【課題】 初期サイクル時にみられる充放電不可逆容量が十分に小さく、優れた高温保存特性を有し、初期サイクル時、及び高温保存時におけるガス発生が低減されるリチウムイオン二次電池を得ることが可能な負極材料を提供する。
【解決手段】 下記式１で表される表面官能基量Ｏ／Ｃ値が１％以上、４％以下であり、かつ、下記式２で表される表面官能基量Ｃｌ／Ｃ値と下記式３で表される表面官能基量Ｓ_１６５／Ｃ値の和（Ｃｌ／Ｃ＋Ｓ_１６５／Ｃ）が０．０５％以上、０．５％以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用炭素材料。
式１
Ｏ／Ｃ値（％）＝Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）分析におけるＯ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＯ原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００
式２
Ｃｌ／Ｃ値（％）＝ＸＰＳ分析におけるＣｌ２pのスペクトルのピーク面積に基づいて
求めたＣｌ原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００
式３
Ｓ_１６５／Ｃ値（％）＝ＸＰＳ分析におけるＳ２ｐに対応するスペクトルのうち１６５ｅＶ付近のピークのピーク面積に基づいて求めたＳ_１６５原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００ （もっと読む）

【課題】酸化処理によってカーボンナノチューブ中の不純物やカーボンナノチューブのエンドキャップを除去することができるとともに、酸化処理によって生じたカーボンナノチューブの欠陥を修復することができる、カーボンナノチューブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アーク放電により生成したカーボンナノチューブを含む煤を大気中において加熱する第１の酸化処理を行った後、酸に浸して処理する第１の酸処理を行い、大気中において第１の酸化処理の温度以上の温度で加熱する第２の酸化処理を行った後、酸に浸して処理する第２の酸処理を行うことにより、単層カーボンナノチューブ中の不純物や単層カーボンナノチューブの両端のエンドキャップを除去し、その後、真空中において加熱する真空加熱処理を行うことにより、酸化処理で生じた単層カーボンナノチューブの欠陥を修復する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの特性を損なわずに、カーボンナノチューブの欠陥を簡単且つ確実に評価することができる、カーボンナノチューブの評価方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブをエタノールなどの溶媒に入れて超音波で分散させ、このカーボンナノチューブを含む溶媒を金属基板にエアブラシなどで吹き付けた後に乾燥させることによって、金属基板に固定されたカーボンナノチューブに、Ｈ_２やＤ_２などの気体を吸着させた後、昇温させて昇温脱離スペクトルを測定し、得られた昇温脱離スペクトルのピーク温度やピーク形状に基づいて、カーボンナノチューブの欠陥を判断する。 （もっと読む）

【課題】硬度に優れた領域と潤滑性に優れた領域とを同一平面内に局在させて併せ持つことが可能なＤＬＣ膜を備えた金属部材を提供すること。
【解決手段】少なくとも鉄を含む金属基材１１上にＤＬＣ膜１２を配してなる金属部材１０であって、ＤＬＣ膜１２は、ラマンスペクトルにおいて、波数が１５５０〜１６００［ｃｍ^―１］の範囲に観測されるグラファイトに起因したピークを有し、前記ピークの強度が膜面内に複数異なって混在し、前記ピークの強度の最大と最小の差が１桁以上であること。 （もっと読む）

【課題】従来に比しグラファイト化度が高い気相成長炭素繊維を得ることのできる気相成長炭素繊維の製造方法および気相成長炭素繊維を提供する。
【解決手段】炭素を含むガスを触媒と接触させて気相成長炭素繊維を製造する方法において、触媒として、酢酸マグネシウムを含む担体、活性金属種および助触媒とを、シュウ酸を用いて共沈させて得られるものを用いる気相成長炭素繊維の製造方法である。前記製造方法により製造され、グラファイト化度が３．０以上である気相成長炭素繊維である。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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【課題】高温耐久性を始めとする保護膜として要求される種々の特性、特に耐熱性や耐融着性、表面平滑性に優れたＤＬＣ膜と、このようなＤＬＣ膜を備えたＤＬＣコート金型を提供すること。
【解決手段】ＤＬＣ膜をｔａ−Ｃ、つまり、ｓｐ^３／（ｓｐ^２＋ｓｐ^３）構造比が０．５〜０．９、水素含有量が０〜５原子％、ナノインデンテーション硬さが４０〜１００ＧＰａ、密度が２．７〜３．４ｇ／ｃｍ^３であるＤＬＣから成るものとし、基材上に成膜された表面に対する針先端曲率半径２μmの触針式表面形状測定器による測定送り０．０１ｍｍの表面走査検出において、基材の成膜前における被成膜面の算術平均粗さＲａ（Ｓ）に対するＤＬＣ膜面の算術平均粗さＲａ（Ｄ）の絶対値変化量ΔＲａ（＝｜Ｒａ（Ｓ）−Ｒａ（Ｄ）｜）が０．７５ｎｍ以下、且つ当該ＤＬＣ膜面における高さ又は深さが２０ｎｍ以上の凹凸の数が単位走査距離及び単位膜厚あたり０．０１個／単位走査距離（ｍｍ）／単位膜厚（ｎｍ）以下のものとする。 （もっと読む）

