【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス製品、および/または、オプトエレクトロニクス製品に利用するGaNデバイスを加工する基板として、大きく、高純度で、低コストの単結晶半絶縁性のガリウムナイトライドを提供する。
【解決手段】およそ5ミリメーターよりも長い結晶構造の基板部材と、他の結晶構造を実質的に保有しない特徴のウルツ鉱型構造と、前記他の結晶構造の体積は、ウルツ鉱型構造の体積のおよそ1%以下であって、不純物濃度がおよそ1015 cm-1よりも大きいLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F、Clの少なくとも一つであって、およそ107Ω-cmよりも大きい電気抵抗であることを特徴とする結晶構造を含むガリウムナイトライド。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板に含まれる基底面転位がエピタキシャル膜に引き継がれるのを抑制して、高品質のエピタキシャル膜を成膜することができるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供し、また、これにより得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学気相堆積法によって、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる結晶成長工程において、エピタキシャル成長の主たる時間を占める結晶成長主工程での成長温度Ｔ₁に対し、低い設定温度Ｔ₀と高い設定温度Ｔ₂との間で、成長温度を上下に変化させる温度切り替え操作を伴う結晶成長副工程を含むエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法であり、また、この方法を用いて得られたエピタキシャル炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】高速なリチウムイオン伝導性を有し、平均構造として立方晶系に属したガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物の単結晶及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】ガーネット型リチウムランタンジルコニウム酸化物多結晶体を原料として用い、１１００℃〜１３００℃の温度で部分溶融させ結晶化させる高温での部分溶融法、前記原料を１３０１℃〜１５００℃の温度で溶融させ冷却によって結晶化させる融液成長法、あるいは、リチウム、ランタン、ジルコニウムの各原料化合物の混合物を出発原料とし、リチウム塩をフラックスとして、６００℃〜１３００℃の温度において結晶化させるフラックス法を適用することにより、縦、横、奥行きのうちの少なくとも１辺の長さが１０マイクロメートル以上、１ミリメートル以下である立方晶ガーネット関連型リチウムランタンジルコニウム酸化物の単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】電気磁気効果（マルチフェロイック）デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO₃の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下２つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO₃の高密度な原料棒３と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒４と、両棒の間に載置されたフラックス（溶融剤）５を用い、溶融帯域法（フローティングゾーン法）によりフラックス５を加熱して溶融帯域７を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO₃単結晶棒を作製する。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０上に炭化珪素種結晶１３を固定する方法であって、前記台座１０の種結晶側表面１０ａを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａ及び前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａと前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超低圧の酸素分圧の精製ガスを提供し得る酸素分圧制御装置、また、従来可能な低酸素分圧を得る上で製造コストを低廉化し得る酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部１と、処理装置Ｆにガス精製部１から精製ガスを供給して該ガス精製部に環流させるための循環路４と、該循環路中に設けられた循環用ポンプ５とを備え、ガス精製部１は、酸素ポンプ２１と水素ポンプ３１とを備え、循環路４が、ガス精製部１及び循環用ポンプ５を経る共通流路４１と、該共通流路から、処理装置Ｆを経る流路を形成する作動流路４２と、該共通流路から、処理装置Ｆを経ない循環のための流路を形成するバイパス流路４３とを備えていることを特徴とする酸素分圧制御装置。 （もっと読む）

【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】溶液法によってＳｉＣ単結晶を製造する際、ＳｉＣ多結晶の析出を抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の原料となる原料融液１を収容するための黒鉛坩堝２と、該黒鉛坩堝２の周囲に配置された加熱手段３と、前記黒鉛坩堝２の上方で上下方向に移動可能に配置された種結晶保持部５とを備え、該種結晶保持部５の下端に保持された種結晶４を前記黒鉛坩堝２内の原料融液１に浸漬させることにより種結晶４の下にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造装置において、前記黒鉛坩堝２の内壁と前記原料融液１の液面が接触する部分の少なくとも一部に、それらが接触しないように前記黒鉛坩堝２の内壁上に断熱材６が配置される。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって軸の側面付近の多結晶の生成を防止乃至は抑制して単結晶を成長させる得る溶液法による単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法による単結晶の製造方法において、種結晶１を冷却する冷却部２と軸周囲部３を加熱する加熱部４とを備え、表面層と遮断層と中心冷却層とから構成される軸５を備えたるつぼを用い、種結晶１と溶液１０とが接触後は種結晶１を冷却しつつ軸の周囲を加熱して単結晶を成長させることにより、種結晶１直上の周囲部３の温度を溶液界面の温度以上に高くして、軸５の側面の種結晶近傍での多結晶化を防ぐとともに、冷却効果による高速成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
（もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料４を収容する坩堝容器部１と炭化珪素種結晶５が取り付けられる坩堝蓋部２とを有し、前記坩堝蓋部２には、坩堝１の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶５が吸着して閉塞される貫通孔３が形成されている、改良型レーリー法による炭化珪素単結晶製造用坩堝１であって結晶成長が始まる前、貫通孔３等を通じてガス交換により、結晶成長空間８と坩堝外部との間に圧力差を生じないため、坩堝蓋部２に吸着・支持されずに隙間Ｄが維持された状態にあった種結晶５は、結晶成長時には、坩堝外部の圧力を坩堝内部８の圧力に対して低くなるように制御することで坩堝蓋部２に吸着される。その結果、熱膨張差に起因した応力や歪の無い状態で種結晶５を坩堝蓋部２の内側部分に支持することができる。 （もっと読む）