【課題】カーボンオニオン粒子を含む単一の層からなるカーボンオニオン粒子分散膜、及びこれを低コストで製造することが可能なカーボンオニオン粒子分散膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンオニオン粒子と、金属粒子と、非晶質相とを含む混合層からなるカーボンオニオン粒子分散膜。少なくともその表面に金属炭化物を含む基材の表面にパルスレーザーを照射する照射工程を備え、前記パルスレーザーは、照射強度が５×１０¹³Ｗ／ｃｍ²以上１０¹⁷Ｗ／ｃｍ²以下であるカーボンオニオン粒子分散膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒質量当たりの炭素繊維の生成効率（重量増加）が高く且つ不純物の少ない炭素繊維を効率的に製造できる触媒、及び電気伝導性や熱伝導性が高く、樹脂等への充てん分散性に優れた炭素繊維を提供する。
【解決手段】〔I〕Ｆｅ元素を含有する化合物、〔II〕Ｃｏ元素を含有する化合物、〔III〕Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する化合物、および〔IV〕ＷおよびＭｏからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する化合物を溶媒に溶解または分散し、該溶液または分散液を粉粒状担体に含浸させる工程を経ることによって炭素繊維製造用触媒を得る。該触媒に炭素源を気相中で接触させる工程を経ることによって、チューブ状で、黒鉛層が炭素繊維軸に対して略平行で、シェルが多層構造をなした炭素繊維を得る。 （もっと読む）

【課題】水やエタノールなどの溶媒に、より高濃度で分散（溶解）させることが可能な表面修飾されたカーボンナノチューブを製造する方法を提供すること。
【解決手段】発煙硝酸中または発煙硝酸と濃硫酸との混酸中、６０〜９０℃で、カーボンナノチューブに超音波処理を施して前記カーボンナノチューブにニトロ基を付加せしめることにより得られるニトロ化カーボンナノチューブと、求核剤とを反応せしめることにより、前記ニトロ化カーボンナノチューブのニトロ基を他の官能基に置換せしめることを特徴とする表面修飾カーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒質量当たりの炭素繊維の生成効率（重量増加）が高く且つ生成効率の温度依存性が小さく、不純物濃度のばらつきが小さく、樹脂等への充てん分散性に優れ、樹脂等の電気伝導性や熱伝導性を高くすることができる炭素繊維を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】〔I〕Ｃｏ元素を含有する化合物、〔II〕Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する化合物、並びに〔III〕ＷおよびＭｏからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する化合物を溶媒に溶解または分散し、該溶液または分散液を粉粒状担体に含浸させて、触媒を得る工程、および該触媒に炭素源を気相中で接触させる工程を含む、炭素繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】気相成長法で得た多層のカーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来のカーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。
【解決手段】加熱雰囲気内に炭素源ガスを流通し、前記炭素源ガスと接触する触媒の表面から多層のカーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によってカーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有の鉱物粉末を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非常に高導電性、高品質、分散性が良好な２層カーボンナノチューブ集合体およびその製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】以下の（１）〜（４）の条件を満たすカーボンナノチューブ集合体。
（１）体積抵抗率が１×１０^−４Ω・ｃｍ以上、１×１０^−２Ω・ｃｍ以下。
（２）カーボンナノチューブ集合体の５０％以上が２層カーボンナノチューブ。
（３）カーボンナノチューブ集合体の測定波長５３２ｎｍにおけるラマンＧ／Ｄ比が３０以上、２００以下。
（４）燃焼ピーク温度が５５０℃以上、７００℃以下。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン等の電極に金属型単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）、チャネルに半導体型ＳＷＣＮＴを利用することで、チャネル・ソース・ドレイン間のコンタクトが良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＷＣＮＴ原料から、金属型・半導体型ＳＷＣＮＴの分離精製を行い、それぞれ純度９０％以上のものを用意し、インクジェット法により、ソース・ドレインを金属型ＳＷＣＮＴで形成し、チャネルを半導体型ＳＷＣＮＴで形成することにより、良好なコンタクトを保ちながら、トランジスタ動作が可能となる。 （もっと読む）

電気化学的工程を含むナノ材料を分散する方法。約０．１ｍｇｍ^−１以上の濃度の個々の帯電したナノ材料および溶媒を含む分散されたナノ材料の溶液、および電気化学セルが開示されている。 （もっと読む）

【課題】アームチェア型カーボンナノチューブを多く含む溶液及び薄膜を提供する。
【解決手段】遠心チューブ内にコール酸ナトリウム及びドデシル硫酸ナトリウムを混合させた溶液をｉｏｄｉｘａｎｏｌ分子により濃度勾配をかけて配置し、一方、デオキシコール酸ナトリウムを界面活性剤として用いてカーボンナノチューブを分散させ、その分散液からコール酸ナトリウム・ドデシル硫酸ナトリウム・ｉｏｄｉｘａｎｏｌ分子混合水溶液を作製し、前記遠心チューブに挿入し、この遠心チューブを遠心分離機にかけ、アームチェア型カーボンナノチューブを３０％以上含む溶液及び薄膜、或いはカイラル角が２０度以上の金属型カーボンナノチューブが９０％以上含まれる容液及び薄膜が得られた。 （もっと読む）

