【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、水熱合成法によって製造される人工水晶の製造方法において、製造される人工水晶のインクルージョン密度を減少させる人工水晶の製造方法を提供することである。
【解決手段】
上記の目的を達成する為に本発明は、水熱合成法により製造される人工水晶の製造方法において、オートクレーブ内の任意の位置に表面の粗い多数の直方体の無機物を、先の直方体の無機物の主面の法線ベクトルが重力と垂直となるように設置し、また、直方体の無機物が鉄系の金属より成ることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロパイプがなく、転位が少ない炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】 反応容器内の第一端部に昇華用原料４０を収容し、反応容器内の昇華用原料４０に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、昇華用原料４０よりも熱伝導性が高い均熱部材８０を、反応容器の径方向の中心部を少なくとも含んで昇華用原料４０の表面近傍に配置し、対向する種結晶５０表面の均熱化を促進させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

本発明は、ｎ−型ダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明の方法は、ｎ−ドーピングステップを含み、その間において、アクセプタとドナー種との間に形成された錯体の解離温度以下、またはその温度と等しい温度で、ドナー種を含んだドナー基を形成するために、ドナー種が、最初にアクセプタ（１２）でドーピングされたダイヤモンド中で真空拡散される。
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【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、ＩＩＩ族金属を供給する供給管先端の詰まりが発生しない結晶成長方法及び結晶成長装置により、大きなＩＩＩ族窒化物結晶を得ることを目的とする。
【解決手段】アルカリ金属を含む融液中でＩＩＩ族金属と窒素を反応させてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法であり、ＩＩＩ族金属７を収容している容器からＩＩＩ族金属を融液１１中に供給することで継続的にＩＩＩ族窒化物結晶を成長する方法において、ＩＩＩ族金属の供給時以外には供給部材内のＩＩＩ族金属と窒素との気液界面をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度以下になる場所に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 低転位密度であるとともに、転位密度分布が実質的に均一な表面層を所定の厚さで有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板、及びその製造方法、並びにそのような基板を用いてIII−Ｖ族窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させたIII−Ｖ族窒化物系半導体を提供する。
【解決手段】 III−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長界面に凹凸を出しながら成長させ、（工程Ｉ）、凹凸を埋めるようにして結晶成長を行って、成長界面を平坦化させ（工程ＩＩ）、転位を集積させることにより全体の転位密度を低減し、更に、平坦化した状態で結晶成長を行い、転位を結晶中に均一に分散させると共に、転位密度分布が実質的に均一な層を基板表面から少なくとも１０μｍ以上形成する（工程ＩＩＩ）。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスに使用される半絶縁性炭化ケイ素の基材と、その製造方法とに関する。基材は、１０^６Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１０^８Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは１０^９Ω・ｃｍ以上、の比抵抗と、５ｐＦ／ｍｍ^２以下、好ましくは１ ｐＦ／ｍｍ^２以下の容量とを有する。基材の電気特性は、電気挙動を支配するためには充分に高いが、表面欠陥を回避するのには充分に低い濃度の、少量の深準位不純物の添加によって制御される。基材は、意図的に、５×１０^１６ｃｍ^３以下、好ましくは、１×１０^１６ｃｍ^３以下に低下された、浅準位ドナー及びアクセプタを含む、意図されないバックグラウンド不純物をある濃度で含む。深準位不純物は、周期表のＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ及びＶＩＩＩＢ族から成るグループから選択される金属の１つを含む。バナジウムが好適な深準位元素である。比抵抗と容量の制御に加えて、本発明の別の利点は、結晶全体にわたる電気的均一性の増加と、結晶欠陥の密度の低下である。
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【課題】 母材上に導電性ダイヤモンド層を被覆した導電性ダイヤモンド被覆基板において、母材基板からのダイヤモンド膜の剥離等を確実に防ぎ、耐久性に優れた導電性ダイヤモンド被覆基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 母材上に導電性ダイヤモンドの層を被覆した基板であって、母材が多孔質であることを特徴とする導電性ダイヤモンド被覆基板。前記母材としては、酸化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化珪素の中から選択される少なくとも１つ以上を含む絶縁性セラミックが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特定方向に大きく成長した結晶を製造する。
【解決手段】同一原料溶液中で種結晶を育成し続けるのではなく、第１原料溶液１ｓ中でＴＧＳ系種結晶Ｃ１をある程度育成した後、ドーパントの濃度が異なる第２原料溶液２ｓ中へ成長中種結晶Ｃ１を移して育成する。これを繰り返して、特定方向に大きく成長させる。
【効果】ｂ軸方向の成長を抑え、ａ軸方向，ｃ軸軸方向に大きく成長したＴＧＳ結晶を効率良く製造することが出来る。 （もっと読む）

