【課題】転位密度の低減が可能なＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法により、下地基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる方法であって、下地基板１０は少なくとも主面側にＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａを含み、主面１０ｍの法線１０ｍｖはＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａの＜０００１＞方向１０ｃｖに対して０．５°以上１０°以下の傾き角を有し、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、ＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部を｛０００１｝面２０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬させてＩＩＩ族窒化物結晶の外周部に排出させる。 （もっと読む）

化合物半導体ナノロッドとシリコンワイヤーが接合された多重構造のナノワイヤー及びその製造方法を提供する。多重構造のナノワイヤーの製造方法は、化合物半導体のナノロッドを提供する段階と、ナノロッドの両端に触媒チップを形成する段階と、記触媒チップが形成されたナノロッドの両端にシリコンナノワイヤーを成長させる段階とを含む。
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【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30＜Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質：溶媒＝5〜30mol％：95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO：Bi2O3＝0.1〜95mol%：99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μｍ以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 （もっと読む）

【課題】特殊な表面加工設備を用いることなく、優れた密着性を得ることができるダイヤモンド薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基材１にダイヤモンド薄膜２が被覆されたダイヤモンド薄膜素子である。前記基材１は、線膨張係数が１２×１０^-6／Ｋ以下の低熱膨張材で形成され、長さ方向に沿って任意の垂直な横断面の外周が凸状の曲線となる側面（円錐面）部を有し、前記側面部の横断面の周長ｐが９００μm 以下とされる。前記側面部に被覆されたダイヤモンド薄膜の膜厚をｔとするとき、ｔ／ｐが１．０×１０^-4以上、７．０×１０^-3以下とされる。 （もっと読む）

【課題】表面積が大きく、表面における導電性が高く、電気化学特性が経時変化しにくいダイヤモンド電極、触媒担持電極、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基材の少なくとも表面近傍を含むドーパント領域に、ホウ素、窒素、アルミニウム、ケイ素、リン、硫黄、銅、ヒ素、モリブデン、白金、及び金のうち1種類以上のドーパントが３×１０²⁰〜８×１０²¹個／ｃｍ³の濃度でドープされたダイヤモンド基材に対し、酸素ガスによるドライエッチングによってダイヤモンド基材の表面を処理することによりダイヤモンド基材の表面に針状突起３配列構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって製造されるダイヤモンド構造体側壁の表面粗さの制御方法を提供する。
【解決手段】試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。また、エッチングガス雰囲気中におけるダイヤモンド試料Ｐ１の表面温度を−１５０〜８００℃の範囲で制御する。 （もっと読む）

