【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液を保持するための主坩堝と、主坩堝の融液を加熱するための主坩堝加熱装置と、主坩堝に供給される融液を保持するための副坩堝と、副坩堝の融液を加熱するための副坩堝加熱装置と、固体原料を投入するための固体原料投入装置と、副坩堝から主坩堝に融液を供給するための融液搬送部と、固体原料投入装置から副坩堝への固体原料の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置とを備えた溶融炉である。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性を確保することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３とそれを加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する湯漏れ受皿８とを具備する単結晶育成装置１であって、ルツボ３と湯漏れ受皿８との間に設置され、ルツボ３から漏れてきた湯漏れ融液１７を誘導して湯漏れ受皿８へ落下させるための誘導構造を有する下部誘導部材４を有し、湯漏れ受皿８は、湯漏れ受皿８内の空間に充填された受皿充填断熱材１６を有し、受皿充填断熱材１６の容積は、ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、受皿充填断熱材１６は、下部誘導部材４で誘導された湯漏れ融液１７が落下する位置に、落下した湯漏れ融液１７を湯漏れ受皿８の下部に導くための誘導路１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置において、ルツボからの湯漏れを高感度かつ高精度に検出できる単結晶引上げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの底部に設置され前記ルツボから漏れてくる融液を収容する湯漏れ受け皿と、該湯漏れ受け皿に配設され湯漏れを検出する湯漏れ検出器とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、前記湯漏れ検出器は、前記湯漏れ受け皿の上面に敷設された金属製部材と、該金属製部材の電気抵抗を測定する抵抗測定手段とを有し、該抵抗測定手段が測定した前記金属製部材の電気抵抗の変化により湯漏れを検出するものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置におけるルツボからの湯漏れを高感度かつ高精度に検出できる単結晶引上げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの底部に設置され前記ルツボから漏れてくる融液を収容する湯漏れ受け皿と、該湯漏れ受け皿に配設され湯漏れを検出する湯漏れ検出器とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶引上げ装置であって、前記湯漏れ検出器が、異なる高さ位置で温度を測定する２以上の温度測定手段と、該２以上の温度測定手段の測定値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段とを有するものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す１次引き出し装置と、前記１次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記１次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す２次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
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【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】熱遮蔽板とシリコン融液との接触を有効に回避し得る方法、及び、それを可能とする単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコン１７を製造する方法であって、熱遮蔽板１４の下端部１４０に、長さの異なる少なくとも２本の棒状ピン１５を配置し、ルツボ４を、最も長い棒状ピン１５Ａがルツボ４内のシリコン融液Ｓに接触するまで上昇させ、その時点での熱遮蔽板１４の下端部１４０とシリコン融液Ｓとの間隔を基準として該間隔が初期設定値になるまでルツボ４を下降させ、次いで、シリコン融液Ｓから単結晶シリコン１７の引上げを行って単結晶シリコン１７を育成する過程において、最も短い棒状ピン１５Ｂがシリコン融液Ｓに接触した際に、少なくともルツボ４の上昇を停止し、熱遮蔽板１４とシリコン融液Ｓとの接触を回避する。また、かかる製造方法を可能とする単結晶シリコンの製造装置１である。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
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結晶を成長させるという様な、材料を加工するのに使用される真空炉での無用の副次的反応を最小限にするための方法である。プロセスは、炉室環境で施行され、ヘリウムが炉室へ、不純物を洗い流す流量で、且つ加熱ゾーンに熱安定性を実現し、熱流の変化を最小限にし、加熱ゾーンの温度勾配を最小限にする所定の圧力で投入される。冷却中は、冷却率を上げることを目的に、ヘリウム圧力を使用して熱勾配の縮小が図られる。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設した検出手段を用いる。前記検出手段は、前記坩堝の下方において、上方の光量及び／又は熱量の変化を検出するものであってもよく、その場合、太陽電池セルを用いて形成されたものであってもよい。また、前記検出手段は、電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出するものであってもよく、その場合、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

ケーブルの第１の端部に連結された対象物の重量を、対象物を引っ張って測定するシステムおよび方法が開示される。ケーブルはロードセルから吊り下げられたプーリーに亘って送られる。プーリー上のケーブルによって与えられた力は対象物の重量を計算するように用いられる。ケーブルの第２の端部は、ドラムの周りにケーブルを巻き取ることによって、回転した時に対象物を引くドラムに連結される。アームは一方の端部にてプーリーに連結され、もう一方の端部にてフレームに連結される。プーリーとドラムとの間のケーブルが通る通路はアームの長軸に実質的に平行である。水平な力の要素はアームによってフレームに伝達され、ロードセルによって測定された力に影響を及ぼさず、従って対象物の計算された重量の正確さを向上させる。
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【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】作業者の負担を軽減させ且つ設備の小型化を図ることができる単結晶棒製造設備を提供する。
【解決手段】坩堝搬送手段１８を複数の育成装置１の並び方向に沿う直線状の坩堝搬送用移動経路Ｌ１に沿って移動させて単結晶棒４の原料を収納した坩堝３を受け取る坩堝受取位置及び育成装置１に対して坩堝３を供給する複数の坩堝供給位置に移動させ、かつ、単結晶棒搬送手段１９を複数の育成装置１の並び方向に沿う直線状の単結晶棒搬送用移動経路Ｌ２に沿って移動させて育成装置にて育成された単結晶棒４を受け取る単結晶棒受取位置及び当該単結晶棒を供給する単結晶棒供給位置に移動させるべく、坩堝搬送手段１８及び単結晶棒搬送手段１９の移動を制御する。 （もっと読む）

【課題】精度良く種結晶を溶融して結晶育成工程に移行し、結晶育成開始時の単結晶の直径の正確さを向上し、また、種結晶を再利用して、種結晶の交換作業の手間と時間を低減し、単結晶の製造の生産性を向上させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する方法において、種結晶の先端部の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、種結晶を溶融させ、検出した種結晶の直径が結晶育成工程に移行可能な直径になったときに、結晶育成工程に移行し、その後、単結晶の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、単結晶を育成し、検出した単結晶の直径が単結晶棒の引き上げに必要な直径未満の場合には、切り離し工程に移行し、単結晶の先端が尖った形状となるようにして、単結晶をシリコン融液から切り離し、シリコン融液の温度を調整した後、切り離した単結晶を新たな種結晶として、再度、単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）