、波長4.8〜5.2μmの放射エネルギーを検出して温度を測定する放射温度計とされてなる。 (もっと読む)


【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ0.05〜0.5mmのホウケイ酸ガラスからなる最内層と、OH基濃度が30ppm未満、厚さ3〜5mmの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 (もっと読む)


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