【課題】ＣＮＴを束状に、かつ高い密度で成長させることができるＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】ＣＮＴ成長用触媒層として触媒金属の酸化物層を有してなる基板を用い、この基板に対してＣＮＴ成長用プロセスガスを供給し、この基板上にＣＮＴを成長させるＣＮＴ成長方法において、ＣＮＴ成長プロセス中に、プロセスガスより触媒金属の酸化物を還元させ、この触媒金属上にＣＮＴを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 応力が低減された半導体素子用基板の提供。
【解決手段】異種基板１１としてサファイア基板を使用し、ＭＯＣＶＤ装置を用いて前記サファイア基板上に３００Å以下の膜厚でＧａＮからなるバッファー層（図示せず）を形成した後、前記異種基板１１の上に触媒層１２をパターン形成する（ａ）。この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。その後、ウェハーをプラズマＣＶＤ装置に搬入し、カーボンナノチューブ１３を前記触媒層上に形成する（ｂ）。この後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置に移動し、半導体層１４を形成する（ｃ）。次に、半導体層１４を形成したウェハーから異種基板１１を除去して半導体素子用基板とする（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が制御された高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】他の材料と接した場合に親和性が向上し、電子機器や電子部材等に好適に利用することができる、新規なＣＮＴ系材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ系材料に対し、紫外線を照射し、この紫外線との組合せによりカーボンナノチューブ系材料の表面を改質し得る含ケイ素化合物を供給して、カーボンナノチューブ系材料の表面を改質する。 （もっと読む）

少なくとも１種の実質的に官能化されていない炭素表面（例えば、フラーレン、グラファイトまたは非晶質炭素、グラフェンまたは前もって配向されたカーボンナノチューブ）と、少なくとも半導体ナノ粒子（例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＩｎＰおよび／またはＺｎＯ）あるいは金属合金ナノ粒子との組み合わせであって、前記少なくとも１種のナノ粒子が前記実質的に官能化されていない炭素表面に直接結合されている組み合わせが記載される。ナノ粒子の製造方法も記載される。本方法は、
・カチオン源を第１の有機溶媒に溶解して、カチオン含有媒体を製造すること、
・前記カチオン含有媒体に複数の実質的に官能化されていない炭素表面を加えて、カチオン−炭素混合物を形成すること、
・前記カチオン含有媒体と炭素表面との混合物にアニオン含有媒体を加えて、カチオン−炭素−アニオン混合物を形成すること、合金ナノ粒子の場合には、別のカチオン媒体が代わりに加えられる、
・前記カチオン−炭素−アニオン混合物を、反応系によって、６０℃〜３００℃の温度で１０分〜１週間放置すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】滑りにくく作業性に優れ、半導体製造装置用部材として使用可能な炭素複合部材を提供する。
【解決手段】炭素複合部材１は、炭素基材１０上に、熱分解炭素層１１が形成されている。熱分解炭素層１１の表面には突起１２が形成されており、この突起１２は、炭素系粉末１３を核とし、その周りに熱分解炭素を結晶成長させることにより形成される。突起１２の短径は５〜３０００μｍの範囲であり、その面密度は１０^２〜１０^８個／ｍ^２の範囲である。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素の含有量が低減されたフッ化カルボニル、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フッ化水素の含有量が０．１〜５０ｖｏ１．ｐｐｍであることを特徴とするフッ化カルボニル、及び、アルカリ金属フッ化物及びアルカリ土類金属フッ化物から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属フッ化物と、フッ化カルボニル及びフッ素から成る群から選ばれる少なくとも１種を含む前処理ガスとを接触させることにより金属フッ化物脱酸剤を調製し、０．００１ｖｏｌ．％以上０．５ｖｏｌ．％未満のフッ化水素を含むフッ化カルボニルを、該金属フッ化物脱酸剤に接触させる、工程を含むそのようなフッ化カルボニルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚を高精度に得ることができ、基板の熱的負荷を低減できるカーボンナノチューブの作製に用いて最適な熱ＣＶＤ装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の熱ＣＶＤ装置２０は、基板Ｗの加熱源に赤外線ランプ等の加熱ランプ２３を用い、反応室２２内の基板Ｗを局所的に加熱操作することで、反応室２２に導入された原料ガスが基板に到達する前に成長温度に達することを防止し、基板上における成長速度の緩和を図る。これにより、所望の膜厚の薄膜を高精度に形成することが可能となる。また、加熱源に加熱ランプ２３を用いることで、基板が長時間高温に晒されることを防止して基板に加わる熱的負荷を低減することが可能となる。更に、反応室内の基板を冷却する基板冷却機構を備えることで、成膜後において基板の強制冷却が可能となり、これにより基板に加わる熱的負荷の更なる低減を図れるようになる。 （もっと読む）

一つのプロセスにおいて複数のａ：ＤＬＣ層を形成することで、最初の接合から始まり最後の接合で終わる複数の連続して接続されたＰＩＮ接合を生成する工程であって、各ＰＩＮ接合が、ｐ型層、ｎ型層、及び真性層を有する、該工程と、少なくともｐ型層及びｎ型層のそれぞれのｓｐ３／ｓｐ２比を変更し、ＰＩＮ接合のそれぞれの電子移動度を高めるために、少なくとも銀でドーピングする工程と、光源に配向されると最適化されるスペクトル応答を有するデバイスを生じるように、第１の側及び第２の側において電極間に複数のａ：ＤＬＣ層を接続する工程と、を含む、ａ：ＤＬＣ多層ドーピング成長方法。 （もっと読む）

