【課題】封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によってＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族単結晶等の半導体化合物を成長させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サポート・シリンダ２０５０は、統合されて封止されたアンプル４０００・るつぼ装置３０００を支持し、その一方で、サポート・シリンダ２０５０の内部の低密度断熱材２０６０が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料２０６０を貫通する輻射チャネル２０７０によって、シード・ウェル４０３０および結晶成長るつぼ３０００の移行領域３０２０に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】高強度柱状晶シリコン並びにこの高強度柱状晶シリコンを使用して作製したフォーカスリング、上部電極板およびシールドリングなどのプラズマエッチング用装置部品を提供する。
【解決手段】高純度シリコン原料および高純度シリカ原料を混合してるつぼにて溶解し、得られた溶湯を一方向凝固させることにより格子間酸素濃度が１×１０^１８〜２×１０^１８ａｔｍ／ｃｍ^３の範囲内にある高強度柱状晶シリコンインゴットを作製し、このインゴットを使用してプラズマエッチング装置のフォーカスリング１、上部電極板２およびシールドリング１２を作製する。 （もっと読む）

【課題】有毒ガス、特殊反応容器および特殊技術を使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫黄を含む官能基がダイヤモンド材料表面に結合したダイヤモンド材料。該硫黄官能基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。硫黄官能基を介して金属膜に結合した金属膜修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させ硫黄官能基をダイヤモンド材料の表面に結合させることにより硫黄を含む官能基が表面に結合したダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

【課題】高熱電変換効率、高耐熱性、高化学的耐久性、低毒性、安全、安価、の条件を満たす新規熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｂａ_３Ｃｏ_２Ｏ_６（ＣＯ_３）_ｘで表される複合酸化物で、３００−１１００Ｋの温度域で金属的導電性を示し、１００μＶＫ^−１以上の熱起電力を有する、擬一次元構造で結晶内にＣＯ_３基が存在することを特徴とする複合酸化物。 （もっと読む）

【課題】凝集せずに長時間にわたり安定である、粒径が数ナノメートルの酸化亜鉛結晶を提供すること、また、これにポリマーをグラフト化し、機能性を有するナノコンポジットを提供すること。
【解決手段】表面を２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノクリスタル。これは、溶解度高い亜鉛化合物（酢酸亜鉛）を出発原料として、数ナノメートルの酸化亜鉛結晶粒子の表面にＯＨ基をもつ有機物（ヒドロキシプロピオン酸）を導入し、次に、末端ＯＨ基を酸ブロミドで修飾し、重合開始点を導入し２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノ粒子が得られ、これにリビングラジカル重合してポリマー鎖をグラフト化すればナノコンポジットが製造できる。 （もっと読む）

【課題】高品質で長尺なＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の製造装置において、容器１は、一面が開口しており内部に記炭化珪素原料２が配置される中空形状の本体１ａと、前記本体１ａの前記開口する一面側に配置される蓋材１ｂと、炭化珪素単結晶基板３が配置される台座５とを備え、前記蓋材１ｂと前記台座５とが別部材で構成され、前記台座５が接合部材６を介して前記蓋材１ｂに貼り合わされた構成とする。 （もっと読む）

