【課題】単位体積当たりの表面積が大きく、キャパシタ用電極として用いることによって、その電極効率を向上させることができるウィスカー形成体と、このようなウィスカー形成体の製造方法、さらには当該ウィスカー形成体を用いた電気化学キャパシタを提供する。
【解決手段】マンガンを含む金属及び／又はセラミックス、すなわち金属、セラミックス、又はこれらの複合体であるサーメットを原料基体とし、又は表面上にマンガン含有層を形成させたものを原料基体とし、この表面に二酸化マンガンを主成分とする導電性ウィスカーを形成させてウィスカー形成体とし、これを電気化学キャパシタの電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓウェハの面内転位密度（ＥＰＤ値）及び残留応力を一定範囲に絞り込むことにより、イオン注入後の活性化アニールの如き熱処理においてスリップ転位の発生をなくした半絶縁性ＧａＡｓウェハの提供。
【解決手段】ＬＥＣ法又は縦型融液法（ＶＢ法、ＶＧＦ法）によりＧａＡｓ単結晶１０を成長させる際の結晶中の温度勾配を２０℃／ｃｍ以上１５０℃／ｃｍ以下とすることにより、ウェハ面内の転位密度（ＥＰＤ）を、３０，０００個／ｃｍ^２以上１００，０００個／ｃｍ^２以下とする。ＧａＡｓ単結晶１０を成長させた後、ＧａＡｓ単結晶１０にアニールを実施する際に、アニール時の最高到達温度を９００℃以上１１５０℃以下とし、かつＧａＡｓ単結晶１０中の温度勾配を０℃／ｃｍ以上１２．５℃／ｃｍ以下とすることにより、光弾性測定で得たウェハ面内残留歪値（｜Ｓｒ-Ｓｔ｜）を、１．８×１０^-５以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】 表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】窒素が添加された高抵抗のシリコン単結晶インゴットを原料として用いた場合においても、本来必要とされる中性子照射量を正確に把握し、目標抵抗率を正確に得るための中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、該中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、該ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射を行う。 （もっと読む）

【課題】種結晶に存在する欠陥や歪みの伝播を抑制することにより高品質な単結晶を得ることが可能となる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】欠陥や歪みが多く存在する種結晶の側面及び外縁部を昇華エッチングして前記種結晶の口径を縮小する工程と、口径が縮小された前記種結晶を、所望の大きさにまで口径拡大する単結晶成長工程を順次実施することにより、種結晶外縁部に起因する欠陥や歪みの発生や伝播を抑制して単結晶成長させることができ、高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板を提供し、それによってウエハ表面をバラツキなく均一にエッチングする。
【解決手段】比抵抗値の面内バラツキが５％以内であることを特徴とするプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板。 （もっと読む）

【課題】基板とダイヤモンド層との密着性を高め、ダイヤモンド層の剥離、基板の浸食を防ぎ、基板の大型化やダイヤモンド厚みの増加を容易にし、ダイヤモンド被覆電極として背面側からの給電を可能にし、電力効率の向上を目的とする。
【解決手段】本発明は、多孔質の絶縁体基板上に導電性ダイヤモンド層を形成した構造の複合基板であって、前記導電性ダイヤモンド層が前記多孔質絶縁体基板の片側表面の空孔を塞いでいて、前記多孔質絶縁体基板の他方側から金属を含浸させることによって、前記導電性ダイヤモンド層を形成した側の表面と反対側の表面が電気的に導通することを特徴とする複合基板である。 （もっと読む）

【課題】電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電気効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、ダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ²以上１０００μｍ²以下であるダイヤモンド被覆基板である。特に基板の材質が、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎであり、また導電性ダイヤモンド層が、硼素、リン、窒素のうち一つ以上を不純物として含み、導電性ダイヤモンド層が、１ｐｐｍ〜１０００００ｐｐｍの範囲にある硼素を含有しても良い。 （もっと読む）

少なくとも１つの結晶化核形成部位が配置された表面を有する基板を備える装置。この装置はさらに、第２の表面を有する第２の基板を備える。第２の表面は、結晶化開始材料をアモルファス状態または初期結晶状態で維持するように構成される。結晶化核形成部位は、結晶化開始材料にある性質を与えるように構成される。
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【課題】直進性および配列性に優れたナノワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）多孔性テンプレートを準備する段階；（ｂ）前記多孔性テンプレートを金属触媒層が形成された基板上に配置する段階；および（ｃ）ＳＬＳ法またはＶＬＳ法によって前記多孔性テンプレート内の気孔に沿ってナノワイヤを形成する段階；を含む、ナノワイヤの製造方法である。 （もっと読む）

