【課題】簡易な方法で炭素物質を製造する方法、および、基板の選択範囲を広げ、従来よりも耐熱性の低い基板上に直接に炭素物質膜が積層されてなる炭素物質膜積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】１種若しくは２種以上の有機化合物を含む炭素物質生成溶液を、加熱して、溶媒を除去するとともに該炭素物質生成溶液中に含まれる有機化合物を炭化させる炭化工程を経ることによって、炭素物質を生成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体型カーボンナノチューブの製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の半導体型カーボンナノチューブの生成方法は、基板に、血液を含む触媒予備体を堆積させる第一ステップと、前記触媒予備体に含まれた有機物質を除去して、血液に含まれた鉄を酸化して鉄の酸化物を形成する第二ステップと、前記鉄の酸化物を還元させて鉄ナノ粒子を形成する第三ステップと、前記鉄ナノ粒子を触媒として半導体型カーボンナノチューブを生成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの表面を含む基板上でのエピタキシ法によるグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣの表面からなる基板３上にエピタキシ法によりグラフェンを製造するにあたり、基板３からのシリコンの昇華９の過程がエピタキシャル反応器を通して不活性ガスや不活性ガス以外のガスの流れによって制御されること。 （もっと読む）

【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶ＳｉＣ表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング（ＣＡＲＥ）法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で８００〜１１００℃、１〜１０分間熱処理してＳｉＣ表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は２層に制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法によるグラフェンの大量合成に好適に用いられるグラフェン前駆体化合物及びその製造方法、並びにそのグラフェン前駆体化合物から得られるナノグラフェン構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン前駆体化合物は、ジベンゾチオフェン骨格を有する化合物とメタロセン化合物とを加熱溶融して配位子交換を行うことで得られる。このグラフェン前駆体化合物を８００〜１２００℃で加熱することにより、花弁形状、又は複数の花弁形状のグラフェンシートが集合した花冠形状のナノグラフェン構造体が得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を短縮し得るグラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に炭素を含有する触媒金属層１４を形成する工程と、炭素含有ガスを用いて触媒金属層上にグラフェン膜１６を成長する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属や半導体など無機ナノ材料内包タンパク分子を基板上に、高密度で局所選択的に２次元配置可能な方法を提供する。
【解決手段】同種あるいは異種の無機ナノ材料を内包させた互いに相反する電荷を帯びたタンパク分子を交互に基板上に塗布する工程を備える。相反する電荷を帯びたタンパク分子を交互に基板上に塗布することにより、無機ナノ材料内包タンパク分子を基板上に、高密度で局所選択的に２次元配置が行える。２次元配置方法の場合、従前のＰＢＬＨ法の場合と異なり、有機物質を全く用いないことから有機物質の影響が無く、かつ、塗布するといったプロセスのためにＭＥＭＳプロセスとの融合が容易となり、タンパク分子の各種デバイス応用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】基板上にグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を有するサファイア基板の上に、金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、水素雰囲気中での第１の熱処理工程と、水素およびメタン混合雰囲気中での第２の熱処理工程と、冷却工程を行なうことで、前記サファイア基板上に欠陥の少ないグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】より配向性および直線性のよいカーボンナノチューブの製造方法，カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板，およびカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】基板を用意し（Ｓ１０）、この基板の表面に鏡面加工処理を施し（Ｓ２０）、さらに基板の表面にエッチング処理を施す（Ｓ３０）。これによって、単結晶石英基板を切断・研磨する際に表面に生じた加工層を除去することができる。このため、この単結晶石英基板を用いれば、アニール処理、触媒金属の配置、炭素原料ガスの供給という一連の処理（Ｓ４０〜Ｓ６０）によって基板上にカーボンナノチューブを形成する際に、基板に形成された加工層の存在に由来する結晶の格子配列の歪みによって、基板上に形成されるカーボンナノチューブにも歪みが生じてしまうのを抑制することができる。したがって、結晶が本来もつ格子配列に沿って配向性および直線性のよいカーボンナノチューブを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電気的導通が確保された連続的なグラフェン膜を基板上の所望の位置に選択成長させた基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン膜が成長された基板は、単層または複数層からなるグラフェン膜が成長された基板であって、前記基板の表面には酸化アルミニウム膜が存在し、前記酸化アルミニウム膜の組成がAl_2-xO_3+x（x ≧ 0）であり、前記グラフェン膜は前記酸化アルミニウム膜の表面に対して平行でかつ該表面上のみに成長しており、電圧端子間距離0.2 mmの条件で電気伝導率を測定した場合に前記グラフェン膜の電気伝導率が1×10⁴ S/cm以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明における目的は、半導体性・金属性の混合した単層カーボンナノチューブからなる材料から、半導体性・金属性のそれぞれを工業的に大量、簡便、高効率に分離選別する手法、分離選別する装置、分離選別した分散溶液を提供することにある。
【解決手段】単層カーボンナノチューブを非イオン性界面活性剤溶液中へ分散した単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散溶液に対して直流電圧を印加し、各ミセルが全体として正電荷を有する金属性単層カーボンナノチューブの濃縮されている単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散液層と、各ミセルが全体としては極めて弱い電荷しか有しない半導体性単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散液の層との、少なくとも２層に分離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板選択の自由度が高く、簡易な方法で大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化グラフェンを含む懸濁液を基板に流延塗付して流延物を形成し、該流延物を金属ハイドライドの存在下で加熱して還元してグラフェン膜を製造する。金属ハイドライドとしてＣａＨ_２を用いることが好ましい。流延物を３００〜６００℃の温度で、３時間以上加熱して前記還元を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノ物質の半導体の性質を利用した半導体装置においては、金属性ナノ物質により半導体装置の半導体特性が劣化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、はじめに、複数のナノ物質に含まれる半導体性ナノ物質と金属性ナノ物質のうち、半導体性ナノ物質の導電性を低下させる。次に、金属性ナノ物質に、金属性ナノ物質を切断する作用を促進する切断促進物質を付着させる。次に、切断促進物質が付着した金属性ナノ物質を切断する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を精度よくパターニングし、そのレジスト膜の開口内に親水化膜を形成した後、ＧＯが親水性を有することを利用して、親水化膜の部分にのみ、ＧＯを選択的に化学的に結合させて固定化し、更にそのＧＯを還元して親水化膜の部分にのみグラフェンが選択的に固定化されたグラフェン構造体を得る。このように、グラフェン構造体は、基板上にグラフェンが設けられてなり、且つ、基板における親水処理の部位とグラフェン、及び／又は、基板における疎水処理の部位以外の部位とグラフェンとの間に、親水処理による結合が形成されたものである。 （もっと読む）