【課題】室温状態においても動作するカーボンナノチューブを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ１０３の所望の局所領域に、収束電子線１１０が照射された状態とする。例えば、加速電圧２０ｋＶ，電子線の電流量１００ｐＡ，スポットサイズ５０ｎｍの収束電子線１１０を、カーボンナノチューブ１０３の延在方向に対して垂直な走査方向１１１に、走査速度４００ｎｍ／ｓで走査し、カーボンナノチューブ１０３の局所領域に、収束電子線１１０が照射された状態とすればよい。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ表面を官能化する方法において、ナノチューブ表面を非共有結合でナノチューブ表面と結合する少なくとも１つの官能化種を含む１以上の蒸気に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して官能化したナノチューブ表面を生成する。官能化したナノチューブ表面を、官能化層と反応してナノチューブ表面からの脱離に対して官能化層を安定化する安定化層を形成する少なくとも１つの蒸気安定化種に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して安定化したナノチューブ表面を生成してもよい。安定化したナノチューブ表面を、安定化したナノチューブ表面上に材料層を堆積する少なくとも１つの材料層前駆体種に曝してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ配列の成長方法に関する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配列の成長方法は、基板を提供する第一段階と、前記基板に光吸収層を形成する第二段階と、前記光吸収層に触媒層を形成する第三段階と、カーボンを含むガス及びキャリアガスの混合物を前記触媒層の表面に近接して流す第四段階と、前記触媒層にレーザービームを照射して所定の温度まで加熱させて、前記基板にカーボンナノチューブを成長させる第五段階と、を含む。 （もっと読む）

ナノチューブの壁によって規定される内部キャビティを持つナノチューブと、ナノチューブの内部キャビティ内に含有された爆発性化合物とを含む爆発性化合物を包含するナノチューブ、および爆発性化合物を含有するナノチューブを形成する方法。基板上の予め決定された位置にナノチューブを提供すること、ナノチューブを爆発性化合物に暴露すること、爆発性化合物をナノチューブ内で爆発させ、予め決定された位置でエネルギーを解放することを含む予め決定された位置にエネルギーを提供する方法。爆発性化合物を提供することであって、爆発性化合物が衝撃および/または摩擦に対して第1の感度を持つこと、爆発性化合物がキャビティに入るようにナノチューブのキャビティを爆発性化合物に暴露することを含み、キャビティ中で爆発性化合物が第1の感度に対して低下した衝撃および/または摩擦に対する第2の感度を持つ爆発性化合物を安定化する方法。
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いくつかの実施形態に係るカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを備える論理回路が開示される。 （もっと読む）

【課題】波長可変カーボンナノチューブ素子に関し、一本のカーボンナノチューブに対して純粋な引っ張り応力の印加が可能な数ｍｍ以下のサイズの小型デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一方の端部が開放された間隙４を介して対向するとともに、間隙４を架橋する孤立したカーボンナノチューブ６を設けた１対の支持要素部材２からなる支持部材１を圧電素子１０の伸縮方向に沿った面に支持する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有し且つ高純度の膨張黒鉛シート及びその製造方法並びに該シートを用いたカーボンルツボの中敷を得る。
【解決手段】本発明の可撓性を有し且つ高純度の膨張黒鉛シートは、膨張化黒鉛をプレスまたはロールで圧縮成形してかさ密度を０．７〜１．３ｇ/ｃｍ^３に調整した膨張黒鉛シートを高純度化処理して、不純物含有量を５ｐｐｍ以下にすることで得られ、カーボンルツボの中敷に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノチューブを用いた新規の電子素子を提供する。
【解決手段】 Ｎ型半導体の特性を有するソース電極６及びドレイン電極７が両端に設けられた、Ｐ型半導体の特性を有するカーボンナノチューブ１と、カーボンナノチューブ１を挟んで対向するように設けられるバイアス電極２及び制御電極３と、を備える電子素子である。バイアス電極２と制御電極３とに異なる電圧を印加することで、ソース電極６とドレイン電極７との間にチャネルが形成されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小型化した電子装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ型半導体の特性を有するナノチューブ１３及びナノチューブ１３を挟んで対向する導体１４、１６及び導体１５、１７から成る第１半導体装置１０と、Ｎ型半導体の特性を有するナノチューブ２３ｂの両端にＰ型半導体の特性を有するナノチューブ２３ａ、ｃが隣接する構造のナノチューブ２３及びナノチューブ２３を挟んで対向する導体２４、２６及び導体２５、２７から成る第２半導体装置２０とを備える。第１半導体装置１０のソース電極１１に電圧Ｖ１が印加され、第２半導体装置２０のソース電極２１に電圧Ｇ１が印加される。導体１４と導体１６又は導体１５と導体１７に異なる電圧を印加すると、第１半導体装置１０から電圧Ｖ１が出力される。導体２４と導体２６及び導体２５と導体２７に異なる電圧を印加すると、第２半導体装置２０から電圧Ｇ１が出力される。 （もっと読む）