【課題】モールド上部の断熱性（保温性）を向上させて、アーク加熱時の均熱性および熱効率を向上させることにより、石英ルツボ上部の径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減する。
【解決手段】円筒状の直胴部と、すり鉢状の底部と、これらを連接するコーナー部とをそなえる石英ルツボ製造用モールドにおいて、該モールドの円筒状直胴部の上端から少なくとも１／５の上部領域を、高断熱構造とする。 （もっと読む）

本発明は、ホウ素（Ｂ）またはホウ素含有化合物の少なくとも一種を＜１９ｐｐｍｗの濃度で含み、さらに、リン（Ｐ）またはリン含有化合物を＜３．７ｐｐｍｗの濃度で含む再利用可能な窒化ケイ素含有ルツボ、および、シリコン結晶化のためのかかるルツボの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高温強度、特に底部と側壁部とを連結する角部の高温強度に優れるタングステンモリブデン合金製ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを１〜６０質量％、残部モリブデンからなるタングステンモリブデン合金からなる底部２と側壁部３とが角部４を介して連結された上部開放部を有する有底筒状のタングステンモリブデン合金製ルツボ１であって、平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、当該ルツボ１の製造方法は、タングステン粉末とモリブデン粉末を混合する混合工程と、圧力１ｔｏｎ/ｃｍ^２以上のＣＩＰ成形にてルツボ形状に成形する成形工程と、水素雰囲気中１４００℃以上の温度で焼結する第一の焼結工程と、還元雰囲気中または不活性雰囲気中２０００℃以上の温度で焼結する第二の焼結工程からなる粉末焼結法により製造する。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ中に、石英ガラス製ルツボの減肉判定を容易かつ正確に実施できる石英ガラス製ルツボを提供する。
【解決手段】上面に開口した縁部を有する円筒状の直胴部と、すり鉢状の底部と、それらを連接するコーナー部とを備える石英ガラス製ルツボ１であって、少なくとも直胴部の内壁面の水平線上、１箇所または２箇所以上に凹部２または窪み群３を設ける。凹部の幅は、１〜５００μmとし、その深さは、１μm以上とする。 （もっと読む）

【課題】 高寸法精度、高耐熱性を有するシリカ容器を低コストで製造できるシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下である基体形成用原料粉と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを合計で５０〜２０００ｗｔ．ｐｐｍ含有する内層形成用原料粉を作製し、型枠内で基体の仮成形体を形成し、その内表面上に内層の仮成形体を形成し、水素若しくはヘリウム又はそれらの混合ガスを１０ｖｏｌ．％を超える比率で含有するガス雰囲気にて、放電加熱溶融法により基体と内層の仮成形体の内側から加熱することによって、基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、基体の仮成形体の内周部分及び内層の仮成形体を溶融ガラス体とすることにより、外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを有するシリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボのコーナ部にガス抜き孔が設けられていることを特徴とする。当該ガス抜き孔を通じて、石英ルツボと黒鉛ルツボとの反応により発生するガスを外に放散させて、黒鉛ルツボ表面でのＳｉＣ形成、ガス圧による石英ルツボ変形を防止する。 （もっと読む）

本発明は、固有るつぼを用いて半導体材料からＦＺ法による材料特性を有する単結晶を製造する方法および装置に関する。この方法により、公知の方法の典型的な欠点を解消するのが望ましい。チョクラルスキー法では、るつぼにより融解物ひいては結晶が汚染され得る。ペデスタル法では、引き上げられる単結晶は、常に、用いられる素材棒よりも小さな直径を有している。本発明によれば、単結晶（６）が、誘導体（４）の中央開口（５）を通って引き上げられ、誘導体は、平らなディスクとして構成され、高周波磁界透過性の容器（１）内に存在する半導体材料（２）から成る粒状の堆積物の上側に配置されている。誘導体（４）は、追加的な開口を備えており、開口を通って再充填装置（１０）を介して半導体材料が再充填可能である。粒状の半導体材料は、溶融池（７）のための容器としていわゆる「固有るつぼ」を形成する。溶融池（７）の大きさは、溶融池の上側に配置される誘導体（４）によりコントロールされる。溶融池（７）が中央で結晶化相境界の下側で大きな結晶直径にとって十分な深さを有するために、追加的な誘導加熱装置（８，９）が設けられている。誘導加熱装置（８，９）は、好適には複数巻きのコイルとして構成されており、その巻体は、容器の周りに配置されている。この方法を実施するための装置が提案される。
（もっと読む）

