本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】極めて短時間で緻密な炭素材料が得られるというＳＰＳ法の利点を十分に発揮しつつ、硬さと物性値の向上を図ることができる炭素材料及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】型内に炭素骨材及びバインダーを混合した混合粉を充填する第１ステップと、上記混合粉を加圧しつつ、放電プラズマ焼結法にて焼結する第２ステップと、により作製される炭素材料であって、ショア硬さのＨＳＤ値が６０以上で、熱膨張率の異方比、電気抵抗率の異方比、又は熱伝導率の異方比が１．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子内包フラーレン塩を必要十分な程度まで分離・精製する簡便・高収率・高効率な方法がない。
【解決手段】分離・精製向上の妨げが内包処理後の原子内包フラーレンのクラスター構造にあることから、このクラスター構造をなす原子内包フラーレンを脱電子酸化して生成した原子内包フラーレン塩を、移動相として電解質を添加した溶液を用いるＨＰＬＣ法で分離・精製するようにした。 （もっと読む）

【課題】下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。 （もっと読む）

【課題】作製したグラフェンの電気抵抗が低下せず、高い伝導率が確保されるとともに、低温プロセスで作製可能なグラフェン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】有機溶剤中のグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子受容体有機分子で修飾したグラフェン第１溶液と、有機溶剤中のグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子供与体有機分子で修飾したグラフェン第２溶液とを、基板に塗布する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な炭素繊維とポリマー等との混練複合において、特殊な表面処理や混合手法を用いなくても、混練性、分散性、開繊性に優れる微細な炭素繊維の毬藻状凝集体およびその効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長法により製造される微細な炭素繊維の塊状凝集体に衝撃力を加えて解砕することにより、直径が１〜１５０μm、嵩密度が０．０５〜０．１５ｇ/ｍｌであり、前記微細な炭素繊維は、該炭素繊維を構成する構造単位集合体が互いに黒鉛基底面を介して接合する構造を少なくとも１つ有することを特徴とする、微細な炭素繊維の毬藻状凝集体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブシート構造体において、熱伝導及び電気伝導を向上させる。
【解決手段】カーボンナノチューブシート構造体は、相対向する第１および第２の主面で画成された媒体と、各々前記媒体の前記第１の主面から前記第２の主面まで延在する、複数のカーボンナノチューブと、を含み、前記複数のカーボンナノチューブの各々は、前記第１の主面に露出した第１の末端部と、前記第２の主面に露出した第２の末端部とを有し、前記複数のカーボンナノチューブの前記第１の末端部は、前記第１の主面において、開端し、前記第２の末端部は、前記第２の主面において、開端しており、前記複数のカーボンナノチューブの各々の内部は、前記第１の末端部から前記第２の末端部まで、金属により充填されている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法は、表面に絶縁膜２５が位置し且つ所定の結晶方位を有する基板２１’に対し、この基板２１’を１０００℃以下の所定温度に調節した状態にて、触媒元素のイオンを注入することで、触媒元素を含む成長核２７を、基板２１’と絶縁膜２５との界面に形成させる成長核形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】１つ以上のカーボン・ナノチューブを選択的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、上面を有する絶縁層を基板上に形成するステップと、絶縁層内にビアを形成するステップと、ビアの側壁及び底面を含め、絶縁層上に活性金属層を形成するステップと、ビアの内部での１つ以上のカーボン・ナノチューブの選択的な成長を可能にするために、イオン・ビームを用いて上面の部分にある活性金属層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂をバインダーとしてカーボンナノチューブを被覆（コーティング）し浸透させることで、カーボンナノチューブを高配合で粒状化させ、カーボンナノチューブの飛散性の大幅な低減とともに加工性・ハンドリング性・作業性・安全性・ポリマーマトリックスとの濡れ性・分散性を著しく向上させたカーボンナノチューブ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性樹脂を５〜４０ｗｔ％含有し、熱硬化性樹脂でカーボンナノチューブを被覆し顆粒状化する。 （もっと読む）

本開示は、全般的に、カーボンナノチューブ分散系中で金属カーボンナノチューブから半導体カーボンナノチューブを分離する技術を記載している。半導体カーボンナノチューブおよび金属カーボンナノチューブは供給され、流体中に分散されることができる。半導体カーボンナノチューブがアミン被覆磁性粒子に付着すると、アミン被覆磁性粒子および付着した半導体カーボンナノチューブに磁場が加えられて、半導体カーボンナノチューブの少なくとも一部分を引き付け、保持することができ、その結果、半導体カーボンナノチューブは、流体および／または金属カーボンナノチューブから分離されることができる。
（もっと読む）

【課題】 グラファイト相を有するナノダイヤモンドから、グラファイト相を効率的に、高い割合で、かつ低コストで除去するナノダイヤモンドの精製方法、及び高純度の精製ナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】 グラファイト相を含有し、動的光散乱法で求めたメジアン径が250 nm以下のナノダイヤモンドを精製する方法であって、(1) 酸素と水及び／又はアルコールからなる処理溶媒とが共存する流体中で、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを、上記処理溶媒の標準沸点以上の温度及び一気圧（ゲージ圧）以上の圧力で亜臨界処理又は超臨界処理するか、(2) 酸性化合物を含む溶液により、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを超臨界処理する方法。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
（もっと読む）

【課題】エピタキシャルグラフェン層を他の任意の基板上に再現性よく転写させるグラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン層の剥離方法において、第１の基板の表面にグラフェン層が形成される工程と、前記グラフェン層の表面に金属層が形成される工程と、前記第１の基板と前記金属層との間で張力が加えられ、前記グラフェン層が前記第１の基板から剥離される工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルムの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブフィルムの製造方法は、基板及び、該基板に垂直に配列された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブアレイを提供する第一ステップと、直線形の界線を含む平らな接着面を有する本体を提供する第二ステップと、前記界線を前記基板に平行するように、前記カーボンナノチューブの長軸方向に面して前記本体の接着面を前記カーボンナノチューブアレイに接触させる第三ステップと、前記本体を前記カーボンナノチューブアレイから離れるように移動させて、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを引き出しして得る第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】グラフェンと金属電極との間の接触抵抗を低減する。
【解決手段】グラフェンの単位面積あたりの電気抵抗をｒ_GP[Ω／μｍ²]、グラフェンと金属電極との単位面積当たりの界面抵抗をｒ_C[Ωμｍ²]とすると、接触面積をＳとして、接触抵抗は


と計算できる。ｒ_GPを１０Ω／μｍ²、ｒ_Cを１０Ωμｍ²とした場合の計算結果を示し、接触面積を




にすることにより、接触抵抗を収束値の１０％増し、あるいは３０％増しの値にまで、低減することができる。 （もっと読む）

【課題】熱の二次元的な拡散に好適な相対密度が大きく、黒鉛粉末が配向した焼結体を製造するに好適な前駆体を簡便に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】鱗状黒鉛粉末を分散してなる流動性組成物をロール成形あるいはプレス成形することを特徴とする鱗状黒鉛粉末の板状成形体の製造方法；及び、この鱗状黒鉛粉末の板状成形体を加圧加熱焼結して得られる焼結成形体。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴを基板上の所望の位置に配置する方法を提供すること。
【解決手段】基板１０８は、表面にフェリチン１０７が配置された複数の領域を備え、前記フェリチン１０７は配列番号１に記載のペプチド鎖を備え、前記基板１０８にＣＮＴ分散液１１０を接触させることにより、前記フェリチン１０７に前記分散液１１０に分散されたＣＮＴ１０９の一部が配置して固定される。 （もっと読む）