【課題】電圧検出器等の電気光学素子として有用なＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。この場合、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とする。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】溶液法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いたＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法による大型のＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が１．０×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を準備する工程と、ＨＶＰＥ法により、１１００℃より高い雰囲気温度で、第１のＩＩＩ族窒結晶１０の主面１０ｍ上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置であって、高周波コイル技術分野に属し、本発明が分流槽の位置配置を変化し、且つ前記「Ｃ」形の分流槽と補助電流引導孔によって補助され、又は２つの引き孔がその間に分流槽によって接続されてバーベル状均部に形成され、分流槽外端の引き孔が放射状に形成され、電流が流れる時に、分流槽又は分流槽と補助電流引導孔の分流作用下で、ほぼ均一に前記各引き孔に回って流れ、分流槽の補助下での電流が更に均一に各引き孔の周囲に分布できるため、電流が引き孔の周囲に均一に分布する目的を達成し、不良品の数も低減する。
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【課題】電気化学デバイス用電極用ウィスカー形成体及びその製造方法を提供。
【解決手段】ウィスカー形成体は、基材と、該基材の表面に配設されたウィスカー母材層と、該ウィスカー母材層の表面に配設されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層と、を有し、該ウィスカー形成層のウィスカーが、単体の融点が３００［Ｋ］以上１０００［Ｋ］以下である金属Ａの化合物から成り、該ウィスカー母材層が、該金属Ａを含み、該基材が、金属Ａの融点よりも高い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングしたリチウムイオン電池用正極材料及びその製造方法を提供する。本発明の電池用正極材料の製造方法として、まず沈殿法または化学合成法を用いて、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングした中間物を製造し、該中間物をリチウム塩と混合して前処理し、得られた混合物にポリビニルアルコールを投入し、均一に混合してから塊状物にプレス加工する。該塊状物を焼成炉に入れて８００〜９３０℃で焼成し、取り出して冷却、粉砕し、４００目開きの篩で篩分けを行い、篩目を通過した粉末材をさらに焼成炉に入れ、７００〜８００℃で焼成した後、取り出して冷却、粉砕することで、本発明に係る電池用正極材料を得る。この正極材料の粒子は、非集結単結晶粒子であり、粒子径が０．５〜３０μｍであり、一般式ＬｉＮｉ_xＣｏ_yＭｎ_zＭ_(1-x-y-z)Ｏ₂で表され、圧縮密度が３．４ｇ/ｃｍ³、初期放電容量が１４５〜１５２ｍＡｈ/ｇで、優れたサイクル特性及び高安全性を有する。
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【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造するときに、種結晶のマイクロパイプ欠陥及びボイド欠陥を共に抑制し、これにより品質の高い炭化ケイ素単結晶を製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長させる種結晶１００には、成長端面１００ａを有するものを用いる。この成長端面１００ａを有する種結晶１００を炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に設置するに先立って、種結晶１００の成長端面１００ａを真空チャック１で保持しつつ、種結晶１００の裏面１００ｂにスピンコートで保護膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板、当該基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル層付基板およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないＳｉＣ単結晶が得られるＳｉＣ単結晶製造方法、ＳｉＣ単結晶製造用反応容器、およびＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】開口部が形成され、内部に固体原料Ｒｍが装入される坩堝本体１２と、坩堝本体１２の開口部を密閉するとともに、内側の面にＳｉＣ種結晶Ｓｃが装着される蓋部１１と、前記ＳｉＣ種結晶Ｓｃに向かって水素または水素含有ガスを噴きつける水素供給孔３２とを備えるＳｉＣ単結晶製造用反応容器、および前記ＳｉＣ単結晶製造用反応容器（円柱状の坩堝１０）と加熱手段２０，２１とを備えるＳｉＣ単結晶製造装置において、坩堝１０内においてＳｉＣ種結晶Ｓｃ上に水素または水素含有ガスを噴き付けて前記ＳｉＣ種結晶Ｓｃを水素エッチングし、次いで、固体原料Ｒｍを加熱、昇華させ、前記水素エッチングされたＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶をバルク成長させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性をさらに向上させた炭化珪素単結晶を製造する製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝を収容する加熱炉を第１部材１２１および第２部材１２２によって構成し、これらの第１部材１２１および第２部材１２２同士の連結部分に、第１空間部３１０を形成している。第１部材１２１には、凹部１２１ａと、通気路１２１ｂとが形成され、前記連結部分の第１部材１２１には、凹部１２１ａの周囲を取り囲むように封止部材３２０が配設される。通気路１２１ｂは、第１空間部３１０内の気体を収容部材１００の外部に排出し、第１空間部３１０の内部の圧力を収容部材１００の内部の圧力よりも低くすることによって、収容部材１００内への外気の流入を防止する。また、第１空間部３１０に不活性ガスを充填することによって、収容部材１００内への外気の流入を防止してもよい。 （もっと読む）

【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、３００Ｋ以下の温度域におけるゼーベック係数が５００μＶ／Ｋ以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 （もっと読む）

【課題】従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に種晶を介して棒状結晶が立設してなり、前記種晶が第１の金属酸化物からなり、前記棒状結晶が第２の金属酸化物からなり、該棒状結晶の平均短径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする金属酸化物構造体である。 （もっと読む）