【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部１ａを有する坩堝１と、坩堝１内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部１ａから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝１の開口部１ａにはキャップ２が配置されており、キャップ２は、その全体が開口部１ａの中心軸Ａ方向に約６ｍｍ以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部２ｃの略中心から坩堝１の開口部１ａの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴２ａであって、開口部１ａの中心軸Ａに対して約１５〜６０度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴２ａが、略放射状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】長時間プラズマエッチングを行っても均一なエッチングを行うことができるシリコン電極板を提供する。
【解決手段】シリコン電極板２にガス噴出孔５を設けてなるシリコン電極板において、前記ガス噴出孔５は、深さがシリコン電極板２の厚さよりも浅くかつ軸がシリコン電極板の厚さ方向になるように設けられている有底大径孔部分８と、この有底大径孔部分８の底部分からシリコン電極板２の厚さ方向に対して非平行な方向に向かってシリコン電極板の片面に貫通している複数の貫通細孔９とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温での熱処理を行わなくとも、シリコン基材同士を精度よく強固に接合することができるシリコン基材の接合方法、この接合方法を用いて製造された信頼性の高い液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置、および、前記シリコン基材の接合方法を用いて製造された電子デバイスを提供する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｈ結合を含む第１のシリコン基材１に対し、エネルギーを付与して、へき開すべき面１１に沿って存在するＳｉ−Ｈ結合を選択的に切断し、生成した水素ガスの膨張圧によって、第１のシリコン基材１をへき開し、このへき開面１３にシリコンの未結合手１４を露出させる第１の工程と、へき開された第１のシリコン基材１’のへき開面１３と、表面にシリコンの未結合手が露出した第２のシリコン基材の表面とを接触させ、これらを接合する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を得ることができる単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素の｛０００１｝面を主面とする種結晶基板１の内部に含まれるマイクロパイプ２や転位３を、まず強アルカリ溶融塩への浸漬でピット４に変え、次いで基板１の全面を炭素もしくはモリブデンなどの高融点金属からなるマスク５によって覆い、化学機械研磨もしくは機械研磨でピット４部のマスク６以外の箇所のマスク５を除去した後、新たに成長させたエピタキシャル成長層７で基板１の全面を覆い尽くすことで、短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を製造することができる。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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本発明は、貴金属酸化物、貴金属物質またはハロゲン化貴金属を前駆物質として利用した貴金属ナノワイヤの製造方法及び貴金属ナノワイヤを提供して、詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた半導体または不導体単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に貴金属単結晶ナノワイヤを形成する製造方法、及び本発明の製造方法により製造された貴金属ナノワイヤを提供する。本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノワイヤが、欠陥及び不純物を含まない完璧な単結晶状態の高純度・高品質貴金属ナノワイヤである長所があり、単結晶基板上に凝集されていない均一な大きさの貴金属ナノワイヤを大量生産できる長所があって、貴金属ナノワイヤが単結晶基板表面と方向性を有し、その方向性及び配列が制御可能な長所がある。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で光活性の高い結晶面に配向した一次元構造のペロブスカイト型酸化物が基板に対して垂直方向に配向している機能性材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面に形成される被膜からなる機能性材料であって、前記被膜にペロブスカイト型酸化物の柱状物質を含み、前記柱状物質の長手方向がペロブスカイト型結晶の（１１０）方向に配向している機能性材料。
前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質が単結晶であり、また前記ペロブスカイト型酸化物の柱状物質の長手方向が基材に対して垂直方向に配向している機能性材料。 （もっと読む）

【課題】平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内のＳｉ融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持したＳｉＣ種結晶を起点としてＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、上記Ｓｉ融液に、５〜３０at％のＴｉと、１〜２０at％のＳｎまたは１〜３０at％のＧｅとを添加する。Ｔｉ添加によりＣの溶解度が増加してＳｉＣ単結晶の成長速度が向上し、同時に、ＳｎまたはＧｅのサーフアクタント効果により平坦性の高いＳｉＣ単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯウィスカー膜とその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯウィスカー膜であって、ＺｎＯ結晶を主成分（モル比５０％以上）としており、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したＺｎＯウィスカー膜である、ことからなるＺｎＯウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び／又はｐＨを調整してＺｎＯ結晶を析出させ、基板上にＺｎＯウィスカー膜を形成させることからなるＺｎＯウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料。 （もっと読む）

【課題】シード昇華システムにおいて、底面欠陥レベルの低い、高品質のシリコンカーバイドバルク単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード昇華成長法により、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成した後、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で該ブールをスライスし、さらに研磨することにより、ウェハ上に５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域とを有する高品質のＳｉＣウェハが得られる。 （もっと読む）

【課題】Liイオン電池正極材料として、低い出力密度から高い出力密度においても、大きな容量を示し、安定したサイクル特性および安定なプラトーを有する単結晶スピネル型LiMn₂O₄ナノワイヤーの製造方法、これを使用したハイレート用電極及びＬｉイオン電池の提供。
【解決手段】Mn₃O₄と１〜２０Mの水酸化ナトリウム水溶液を、１〜５００気圧で、１８０〜２５０℃、６時間〜２４０時間で反応させ、反応物を水洗後乾燥させ、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーとし、さらに、単結晶マンガン酸ナトリウム（Na_0.44MnO₂）ナノワイヤーを水洗し、乾燥させ、この単結晶マンガン酸ナトリウムと超過のLiNO₃/LiClを、４００〜５００℃において反応させた後、水洗し、乾燥させ、７００〜９００℃で熱処理することで単結晶LiMn₂O₄ナノワイヤーが得られる。 （もっと読む）

【課題】精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤２、および軟質な研磨パッド３を用いてＳｉＣ単結晶基板１の表面研磨を行う研磨工程（ａ）と、前記ＳｉＣ単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ４にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程（ｂ）と、前記洗浄ロットを薬液６へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程（ｃ）と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液８を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程（ｄ）と、ＳｉＣ単結晶基板１の表面に付着している洗浄液８をリンス液１１に置換するリンス工程（ｅ）と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液１１へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程（ｆ）と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程（ｇ）と、から成るＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップと、を含むステップによって独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成する。 （もっと読む）