【課題】簡単に垂直配向したカーボンナノチューブを製造することができるカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を得る。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０は電気炉１２を備えており、電気炉１２内には石英管１４が通されており、この石英管１４の周囲にはヒータ１６、熱電対１８が設けられている。石英管１４の一方には、ガス供給部２２が接続されており、石英管１４の他方には圧力調整バルブ２３及び排気部２４が接続されている。ガス供給部２２、圧力調整バルブ２３及び排気部２４は制御部２０によって制御される。排気部２４により石英管１４内を真空排気し、ヒータ１６により石英管１４内を触媒２６が昇華する温度に昇温させてから、ガス供給部２２によりアセチレンガス３０を石英管１４に流入させる。これにより触媒２６とアセチレンガス３０とが気相反応し石英基板２８上にカーボンナノチューブが垂直配向する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを、分散過程を経ることなく固体のままで、かつ一段階の処理で、簡便に切断してカーボンナノチューブ片を得ることができるカーボンナノチューブの切断方法、それにより得られたカーボンナノチューブ片、およびカーボンナノチューブ分散液を提供する。
【解決手段】電解液に浸漬したカーボンナノチューブ電極に電圧を印加することによりカーボンナノチューブ電極に含まれるカーボンナノチューブを電気化学的に酸化させてカーボンナノチューブを切断することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基板としてシリコンカーバイド基板を用いることなくウェハサイズのグラフェンを有するグラフェン基板を提供すること及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板３０を熱処理することによってＳｉＣ基板３０の表面にグラフェン３１を形成し、そのグラフェン３１上にアモルファスシリコン２０を形成する。このアモルファスシリコン２０を介してＳｉＣ基板３０にＳｉ基板１０を貼り合わせる。そして、この貼り合わされたＳｉＣ基板３０とＳｉ基板１０からＳｉＣ基板３０を剥離する。 （もっと読む）

【課題】配向性、透明性、導電性が良好な、１次元ナノ材料の薄膜及び電子装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】界面活性剤水溶液からなるＣＮＴ分散液を調製しこの液滴をノズル１２の一端に付着させ、ノズル他端から空気１６を流入させ液滴を膨張させ、ＣＮＴ２２を含む膜からなる気泡１０をノズル一端に形成し、気泡の一部を基板１４の面に接触させノズル他端から空気を流入して気泡を膨張させ、基板と気泡膜との接触面積を増大させ、気泡を破裂させた後、基板上の膜を水洗後、乾燥させて、ＣＮＴ薄膜２０を形成する。ＣＮＴは基板面に略平行に放射状に配向しており、一の配向方向を保持した形状で薄膜は基板と共に切り出される。ＣＮＴ薄膜は、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロクロミック装置、電界効果型トランジスタ、タッチパネル、太陽電池等における透明電極の電極として使用される。 （もっと読む）

【課題】穏和な処理によって１本１本に分離されたナノカーボン物質の分散液を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノカーボン物質分散液の製造方法は、ナノカーボン物質と、両親媒性を有するトリフェニレン誘導体を含む分散媒とを混合して組成物を調製する工程と、前記組成物に物理的分散処理を施す工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性透明導電性カーボンナノチューブ膜を調製するための方法およびこの方法によって調製されたカーボンナノチューブ膜を提供する。
【解決手段】可撓性透明導電性カーボンナノチューブ膜を調製するための方法は、カーボンナノチューブを界面活性剤の中に分散させて分散物を形成させる工程、前記分散物をフィルタ膜によってろ過し、 前記フィルタ膜の上にカーボンナノチューブ膜を形成させる工程、および前記カーボンナノチューブ膜の表面の上の界面活性剤を緩衝液によって実質的にすべて除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＴ−ＣＶＤ法により高硬度なビッカース硬度を有したＤＬＣ膜を安定に形成することが可能なＤＬＣ膜製造装置を提供すること。
【解決手段】ＣＡＴ−ＣＶＤ法により基材２１にＤＬＣ膜を形成するＤＬＣ膜の製造装置１０であって、基材２１の被成膜面とは反対側に配置され、基材２１を加熱するための第一手段１１と、所定の温度範囲内で基材２１の温度が変動するように、第一手段１１を制御する第二手段１２とを少なくとも備えたこと。 （もっと読む）

【課題】高品質なカーボンナノチューブを高いスループットにて形成することができるカーボンナノチューブ形成技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にはラジカルビーム照射部５０およびナノ粒子ビーム照射部７０が設けられている。基板Ｗは基板保持部３０によって保持されている。ナノ粒子ビーム照射部７０から触媒となる金属のナノ粒子のビームを基板Ｗに照射して触媒形成を行う。その後、ラジカルビーム照射部５０にて原料ガスからプラズマを発生させ、生成された中性ラジカル種のビームを基板Ｗに照射してカーボンナノチューブを成長させる。ラジカルビーム照射部５０にはアパーチャ５９が設けられているため、プラズマ発生に伴う圧力が高かったとしても、真空チャンバ１０内を１０^-5Torr〜１０^-3Torrの比較的高い真空度に維持し続けることができる。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】複数個から構成されるダイヤモンド単結晶基板のうち１つを除く基板１の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度未満であり、残る１つの基板２の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度以上８度以下であり、ダイヤモンド単結晶基板を並べて配置する際にこの１つの基板２を最も外周部に配置し、かつ、この１つの基板２の主たる面における＜１００＞方向が、配置基板の外周方向を向く方向に配置し、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶７，８を成長させ、この１つの基板２から成長したダイヤモンド単結晶８が、他の基板１上に成長したダイヤモンド単結晶７上に覆い被さって全面一体化したダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴを基板上に直接合成する触媒ＣＶＤ法で、そのカイラリティを制御すること、特に金属的性質を示すアームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することは極めて困難である。そこで、本発明の目的は、金属的性質を有するアームチェア型ＣＮＴを選択的に基板上に直接合成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、ＣＮＴ合成時に触媒として作用する金属として準結晶組成から成るアルミニウム３元合金を用いて、それを熱処理することにより準結晶相を有する微粒子を形成して、その合金微粒子を触媒として用いる触媒ＣＶＤ法により、アームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することを特徴とする。 （もっと読む）

