【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】異常粒成長現象が発生する多結晶体における単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】異常粒成長が起こる多結晶体のマトリックス粒子の平均粒径を調節し、これにより異常粒子の個数密度を減少させ、極めて制限された個数の異常粒子だけを生成するか、または、異常粒子の生成を異常粒成長の駆動力の保障範囲内に抑える。この結果、極めて制限された個数の異常粒子だけ、または種単結晶だけを多結晶体中へと成長させ続け、５０ｍｍより大きい単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】実用化に必要なレベルの成長速度を実現できるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液として、上記Ｓｉ融液と下記ＣｒおよびＡｌとの合計量を基準として、３０〜７０at％のＣｒと０．１〜２０at％のＡｌとを更に添加した溶液を用いる。ＣｒはＳｉ−Ｃ溶液のＣ溶解度を高め、また、Ａｌは、ｐ型ドーパントとして機能する他、Ｃｒと同様に溶液のＣ溶解度を高めることにより結晶成長速度を高める。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が低い炭化ケイ素単結晶を安価に製造し、且つ、炭化ケイ素原料を高密度に充填し、且つ、炭化ケイ素単結晶の成長を安定的に制御する。
【解決手段】低窒素フェノールをプリカーサー法により合成することにより製造されたホウ素含有量が０．５ｐｐｍ以下又は窒素含有量が１０ｐｐｍ以下のα型炭化ケイ素粉末を炭化ケイ素原料２として開口部を有する坩堝３の内部に供給し、種結晶４と炭化ケイ素原料２とが対向するように裏面に種結晶４が取り付けられた蓋体５により坩堝３の開口部を覆い、坩堝３を加熱炉７内に配置し、不活性ガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化ケイ素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】実用レベルまで比抵抗を低減したｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液にＣを溶解させた溶液からＳｉＣ単結晶基板上にｐ型ＳｉＣ半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にＡｌおよびＮを、Ａｌ添加量＞Ｎ添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法。上記の方法により製造され、不純物として１×１０²⁰ｃｍ^-3のＡｌおよび２×１０¹⁸〜７×１０¹⁸ｃｍ^-3のＮを含有することを特徴とするｐ型ＳｉＣ半導体単結晶。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の表面にＳｉ融液層を当接させた状態で熱処理を行うことで単結晶ＳｉＣ基板上に単結晶ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる単結晶ＳｉＣ膜の製造方法において、単結晶ＳｉＣ基板と多結晶ＳｉＣ基板との位置ずれを抑制して単結晶ＳｉＣ基板の基板面の略全面に単結晶ＳｉＣ膜を成長させる単結晶ＳｉＣ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板と炭素原料供給板とを含む積層構造を容器６ａ内に収納し、この容器６ａを密閉容器７内に収納して熱処理を行う。この際、容器６ａにおける上記積層構造を収容したときに単結晶ＳｉＣ基板４および炭素原料供給板１ａ，１ｂの面内方向に平行な方向の内形寸法と、単結晶ＳｉＣ基板４および炭素原料供給板１ａ，１ｂにおける容器６ａに収容したときに上記内形寸法の方向に平行な方向の外形寸法との差を０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯロッドアレイ構造体と、その作製方法を提供する。
【解決手段】溶液中において基板上に直接六角柱状ＺｎＯを結晶成長させて形成したＺｎＯロッドアレイ構造体であって、１）ＺｎＯロッドは六角形の断面形状と６枚の側面を有している、２）ロッドはＺｎＯ単相からなる、３）ＺｎＯロッドはアスペクト比が３−４である、４）ＸＲＤから、（０００２）面からの回折ピークのみが観察され、高いｃ軸配向性を有する、ことを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体、及び上記のＺｎＯロッドアレイ構造体を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する酸化亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、液相で、基板上にＺｎＯロッドアレイを形成することを特徴とするＺｎＯロッドアレイ構造体の作製方法。
【効果】シード層及び高温加熱処理を用いることなく基板上にＺｎＯロットアレイ構造体を作製し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、蓋体に備えられる支持板が侵食されることによりＳｉＣ単結晶の口径が拡大され過ぎることを防止し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】環状ひさし部２５を覆うようにＴａＣコーティング２６を形成する。これにより、昇華ガスによって環状ひさし部２５や支持板２３ａの裏面が侵食されて穴が開くことを防止できる。また、環状ひさし部２５の内壁面もＴａＣコーティング２６で覆うようにしているため、ここからの昇華ガスによる侵食も防止できる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径が拡大され過ぎることを防止でき、ＳｉＣ単結晶７０を長尺成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、スカート状の円筒部の内側の多結晶が成長し難くなることを抑制し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側において環状ひさし部２５を備え、円筒部２３ｂよりも外側には環状ひさし部２５が備えられない構造とする。これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。このため、ＳｉＣ単結晶７０と多結晶４５との成長面がフラットになり、ＳｉＣ単結晶７０を長尺に成長させることが可能となる。 （もっと読む）

結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも１つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも１メートルである。サファイアの場合、ファセットは、Ｒ面、Ｍ面、Ｃ面、またはＡ面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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【課題】多結晶領域の混在しない高品質単結晶炭化珪素を安定してエピタキシャルに成長させる単結晶炭化珪素製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶炭化珪素を提供する。
【解決手段】高温加熱保持することができる坩堝３２内に炭化珪素単結晶を成長させるための炭化珪素種結晶３４及び単結晶炭化珪素製造用原料を供給するための原料供給管３６を配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした該坩堝３２内に該単結晶炭化珪素製造用原料を不活性ガスと共に該原料供給管３６を通して該炭化珪素種結晶上に供給して単結晶炭化珪素４０を成長させる成長工程を含み、該成長工程において、該単結晶炭化珪素製造用原料として炭素粒子、二酸化珪素粒子及び珪素粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】炭酸塩からなる異方性構造を有するナノ構造体を効率良く提供し、所望の異方性構造に容易に制御できるナノ構造体の合成方法およびその合成装置を提供する。
【解決手段】本発明の合成装置は、溶液反応漕１および反応漕１の上部に配置したレーザー発生部２、原料固定部３，反応漕２の上部もしくは側面部に配置した光発生部４、溶液攪拌装置５、ガス導入管６、超音波発生部７および合成系全体を遮光する暗箱８を備える。本発明は、レーザー若しくは超音波を用いた極限エネルギー状態の形成に加え、連続的な光照射を併用する。これにより、低コストで簡素な合成装置を利用しながら、原料、雰囲気、プロセス因子等を制御するだけで炭酸塩からなる異方性ナノ構造体を合成することできる。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含み、主面１０ｍがＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａの｛１−１００｝面１０ｃに対して０．５°以上１０°以下の傾き角を有する下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを備え、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、ＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部が、｛１−１００｝面１０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬して、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の外周部に排出される。 （もっと読む）