【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、低濃度の窒素を含むダイヤモンドの結晶完全性を改良する方法に及ぶ。詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には２１００から２５００℃の間の温度及び６〜８ＧＰａの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス雰囲気下において、加熱部２０は、本体部１０の内部の温度が摂氏１０００度以上１５００度以下の範囲になるように本体部１０の内部を加熱する。これにより、炭化ケイ素単結晶から切り出された炭化ケイ素単結晶基板５０が内部の温度によって熱せられる。続いて、加圧工程Ｓ２において、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を所定の圧力で所定の期間にわたり加圧する。ここで、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を加圧するときの所定の圧力は、０．１ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の範囲とすることができる。 （もっと読む）

ダイヤモンドを処理する方法であって、その方法は、（ｉ）黒鉛析出に関してカーボンで飽和されている液体金属を供給すること、（ｉｉ）液体金属がダイヤモンド析出に関してカーボンで飽和されるように、液体金属の温度を降下させること、（ｉｉｉ）ダイヤモンドを液体金属に浸漬すること、および（ｉｖ）金属からダイヤモンドを取り出すことを含む。
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【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法およびその製造方法によって製造された機能材料を提供する。
【解決手段】互いに接触する固相材料２１，２２（図１には図示されていない）からなる試料２０をロータ１０の内部空間１０Ｂ内に配置（固定）する。次に、固相材料２１の温度が、固相材料２１の再結晶温度以上であって、かつ固相材料２１が固相状態を保つことの可能な温度以下となるように試料２０を加熱する。その状態で、ロータ１０を高速に回転駆動し、１万ｇ以上の遠心力を試料２０に対して印加する。これにより、比重相当量の大きな原子が遠心力方向に移動し、原子の沈降（重力誘起の拡散）が生じる。また、それに付随して、重力場下の原子レベルで与えられるボディフォースによる結晶歪みにより、原子空孔が固相材料２１内に多数発生し、固相材料２１内で原子空孔を介在した拡散が起こる。 （もっと読む）

【課題】 製造がし易く、低コストで、寸法精度の良い湾曲した形状のサファイア単結晶部品を製造する方法を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶１にセラミックス製の治具２を用いて荷重を加えながら、１５２０℃〜１８００℃で２時間加熱処理する塑性変形を用いて曲げ加工することによって湾曲形状サファイア単結晶部品を製造するものであり、サファイア単結晶に対してｃ軸との角度θが１５°〜４５°となる方向に荷重をかけるものである。 （もっと読む）

シートを形成する方法および装置が開示される。融液を冷却して、融液上にシートを形成する。このシートは第１の厚みを有する。シートはその後、第１の厚みから第２の厚みに、例えばヒータまたは融液を利用して、厚みを低減させられる。冷却は、シートにおける一定の領域に溶質を捕捉するよう構成されてよく、この特定のシートの厚みを低減させて溶質を取り除く。溶質は例えば、シリコン、シリコンとゲルマニウムとの組み合わせ、ガリウム、および窒化ガリウムであってよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低い融点を有することから低温での焼結が可能であり、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れる安価な透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスは、ＺｎとＡｌとを含む酸化物またはＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物である複合酸化物からなるものであって、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れ、かつ安価な製造コストを有する透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明は、ＭｇとＡｌとを含む酸化物、ＺｎとＡｌとを含む酸化物、およびＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物のいずれかである複合酸化物からなり、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする透光性電融スピネルに関する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥、ひずみが少なく、製造コストが安価な大形状の結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】円柱、立柱形状に形成したＳｉＣ材料を熱間静水圧加圧処理することにより、あるいは結晶ＳｉＣ材料の開気孔を低減することを目的として熱間静水圧加圧処理工程の事前にＳｉＣ材料の外表面に炭素質の被膜を形成することにより結晶欠陥、ひずみが少なく、製造コストが安価な大形状の結晶性ＳｉＣ基板を製造する。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットあるいは、ウエハのような断片を製造する方法を開示する。アンモサーマル法によるウエハ成長における着色問題を解決するために、本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットのアンモサーマル法による成長、インゴットのウエハへのスライス、ウエハの解離あるいは分解を避ける方法によるウエハのアニールからなる。このアニールプロセスは、ウエハの透明度を改善する、および／またはウエハから汚染を除去するのに効果的である。
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【課題】ドライエッチングによって製造されるダイヤモンド構造体側壁の表面粗さの制御方法を提供する。
【解決手段】試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。また、エッチングガス雰囲気中におけるダイヤモンド試料Ｐ１の表面温度を−１５０〜８００℃の範囲で制御する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ガスタービンコンポーネントの強度および耐破損性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 単結晶コンポーネントの強度および耐破損性を向上させる方法が、概ね、複数のγ´プラテンをもつ単結晶微細構造を備えたコンポーネントを形成するステップと、印加された荷重に関連するプラテンの合体を遅らせるように、コンポーネントが運用される前に、限られた量の特定方向に配向されたプラテンを形成させるステップと、を備える。特定量のプラテンを運転中に予想される引張荷重に対して平行に予配向させる、もしくは運転中に予想される圧縮荷重に対して垂直に予配向させることにより、運転時の荷重によって生じるラフト化を遅らせ、耐クリープ性などの材料特性を向上させる。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

高い導電率及び移動度を有するドープされたＡｌＮ結晶及び／又はＡｌＧａＮエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。 （もっと読む）

【課題】非ダイヤモンド結晶から高圧高温（ＨＰ／ＨＴ）で欠陥又は歪みを除去する方法及び改良結晶を用いた電子装置を提供する。
【解決手段】１以上の欠陥を含む結晶及び反応条件下で超臨界流体となる適当な圧力媒体を用意し、結晶及び圧力媒体を高圧セル内に入れ、高圧セルを高圧装置内に置き、単結晶中の欠陥又は歪みを除去するのに十分な高い圧力及び温度の反応条件下で十分な長さの時間処理する。改良結晶上に、例えばエピタキシャル半導体層の設層、パターン形成及び金属化を行い電子装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりが高く良質な有機単結晶薄膜、有機単結晶導波路及び作製方法を提供する。
【解決手段】 加熱手段１０４によりバルク状の有機単結晶表面近傍に溶融部１０２を形成し、溶融部１０２に基板面を対向接触させた状態で冷却手段１０６により溶融部１０２を冷却することにより得られるバルク単結晶１０１と基板１００との接合体を、基板１００側から所望の厚さで切断することより得られる有機単結晶薄膜を用いることにより、歩留まりが高く良質な有機単結晶薄膜、有機単結晶導波路が得られる。 （もっと読む）

本発明は非線形光学特性を有する結晶、特にニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを屈折率の光誘起変化に起因する強い露光の損傷作用（光損傷）に対して減感する方法に関する。光線により誘発される屈折率の変更によって同種類の損傷が誘発される。外在的なイオンによって結晶の暗伝導性が高められる。 （もっと読む）