【課題】水素ガスを容易に燃料電池に供給して電力を発電する電力供給システムを提供する。
【解決手段】電力供給システム４００は、ガス発生器３００と、燃料電池４１０と、ガス供給管４２０，４３０と、電力供給器４４０とを備える。ガス発生器３００は、ＩＩＩ族窒化物結晶からなる陽極電極と、Ｐｔからなる陰極電極とを塩酸水溶液中に浸漬し、陽極電極および陰極電極間に直流電圧を印加して酸素ガスおよび水素ガスを発生する。そして、ガス発生器３００は、発生した酸素ガスおよび水素ガスをガス供給管４２０，４３０を介して燃料電池４１０へ供給し、燃料電池４１０は、ガス発生器３００からの酸素ガスおよび水素ガスを用いて直流電力を発電する。電力供給器４４０は、燃料電池４１０が発電した直流電力を電気負荷へ供給する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびそのＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法により成長させたＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】基板８を保持するためのサセプタ６の表面６ａに対向する対向面１１ａとサセプタの周囲を覆うように配置された側面１１ｂとによって区画される成長室１９を形成し、対向面１１ａ、側面１１ｂ、および対向面と側面との境界からなる群から選択された少なくとも１箇所から原料ガスを成長室１９に導入し、原料ガス中の窒素含有ガスとＩＩＩ族元素のハロゲン化物ガスとの反応による基板８上へのＩＩＩ族窒化物結晶の成長時に対向面１１ａの温度および側面１１ｂの温度をそれぞれサセプタ６の表面６ａに保持された基板８の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】１０ＭＰａ以下の低圧または常圧において化合物ＡＢＸをイオン性溶媒に溶解した溶液中で化合物ＡＸを結晶成長させ、良質な化合物結晶を工業的に安く製造する方法を提供する。
【解決手段】原料となる複合化合物ＡＢＸを、高温で金属ハロゲン化物等のイオン性溶媒に溶解した後、結晶成長に使われない溶質成分ＢＸを蒸発等により除去し、溶液中の溶質成分ＢＸの濃度を調整することによって、化合物ＡＸの結晶成長速度を制御する。ここで、ＡとＸは組み合わせは限定され、（ｉ）Ａが第１３族金属元素であり且つＸが第１５族元素であるか、（ii）Ａが第１２族金属元素であり且つＸが第１６族元素であるか、または、（iii）Ａが第１４族元素であり且つＸが炭素元素である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、平坦かつ反位相領域の存在しない高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を簡便に形成する方法を提供する。
【解決手段】面方位（００１）からのオフ角度が０．２°以上１°未満であり、オフ方向が＜１００＞以外の方向であるＳｉ単結晶基板上に、前記Ｓｉ単結晶基板を１００％水素ガス雰囲気中でアニール処理した後、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させることにより、高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜を得る。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、第１の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第１の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
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ガリウム及び窒素を含む結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、立方センチメートル当たり約３×１０^１８未満の濃度で存在する酸素量を有し、結晶組成物の所定の体積中に二次元面境界欠陥を含まない。その体積は、少なくとも１つの次元で約２．７５ミリメートル以上であって、またその体積は、平方センチメートル当たり約１０，０００未満の一次元線欠陥転位密度を有している。
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結晶組成物を提供する。この結晶組成物は、ガリウム及び窒素を含んでいてよく、また約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有していてよく、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン原料を直接球状シリコン単結晶にするとともに、その歩留りを大幅に向上させる。
【解決手段】 高純度粉末状シリコン22を、表面が微細な凹凸構造をし、多数の窪みを有する高純度セラミックス又は石英ガラス又は高純度多孔質セラミックス容器の前記窪み内に収容する。不活性ガス又は高純度不活性ガスにシランガス又はハロゲン化珪素ガスを添加した雰囲気下で前記窪み内の粉末状シリコン22を融解させて前記窪み内に溌液状シリコン23を生成し、その溌液状シリコン23を冷却して球状シリコン結晶を得る。 （もっと読む）

窒化ガリウムを含む結晶を開示する。この結晶は、２．７５ｍｍより大きい少なくとも１つの次元と約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する少なくとも１つの粒子を有し、実質的に傾角境界がない。
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本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

【課題】フラーレンナノウィスカーを、従来より、大幅に、短時間での連続製造し、また従来困難であった、均一性、フラーレンナノウィスカーの本数、長さの制御を実現する。
【解決手段】炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒で、少なくとも２以上の界面を作り、それぞれの界面において２層分離状態を形成してフラーレンナノウィスカーを析出する。さらに、炭素フラーレン類を飽和に溶解させた第１溶媒を含む溶液と、前記第１溶媒よりフラーレンの溶解度が低い第２溶媒との界面を、該第１溶媒を含む溶液の両端において形成する。 （もっと読む）

【課題】 公知の金属薄膜と比較して、より優れた物性を付与しうる金属膜を提供する。
【解決手段】シリコン、酸化シリコン、酸化ベリリウム、酸化アルミニウムのいずれかよりなる基板上に形成されたＴａ膜、Ｗ膜、Ｃｒ膜、Ｍｏ膜のいずれかである金属膜であって、該金属膜は立方晶系の結晶構造を有し、該金属膜は面内方向において１０μｍ以上の範囲にわたって周期的な規則性を示す結晶方位を有し、該結晶方位は、｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面という各結晶面が現れるように、特定の結晶軸方向を回転軸として徐々に回転する。 （もっと読む）