【課題】複数のタイル基板を用いて主表面におけるピットの発生が少ない大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、平面充填ができる三角形および凸四角形のいずれかの形状である主表面１０ｍを有するタイル基板１０を複数準備する工程と、タイル基板１０の頂点部が互いに向かい合う任意の点において互いに向かい合う頂点部の数が３以下であるように、複数のタイル基板１０を平面充填させて配置する工程と、配置された複数のタイル基板１０の主表面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ベース基板上に形成される非ｃ軸配向ＡｌＮ結晶粒を利用して、ＡｌＮを横方向成長させ、結晶性が改善された単結晶ＡｌＮを製造する方法を提供する。
【解決手段】１０００〜１６００℃で加熱処理したベース基板を準備し、ベース基板を９００〜１１００℃に加熱し、ベース基板の結晶成長面上でハロゲン化アルミニウムガスと窒素源ガスとを供給し反応させて、ｃ面単結晶からなる結晶成長面にｃ面以外に配向した単結晶ＡｌＮからなる結晶粒が分散しているラテラル成長用前駆体基板を作製し、その後、ラテラル成長用前駆体基板を１２００〜１７００℃にし、結晶成長面のｃ面単結晶からなる領域上にＡｌＮ単結晶を突起部の高さよりも高くなるように優先的に成長させて、凹部が分散して存在する結晶成長面を有するラテラル成長用基板を作製し、さらに、ＡｌＮ単結晶を横方向に成長させることで、結晶性が改善されたＡｌＮ単結晶を成長させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程Ｓ２００と、切り出したウエーハについてラング法によるＸ線トポグラフィ測定を行い、（１１−２０）面のＸ線回折像が得られるＸ線の入射角度ωに対し、±０．１５°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したＸ線によりＸ線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程Ｓ５００と、選別されたウエーハの被成膜面上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程Ｓ８００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記サファイア基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層（２）の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層（２）のＣ軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板（１）表面のＣ軸には半径方向外方に傾きを持たせた。 （もっと読む）

【課題】１ミクロンより小さい、好適には１０ｎｍより小さい（チヤネルまたは細孔）幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル（またはナノ細孔）を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板１を含むデバイスであって、単結晶基板１は、単結晶基板１の所定の結晶面を露出させる少なくとも１つのリセス領域４を有し、少なくとも１つのリセス領域４は、更に、リセス幅を有し、および充填材料５と埋め込まれたナノチャネル６とを含み、埋め込まれたナノチャネル６の幅、形状、および深さは、少なくとも１つのリセス領域４のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＸ線回折による（００２）面のロッキングカーブ半値幅が１５００秒以下のＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に形成されたＧａＮ系半導体層１４と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±２５ｍ以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを４インチとした場合、±５０μｍ以下である。ＧａＮ系半導体層１４はＡｌＮ層１２から圧縮応力を受ける。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層のグレインサイズを大型化することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、（１１１）面から０．１度以下のオフ角度で傾斜した面を主面とするＳｉ基板１０と、Ｓｉ基板１０の主面に接して設けられ、（００２）面のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が２０００ｓｅｃ以下であるＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＧａＮ系半導体層２０と、を備える半導体装置１００である。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板１の主表面１ｍ上に、液相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる第１の結晶成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる第２の結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】拡大成長させた場合に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体単結晶を得ることができるIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体の種結晶の製造方法は、気相成長法により、種結晶形成用部材１上に複数のIII族窒化物半導体の核を離間させて形成し、前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶２を得る。 （もっと読む）

【課題】目的とする窒化物単結晶の周囲に発生する多結晶の発生を抑制して、厚さ８．０ｍｍ以上の窒化物単結晶を容易に得ることが出来る製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板の周囲に下地基板と異なる種基板を配置する工程と、該下地基板上に窒化物単結晶を成長させる工程を含む窒化物単結晶の製造方法であって、下地基板上の窒化物単結晶の成長速度よりも種基板上の窒化物単結晶の成長速度の方が遅い、窒化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の口径の結晶を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶１３からＳｉＣ単結晶１４を成長させる際において、Ｘ線発生装置２１とイメージ管２２を用いて結晶口径を測定する。そして、上下動機構１７により結晶１４のガイド部材６ａへの挿入量を変化させて、測定した結晶口径を任意の設定値に合わせ込む。 （もっと読む）