【課題】下地金属との間の抵抗を低減可能な炭素被覆金属部材を提供する。
【解決手段】炭素被覆金属部材１０は、基板１と、導電性炭素膜２とを備える。基板１は、ＳＵＳ３１６Ｌからなる。導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。この場合、導電性炭素膜２を形成する前のＥＣＲスパッタリング装置２０の圧力は、１．３３×１０^−２Ｐａ以下に設定され、基板１の温度は、室温〜３００℃以下の範囲に設定され、基板バイアスは、１５Ｖ〜４０Ｖの範囲に設定され、ターゲットバイアスは、−１０００Ｖ〜−２００Ｖの範囲に設定され、ターゲット２７に印加されるパワー密度は、１．７５Ｗ／ｃｍ^２〜８．７５Ｗ／ｃｍ^２の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ、特に単層カーボンナノチューブをアーク放電法により実用的規模で安全に製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】 以下の工程１〜４を記載された順序で含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法により上記課題は解決される。
工程１：アーク放電法によって粗カーボンナノチューブを得る工程
工程２：粗カーボンナノチューブを、水を含む溶媒にて湿潤させる工程
工程３：粗カーボンナノチューブを、硝酸を含む水溶液にて酸処理する工程であって、反応温度が６０℃以上９０℃以下かつ反応時間が２４時間以上７２時間以下である工程
工程４：前工程で得られた反応液をろ過することによって精製カーボンナノチューブの分散液を得る工程 （もっと読む）

【課題】高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する好適な記録媒体
およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのｓｐ^３炭素−炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する磁界により向上される。 （もっと読む）

【課題】オン／オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブＦＥＴの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。この単層カーボンナノチューブヘテロ接合をチャネルに用いて単層カーボンナノチューブＦＥＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記の課題を解決し、高グラファイト化度を有し、高品質なカーボンナノチューブを高純度で製造することを課題とする。
【解決手段】 炭素数２以上の炭素含有化合物を含む原料ガスを触媒と接触させるカーボンナノチューブの合成方法であり、前記炭素含有化合物の７００℃以上における熱分解率が１０％以下となるような条件で触媒と接触させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法であり、前記炭素数２以上の炭素含有化合物としてはエチレンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの内部空間を有効な吸蔵空間として十分に活用するために、チューブ径分布を制御しつつ適切なチューブ径に拡大できるカーボンナノチューブの大径化方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを真空中または不活性雰囲気中で熱処理して大径化する方法において、出発材料として、チューブ径の相対分散χｄ／ｄ＝０．１０〜０．１６であり、ラマン分光におけるＤ／Ｇ比≧０．０２であるカーボンナノチューブを用いることを特徴とするカーボンナノチューブの大径化方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォール（ＣＮＷ）のウォール間の間隔を変化させ、その表面積を制御させたり、その結晶性を制御して高電位における耐腐食性を向上させるカーボンナノウォール（ＣＮＷ）の構造制御方法を提供するとともに、構造制御された高表面積のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）及び高結晶性のカーボンナノウォール（ＣＮＷ）を提供する。
【解決手段】（１）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であることを特徴とするカーボンナノウォール。（２）照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。（３）ウォール表面積が５０ｃｍ^２／ｃｍ^２−基板・μｍ以上であるとともに、照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。 （もっと読む）

本発明は、伝導性であり、金属非含有であり、かつ、親水性の炭素系被覆を少なくとも部分的に基板に設けることによって、基板の湿潤性を向上させる方法に関する。この炭素系被覆は、窒素でドープされ、１０^８ｏｈｍ−ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。さらに本発明は、伝導性であり、金属非含有であり、かつ親水性の炭素系被覆で少なくとも部分的に被覆された基板にも関する。
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【課題】導電性の塗料、電波吸収材、遮光材料等に用いた際に、高い導電性、充填性や遮光性等が得られる結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下の箔片状結晶片を含有する炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素材料は、炭化水素化合物をプラズマ熱分解して得られる結晶性のものであって、その結晶の厚さ（Ｌｃ）が１０ｎｍ以下である箔片状結晶片を含有する。この炭素材料は、不活性ガス、または不活性ガスと水素ガスあるいは炭酸ガスとの混合ガスをプラズマ発生室内で、標準状態（２５℃で１０１３２５Ｐａ）におけるガスの流速が０．６０２ｍ／ｓｅｃ以上になるように供給し、プレート電力６ｋＶＡ以上の高周波を印加した後、前記炭化水素化合物を５Ｌ／ｍｉｎ以上導入して該炭化水素化合物の熱分解を行って製造する。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな成膜設備を必要とせずに、生産性が高く、複雑な表面形状を有する表面に対しても十分に表面被覆が行えるＤＬＣ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】デカフェニルシクロペンタシランからなる側鎖としてフェニル基を有するポリシラン化合物を含む溶液１１に光を照射して、溶液１１中に高分子材料を生成する工程と、光照射後の溶液１１を基板２１上に塗布し、高分子膜２２を形成する工程と、基板２１に熱処理を行うことで、高分子膜２２をＤＬＣ膜２３に変化させる工程とを有することを特徴とするＤＬＣ膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】電気二重層キャパシタのエネルギー密度等の基本的特性をさらに向上させ、耐用寿命や高温環境下での安定性をも向上させる電極活物質用炭素質材料を提供すること。
【解決手段】結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20％以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。 （もっと読む）

【課題】窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層が形成された基板を反応チャンバ内に装着する工程と、前記反応チャンバ内にＨ_２Ｏプラズマの雰囲気を形成する工程と、前記反応チャンバ内に炭素前駆体及び窒素前駆体を供給して、前記Ｈ_２Ｏプラズマの雰囲気下で前記炭素前駆体及び前記窒素前駆体を化学反応させることによって、前記触媒金属層上に窒素ドーピングされたカーボンナノチューブを成長させる工程とを含む、窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の陽極１１ａの載置面に基板１が載置される。陽極に対向する陰極１３には流路１３ａが形成され、冷却水が通される。陽極１１ａと陰極１３とに電圧を印加して、プラズマにより基板１上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極１１ａを冷却部材１２で冷却して基板１を所定の温度に急冷する。 （もっと読む）