【課題】気相合成法により高品質で大型な単結晶を作製することを可能とするダイヤモンド単結晶基板を提供すること
【解決手段】一部、又は全てが気相合成法で作製したダイヤモンド単結晶である基板において基板内で厚み分布がある面を持ち、厚みの最大部分と最小部分との比（最大厚み／最小厚み）が１．０５以上１．３以下であり、厚みの最大部分が該基板の面積で外周位置にあり、厚みの最小部分が最大部分よりも基板中央部分にあることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】亀裂や割れを防止するＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法によるＳｉＣ単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体１０と、円形状の蓋体２０と、中空の円錐台形状をなしたスカート部３０とで構成された黒鉛製の坩堝１を備え、スカート部３０の内壁面には、スカート部３０と同様の円錐台形状をなしたＴａＣ部材３１が固定されている。前記ＴａＣ部材３１は深絞り加工によってタンタル板材を加工することで継ぎ目のないカップ状部材を形成した後、スカート部３０の内側に入れ込こんで固定し、カップ状部材を炭化処理することにより形成する。前記ＴａＣ部材３１によってスカート部３０の内壁面が継ぎ目無く覆われるので、ＳｉＣ単結晶７０に炭素粒子が取り込まれることを抑制することが可能になると共に、ＳｉＣ単結晶７０の突起物が形成されることを防止でき、亀裂や割れが生じ易くなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】大量のナノロッド及び基体表面に整列されたナノロッドのいずれをも製造することが可能な方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物ナノロッドの製造方法は、炉６内において金属蒸気を発生させる工程と、炉内の成長領域内において、ナノロッド成長用基体２２の表面上に金属酸化物ナノロッドが形成されるのに十分な時間だけナノロッド成長用基体２２を金属蒸気に曝す工程と、ナノロッド成長用基体２２を成長領域から除去する工程と、このように形成された金属酸化物ナノロッドであって、その直径が１ｎｍから２００ｎｍの金属酸化物ナノロッドを収集する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】寸法の大きい金属の単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。前記金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕからなる群から選択される１以上が好ましい。また、前記エポキシ樹脂硬化層が、エポキシ樹脂と硬化剤とを混合し、加熱して得られた層であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電磁波透過体として好適なＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶を含む電磁波透過体を提供する。
【解決手段】好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶２は、２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。また、電磁波透過体４は、一主面２ｍを有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶２を含み、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶２は２５℃の雰囲気温度下で１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が５×１０^-3以下である。 （もっと読む）

半導体および太陽光発電用途に使用可能なシリコンなどの単結晶材料を製造するためのシステムおよび方法が提供される。単結晶インゴットを成長させるために炉（１０）内に坩堝（５０）が配置され、坩堝（５０）は当初、単一の種結晶（２０）および供給材料（９０）を収容し、種結晶（２０）は少なくとも部分的に溶融され、供給材料（９０）は坩堝（５０）内で完全に溶融され、その後、成長および凝固プロセスが行なわれる。シリコンインゴットなどの単結晶材料の成長は方向性凝固によって達成され、成長段階における熱除去は、供給原料（９０）を収容する坩堝（５０）に対して可動性の断熱材（１４）を用いて達成される。単結晶成長を達成するために、成長および凝固プロセス時に坩堝（５０）からの熱除去を制御するための熱交換器（２００）も設けられる。
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溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子１０１を作製し、次に結晶シリコン粒子１０１の表面に研磨加工を施して結晶シリコン粒子１０１の表層部に加工変質層を形成し、次に窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱して結晶シリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させ降温して凝固させて単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を提供する。
【解決手段】原料５０を充填する充填部１３を有する坩堝１０と、坩堝１０の蓋となる蓋体２０と、蓋体２０に充填部１３に対向して設けられた種結晶４０を取り付ける台座２１と、坩堝１０から台座２１に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイド３０とを有し、単結晶多結晶分離用ガイド３０に対向して設けられ、単結晶多結晶分離用ガイド３０を下方から放射加熱する放射面１５を備えることにより、分離用ガイド３０の温度を台座２１に取り付けられた種結晶４０より高温にする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、このような実情に鑑み、インジウムを用いることのない導電性材料を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ｇａ_２−ｘＭ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは自然数。Ｍ：Ｇａに代替可能な元素）であらわされ、図１に示す結晶構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質な単結晶を生産性よく製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して炭化ケイ素単結晶の種結晶を設置する工程と、加熱により昇華させた前記昇華用原料を前記種結晶の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、種結晶１を炭化ケイ素単結晶製造装置の容器に設置する工程の前に、種結晶１の裏面に、ケイ素成分を含む熱硬化性樹脂２を塗布する工程を含む。蓋体１１の表面に接着剤としての熱硬化性樹脂３を事前に塗布してもよい。これにより、種結晶に生じているマイクロパイプ欠陥などの中空欠陥を、別途の装置や処理を付加することなく有利に閉塞させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶から発生するテラヘルツ波の発生時間を向上させた有機光学単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】有機光学単結晶をアニーリング処理する。アニーリング処理は、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する。アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する。さらに、磁場を作用させた条件のもとで行う。また、有機光学単結晶として、スチルバゾリウム誘導体からなる結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶インゴットの安定製造を実現し、結晶性の良好な炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を含む炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、結晶成長炉内に配置した成長用坩堝内の炭化珪素原料及び種結晶の温度が所定の温度に達するまでの昇温時には、結晶成長炉内の炉内雰囲気を、炭素及び水素を含むと共に炭化珪素単結晶に影響を及ぼさない非腐食性ガスからなる、又は、この非腐食性ガスと、アルゴン、ヘリウム及び窒素から選ばれた少なくとも1種の不活性ガスとの混合ガスからなるガス雰囲気とし、結晶成長炉内の炭化珪素原料及び種結晶が所定の温度に達した後には、前記非腐食性ガスの導入を止めて不活性ガスからなるガス雰囲気中で昇華再結晶による結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥の極めて少ない炭化珪素単結晶が得られる炭化珪素単結晶製造用の反応容器および炭化珪素単結晶製造装置の提供。
【解決手段】開口部が形成され、内部に昇華用原料が装入される坩堝本体１２と、前記坩堝本体１２の開口部を密閉する蓋部１１と、前記坩堝本体１２の内部における前記蓋部１１の内側に、前記開口部を密閉するように装着されるとともに、前記坩堝本体１２における昇華用原料Ｒｍが装入される部分に相対する側の面に種結晶Ｓｃが配設される封止部１３とを備え、封止部１３と、坩堝本体１２および蓋部１１の内側面との間に隙間が形成されている炭化珪素単結晶製造用の反応容器。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】ストロンチウム、ランタン及びマンガン化合物の混合水溶液をアルカリ水溶液でｐＨ６程度に調製し、亜臨界ないし超臨界状態の水を媒体として、３８０〜４５０℃で水熱反応させて、一次粒子径が５０ｎｍ以下であり、結晶化度が高いストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子を製造する。
【効果】固体酸化物燃料電池等で使用される電極材料等として利用可能な、高温処理を必要としない、高結晶性で、かつ粒子径が５０ｎｍ以下のストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子、その製造方法及びその応用製品を提供することができる。 （もっと読む）

結晶成長装置において加熱要素を配置するためのシステムおよび方法は、加熱要素の１つ以上の加熱部材を相互接続するとともにこれらの加熱部材の少なくとも１つを結晶成長装置に接続するよう用いられる、ヒータクリップのような接続要素を含む。加熱部材は、電気的および熱的に結合され得、同じ回路を介して接続され得る。これにより加熱要素の制御を簡略化する。
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