金属とアミンを含む電子液体にナノチューブを接触させることを含むナノチューブを分散する方法。約０．０１ｍｇｍ^−１を超える濃度の個々のナノチューブおよび溶媒を含む分散されたナノチューブの溶液、および結晶が１００ｎｍ以上の厚さを有するナノチューブの最密配列を含むナノチューブ結晶を開示する。
（もっと読む）

【課題】新規な安価な密度勾配剤を用いて遠心操作により高純度で金属型・半導体型ＣＮＴを分離する方法を提供する。
【解決手段】糖類という非常に安価な物質を密度勾配剤として用い、その密度の範囲を、１．１８〜１．２９ｇ／ｍｌとするとともに、９〜１８℃で遠心分離を行うことにより、金属型ＣＮＴの第一吸収バンドの強度と半導体型ＣＮＴの第二吸収バンドの比が０．８以上の金属型ＣＮＴ又は半導体型ＣＮＴを分離することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】メタンガスなどの吸熱反応性炭素含有原料から、活性化したアルミナ担持Ｆｅ：Ｍｏ触媒を用いてＳＷＣＮＴ（単層カーボンナノチューブ）を製造する方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法では、ＳＷＣＮＴ成長温度は約５６０℃未満であり、約９００℃よりも高い温度で還元雰囲気に前記触媒を暴露することによって、前記触媒を活性化する。 （もっと読む）

化学気相蒸着による単結晶ダイヤモンドの形成方法であって、（ａ）少なくとも一つのダイヤモンドのシードを提供すること、（ｂ）ダイヤモンドを成長させるための炭素含有ガスおよび水素と、窒素含有ガスとを含む反応ガスを供給することを含む、化学気相蒸着によりダイヤモンドを成長させるための条件にシードを曝露すること、（ｃ）ダイヤモンドが、内包物なしに欠陥のないステップを有するように、ステップ成長できるように、反応ガス中の他のガスに対する窒素含有ガスの量を制御することを含む、方法。窒素は、０．０００１〜０．０２体積％の範囲に存在する。ジボランは、０．００００２〜０．００２体積％の範囲に存在することもできる。炭素含有ガスは、メタンであり得る。
（もっと読む）

【課題】 多層カーボンナノチューブをより高温で再現性良く超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多孔質膜２中の細孔２１内に多層カーボンナノチューブが形成されており、当該多層カーボンナノチューブは、その直径が５〜３０ｎｍ、その層数が２〜２０である超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブが、多層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型多層カーボンナノチューブ３である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルムの製造方法を提供する。該製造方法によって製造されたカーボンナノチューブフィルムは、自己の支持構造、より良い導電性及びより大きな透明度を有する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブフィルムの製造方法は、カーボンナノチューブアレイを製造する第一ステップと、プラズマを利用して前記カーボンナノチューブアレイを処理する第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブフィルムを引き出す第三ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、連続的な表面処理装置を用いて、酸化剤を含む炭素ナノチューブ混合液の注入された５０ないし４００ａｔｍの亜臨界水又は超臨界水の条件の表面処理反応槽に、一つ以上の官能基を有する機能性化合物を５０ないし４００ａｔｍの圧力及び１００ないし６００℃の温度で注入して表面処理生成物を得ることを特徴として、炭素ナノチューブに機能性化合物の官能基が容易に導入されて、炭素ナノチューブの表面処理効果が上昇し、それによる分散性が向上する炭素ナノチューブの連続的な表面処理方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高摩擦特性を維持しつつ、摩擦時に基板の水平方向にかかる荷重によって棒状の物体が剥離しない摩擦材を提供することにある。
【解決手段】基板上に凹凸構造を有する樹脂系材料層が接着されており、該凹凸構造の凸部内に繊維状或いは針状の物質が該基板平面に林立していることを特徴とする摩擦材。 （もっと読む）

【課題】炭素原子を含む材料として二酸化炭素を用い、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の形成を可能とする炭素膜形成方法を提供すること。
【解決手段】課題を解決する炭素膜形成方法は、プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、水素及び二酸化炭素を含むガスをパルス放電によりプラズマ化して基材上に炭素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単純なプロセスで、歩留り良く量産可能なカーボンナノチューブ発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０、２２上に複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４を含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）薄膜１２を形成し、その上に電極１６、１８を形成するか、又は、基板１０、２２上に電極１６、１８を形成し、その上に複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１４を含む、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）薄膜１２を形成することで、複数のカーボンナノチューブ１４が含まれるカーボンナノチューブ薄膜１２と、電極１６、１８を備えたカーボンナノチューブ発光素子を得る。 （もっと読む）