炭素ナノチューブトランジスターの製造方法及びこれに用いた炭素ナノチューブトランジスターを提供する。本発明の炭素ナノチューブトランジスターの製造方法は、ソース電極とドレイン電極との間に炭素ナノチューブチャンネルが形成されており、前記炭素ナノチューブチャンネルの一側にゲート電極が形成されている炭素ナノチューブトランジスターを製造する方法であって、ａ）基板の上に前記炭素ナノチューブチャンネルを形成するステップと、ｂ）前記炭素ナノチューブチャンネルの両端に前記ソース電極及びドレイン電極を電気的にそれぞれ接続するステップと、ｃ）前記ソース電極とドレイン電極との間にストレス電圧を印加して前記炭素ナノチューブチャンネル内の金属性を除去するステップと、を含む。
本発明の炭素ナノチューブトランジスターの製造方法によれば、トランジスター素子内においてチャンネルとして用いられ、金属性と半導体性とが混在している炭素ナノチューブから金属性部分を選択的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】タイプまたは特性の異なるカーボンナノチューブを、手軽に分離することができる効率的で費用効果に優れた新しいプロセスを提供する。
【解決手段】本発明は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を処理する効率的で費用効果に優れた方法であって、該カーボンナノチューブを分散媒体中に分散させて分散系を調製することと、該分散系に含まれるタイプ別カーボンナノチューブが、タイプの異なるカーボンナノチューブに対して異なる吸着選択性を持つように化学的／生物学的変性剤により変性された吸着剤に吸着されるよう、該分散系と吸着剤とを混合することと、吸着剤が分散系から分離されることで、吸着剤に吸着したタイプ別カーボンナノチューブが、分散系で濃縮された別のタイプのカーボンナノチューブから分離されることと、この処理方法により製造されるカーボンナノチューブと、それを含むＣＮＴデバイスとを含む、方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する高純度膨張黒鉛シートを用いたカーボンルツボの中敷を提供する。
【解決手段】かさ密度が０．７〜１．３ｇ/ｃｍ^３、厚みが０．２〜１．０ｍｍ及び不純物含有量が５ｐｐｍ以下、線対称形状の膨張黒鉛シートあり、天然黒鉛、熱分解黒鉛、キッシュ黒鉛等を硫酸、硝酸等の混合液で処理し、水洗、乾燥後、膨張炉で約１０００℃に膨張化処理した膨張黒鉛シートを２０００℃以上のハロゲンガス雰囲気下で高純度化処理を施す。 （もっと読む）

【課題】金属カーボンナノチューブと半導体カーボンナノチューブとを分離することができるカーボンナノチューブを処理する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブをヒドロキシルラジカル（ＨＯ・）を含む水溶液を用いて室温〜１００℃で処理する。ヒドロキシルラジカルは、例えばこの水溶液に１〜３０ｗｔ％溶解させた過酸化水素（Ｈ₂ Ｏ₂ ）を分解することによって得る。この分解の際には、水溶液中にＦｅ²⁺などの低原子価金属イオンを触媒として添加する。この低原子価金属イオンの濃度は０．０００１〜０．０１ｍｏｌ／Ｌとする。 （もっと読む）

【課題】金属性カーボンナノチューブと半導体性カーボンナノチューブとをより効果的にかつ大規模に分離することができるカーボンナノチューブを処理する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを高温の三酸化硫黄（ＳＯ₃ ）ガスで処理する。処理温度は３８５〜４７５℃、処理時間は１０分〜２時間とする。処理時のＳＯ₃ ガスの分圧は８〜３０％とする。カーボンナノチューブをＳＯ₃ ガスで処理した後、８００〜１０００℃で１０〜３０分アニールする。 （もっと読む）

【課題】 アーク放電法によるＣＮＴ合成において連続的に安定な高純度かつ高収率な合成装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 合成時の状態変動を陰陽極の給電端子間電圧によって判断し、合成電流と陽極の給電位置を変更し合成が安定な状態を保つ。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノピーポッドを用いたメモリ素子の提供。
【解決手段】メモリ素子１は、フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッド１３を有し、前記カーボンナノピーポッド１３が、バックゲート電極１１上に積層された絶縁層１２１上に載置されると共に、所定の距離離間して設けられたソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂに接続され、前記フラーレン分子が、メモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成されている。 （もっと読む）