本発明のナノ寸法クラスターを形成する方法は、クラスターを形成する材料を含む溶液を、基材材料中に含まれる天然または合成由来のナノ細孔中に導入すること、続いて該溶液をレーザー放射線パルスに、低温プラズマが発生し、そのプラズマが存在する領域で気体状媒体を形成するように露出することからなり、該プラズマが冷却して行く間に、液体基材上におけるクラスター材料の結晶化により、クラスター材料が純粋な材料に戻り、それによって、基材材料と接合された単結晶量子ドットを形成する。該方法により、異なった材料から、二または三次元的クラスター格子および互いに接合されたクラスターを形成することができる。本発明により、様々な材料から、基材ナノキャビティ中にワイヤを、およびガラスに塗布された有機材料中に分散した溶液微小滴から量子ドットを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面のダイマー列に直交する分子列を有する基板の提供。
【解決手段】少なくとも１つのダングリングボンドを含む水素終端基板上に、チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子を供給することにより、前記分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化された基板を製造する方法。表面に分子が固定化された基板。チオール基または水酸基と前記基板を構成する元素との間で共有結合形成可能な基を含む分子が、前記共有結合形成可能な基と基板を構成する元素との間の共有結合によって表面に配列して固定化されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、かつ種々の形状の材料に適用できる、高細密な針状突起配列構造を表面に有するダイヤモンドの製造方法等を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基材の少なくとも表面近傍領域に、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、銅（Ｃｕ）、ヒ素（Ａｓ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、及び金（Ａｕ）のうちの１種類以上のドーパントが１×１０¹⁹個/cm³以上の濃度でドープされたダイヤモンド基材２ａに対し、酸素ガスによるドライエッチングによってダイヤモンド基材の表面を処理することによりダイヤモンド基材の表面に針状突起配列構造３を形成する。 （もっと読む）

【課題】近接昇華法を用いた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造において、昇華用原料を均熱加熱できる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料２と炭化ケイ素基板４の間に炭化ケイ素単結晶の成長領域を形成することができる程度に昇華用原料２と炭化ケイ素基板４を近接して配置した後、坩堝１０の昇華用原料２収容側から電子衝撃加熱して昇華雰囲気を形成し、炭化ケイ素基板４上に炭化ケイ素単結晶を成長させる。上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 （もっと読む）

【課題】 強誘電特性を示すタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜の製造方法、この製造方法により得られた強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及びその応用製品を提供する。
【解決手段】 酸化タンタルを、低濃度の酸化カリウム水溶液と混合して、超臨界水熱条件下で水熱処理をすることにより、基本構造が、次の一般式；
Ｔａ_２Ｏ_５・ｘＫ_２Ｏ （式中、ｘは、０．９〜１．１の数である。）
で表される、強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜を製造する方法、この方法により得られた、強誘電材料用のタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及び薄膜部材を構成要素として含むことを特徴とする強誘電・圧電機能が付加された製品。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉとＴｉとＭ（Ｍ：Ｃｏ、ＭｎまたはＡｌのいずれか一種）とＣとを含み、ＳｉとＴｉとＭの原子比が、ＳｉｘＴｉｙＭｚなる式で表して、ＭがＣｏまたはＭｎの場合は、０.１７≦ｙ／ｘ≦０.３３、かつ０.９０≦（ｙ＋ｚ）／ｘ≦１.８０、ＭがＡｌの場合は０.１７≦ｙ／ｘ≦０.３３、かつ０.３３≦（ｙ＋ｚ）／ｘ≦０.６０、を満たす融液に、ＳｉＣ成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているＳｉＣを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

本発明は半導体材料のドーピング方法に関する。基本的には、該方法は一定量の粒状半導体材料とイオン性塩またはイオン性塩の調製物を混合することを含む。好ましくは、粒状半導体材料は1 nm ないし100 μmの範囲のサイズを有する粒子を含む。特に好ましくは、粒子サイズは50 nmないし500 nmの範囲である。好ましい半導体材料は真性および金属級シリコンである。本発明はバインダーおよび溶媒と同様、ドープした半導体材料を含む印刷可能組成物にまで及ぶ。本発明はさらに、pおよびn型特性を有する印刷可能組成物層から形成される半導体デバイスに及ぶ。
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