ナノワイヤの成長に用いるための、ナノスケールの大きさの触媒領域からなる所定のパターンを形成する方法を提供する。当該方法は、非触媒材料によって包囲された触媒ナノアイランドあるいはナノスケールの触媒材料領域からなるアレイを製造するための、１つ又は複数のナノインプリンティングステップを包含する。
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【課題】 大型で高品質な有機単結晶を結晶作製基板上に形成する有機単結晶付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶作製基板１００の一部を結晶成長溶液１０１に接触させ、結晶作製基板１００と結晶成長溶液１０１と気相との接点部からなる結晶成長領域から結晶作製基板１００上に成長させることにより、結晶作製基板１００上の所望の位置に局所的に結晶の核を発生させ、結晶を成長させることが可能となり、大型かつ高品質な有機単結晶を効率的に製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野に応用が期待されてい
る単結晶の窒化インジウムナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの混合物を横型石英管状炉など
の反応炉中で、減圧にした後、窒素ガスを流しながら、1100±50℃に1.5〜2時間加熱する
ことにより、ウルツ鉱型六方晶系の単結晶の窒化インジウムナノチューブを製造する。こ
のとき、酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの重量比は10:1〜9:1の範囲が好ま
しい。 （もっと読む）

【課題】 容器内に貯留されて薄板原料となる融液の液面高さを一定に保ち、長期にわたって安定した品質の薄板を製造することができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 薄板製造装置１では、シリコンの融液２を坩堝３内に貯留し、下地基板４の結晶生成面を坩堝３内の融液２に浸漬して、シリコンを下地基板４の結晶生成面で凝固成長させて薄板を製造するに際し、たとえば１枚の薄板を製造するごとに、浸漬前後の下地基板４の重量差から坩堝３内の融液の減少量を検出し、検出した融液の減少量に等しい量のシリコンを坩堝３内へ投入し、投入されたシリコンを溶解して融液温度を安定化させる。 （もっと読む）

電気光学素子として有用な新規な４−ジメチルアミノ−４−スチルバゾリウムトシレート（ＤＡＳＴ）の結晶を提供する。
本発明では、ＤＡＳＴの双晶によって、電気光学素子として用いるに有効な大きさのＤＡＳＴを提供できた。
ＤＡＳＴ双晶は、種結晶法あるいは斜面結晶育成法によって得ることができた。 （もっと読む）

熱電変換素子等の機能素子では、エピタキシャル成長に適した基体と使用に際して望ましい基体とが一致しないことがある。本発明では、基体上に形成した所定の層状構造を水蒸気の作用によって分離することとした。本発明の結晶膜の製造方法は、基体上に層状構
造を含む結晶膜を前記層状構造が前記基体と接するようにエピタキシャル成長させる工程と、水蒸気供給源から供給される水蒸気をチャンバー内において前記層状構造に接触させる工程と、前記層状構造と前記基体とを分離することにより、前記結晶膜を得る工程と、を含む。そして、前記層状構造は、アルカリ金属を含む層と、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ，ＮｂおよびＭｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含む層と、を含む。 （もっと読む）

本発明は一つの観点において交差切子面のサブセットが実質上均一な厚みのダイヤモンド層を有する複数の交差切子面を備えた外面を有する自立内部支持三次元物体を製造する方法に向けられている。ダイヤモンド層は交差切子面のサブセットを規定するモールドを形成するように製造される基板の表面上に化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成することができる。裏打層が露呈ダイヤモンド層の少なくとも一部上に形成され、基板が除去されたときに層の強度を高める。 （もっと読む）