【課題】チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、サファイア単結晶からなるサファイアインゴット２００を成長させるための加熱炉１０を有している。断熱容器１１の内側下方には、アルミナ融液３００を収容するるつぼ２０が配置されている。断熱容器１１の内側且つるつぼ２０の外側にあって、るつぼ２０の壁部２２を取り巻くように設けられた発熱体１７を備えている。そして、発熱体１７の内側且つるつぼ２０の外側にあって、るつぼ２０の壁部２２を取り巻くように設けられ、発熱体１７の構成材料がるつぼ２０内のアルミナ融液３００に混入するのを防止する遮蔽体１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】 内部に充填したシリコン融液の湯面振動を安定して抑制することができ、かつ長寿命のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 周壁部、湾曲部および底部を有するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボであって、該石英ガラスルツボは、前記周壁部の内面の特定領域に、複数個の微小凹部を具え、該微小凹部の下方位置に、複数個の気泡を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内層中の気泡ができるだけ少ない石英ルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボが、内部のシリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を引き出すことができる形式のモールドキャビティにおいて製造される。シリカ粒子１６の層がモールドキャビティ内に形成され、ヘリウム、窒素、水素又はそれらの混合物を含み得るガスがモールドキャビティに導入される。シリカ粒子１６の層は、シリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を実質的に引き出すことなく加熱される。その後、シリカ粒子１６の層の少なくとも一部がシリカ粒子１６を介して周囲雰囲気を引き出しながら溶融される。ガスがモールドキャビティ内の空気を追い出すことで、窒素酸化物及びオゾンを低減させる。 （もっと読む）

【課題】石英ガラス製ルツボの品質評価用の試料およびその試料の作製方法とその試料を用いた品質等の評価方法およびその試料の作製装置とを提供する。
【解決手段】石英ガラス製ルツボの中心を含む方向にＵ型またはＪ型に切出した一次試料を、該一次試料の切出し方向に垂直かつ該一次試料の厚み方向に切出した二次試料に、該石英ガラス製ルツボの内壁面と外壁面を残し、これら内壁面と外壁面の間に複数の切込みを入れることにより設けた複数の短冊状部分を有する品質評価用試料を作製し、評価に用いる。 （もっと読む）

【課題】溶液法によってＳｉＣ単結晶を製造する際、ＳｉＣ多結晶の析出を抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の原料となる原料融液１を収容するための黒鉛坩堝２と、該黒鉛坩堝２の周囲に配置された加熱手段３と、前記黒鉛坩堝２の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部５とを備え、該種結晶保持部５の下端に保持された種結晶４を前記黒鉛坩堝２内の原料融液１に浸漬させることにより種結晶４の下にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝２の内壁と前記原料融液１の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝２の内壁上に断熱材６が配置される。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって安定した品質のＳｉＣを長時間製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。ここで、ＳｉＣを補給する工程は、溶液３内であってＳｉＣ種結晶基板９の支持棒５と黒鉛坩堝２との間に設けたＳｉＣ製の遮蔽壁４から補給する工程である。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボの製造中に、正確なヒューム発生量の測定を可能とし、内表面の特性の低下を防止できるとともに、原料熔融状態の制御がリアルタイムで可能なシリカガラスルツボの製造装置及びシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ粉をモールド１０内に供給してシリカ粉層を形成し、このシリカ粉層１１をアーク放電によって加熱熔融してシリカガラスルツボ５０を製造する装置であり、シリカガラスルツボの外形を規定するモールド１０と、複数本の炭素電極１３及び電力供給手段４０を具備するアーク放電手段と、モールド１０内において発生するヒューム８０の量を検出するヒューム量測定部３０が備えられてなる。 （もっと読む）

【課題】石英ガラスルツボ製造時に、シリカヒュームによる石英ガラスルツボ製造装置部品の損耗を防止し、装置部品の磨耗粉、破損片に起因する石英ガラスルツボのコンタミネーションを抑制する。
【解決手段】モールド及びモールド駆動システムが設置された下部区画と、アーク電極駆動システムが設置された上部区画に石英ガラスルツボ製造装置を区分し、アーク電極が貫通可能な一以上の連通路を備えた区画部材を配し、上部区画内の気体と、下部区画内の気体の交換が抑制されるように気流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高寸法精度であり、内壁が実質的に気泡を含まない肉厚の透明シリカガラス層であるとともに、高温でも高い耐久性を有するシリカ容器を低コストで製造できるシリカ容器及びその製造方法、並びにそのようなシリカ容器を製造するためのシリカ粉及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 回転対称性を有し、シリカを主成分とし、少なくとも外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを具備するシリカ容器の製造方法であって、少なくとも、前記内層を形成するための原料粉として、粒径が１０〜１０００μｍであり、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを５０〜５０００ｗｔ．ｐｐｍの合計濃度で含有し、真空下にて１０００℃に加熱したときの水素分子の放出量が３×１０^１６〜３×１０^１９分子／ｇであるシリカ粉を準備し、該内層形成用原料粉であるシリカ粉から、前記内層を形成するシリカ容器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げクリーンルーム内での清浄度低下の防止を図る。
【解決手段】原料粉末をルツボ成形用のモールド１０内に成形し、その成形体１１をアーク溶融により加熱溶融して石英ガラスルツボを製造する方法であって、
アーク溶融をおこなう炭素電極１３として、石英ガラスの結晶化促進剤を含有する電極を用いて前記石英ガラスルツボ内側表面に結晶化促進剤含有層を形成する。 （もっと読む）