本発明の特定の実施形態例は、透明な導電性コーティング（ＴＣＣ）としてグラフェンを使用することに関する。被覆しようとする表面を有する基材を供給する。自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）テンプレートを、被覆しようとする表面に配置する。前駆体分子を含む前駆体を供給する。ここで、前駆体分子は、多環式芳香族炭化水素（ＰＡＨ）及びディスコチック分子である。前駆体を溶解して溶液とする。この溶液を、上にＳＡＭテンプレートを配置した基材に適用する。前駆体分子をＳＡＭテンプレートに光化学的に付着させる。基材を少なくとも４５０℃まで加熱すると、グラフェン含有膜が形成される。有利なことに、グラフェン含有膜は基材に直接、例えばリフトオフ法を必要とせずに、形成することができる。 （もっと読む）

【課題】密度勾配剤を用い遠心分離によりカーボンナノチューブの直径分離を行う際に、溶液に密度勾配を予め形成しておく必要がなく、しかもカーボンナノチューブの直径分離を行うことのできる方法を提供する
【解決手段】カーボンナノチューブ分散液を遠心処理することにより直径に応じカーボンナノチューブを分離するカーボンナノチューブの直径分離方法において、カーボンナノチューブを塩化セシウムと界面活性剤を含有する水溶液に分散した液を遠心チューブに均一に挿入し、遠心処理し、形成されたカーボンナノチューブバンド域の液を分画することにより、カーボンナノチューブの直径分離を行う。塩化セシウムは３０〜５０％程度の濃度が好ましい。また界面活性剤としては、コール酸ナトリウム、デオキシコール酸ナトリウムなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いて処理した場合に、処理後の不純物の放出が抑制された炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素材料を、１Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の減圧下におけるＨ_２ガス雰囲気中において、５００℃以上１２００℃以下で、アニール処理を行う。アニール処理時間は１分以上２０時間以下である。これにより、塩素等のハロゲンの放出される濃度を５ｐｐｂ以下にすることが可能となる。 （もっと読む）