【課題】手間や費用を掛けずに、所定の長さおよび重量（密度）を有するカーボンナノチューブを安定的に製造する。
【解決手段】基板上に触媒金属からなる薄膜を形成する工程と、前記触媒金属薄膜の金属を微粒化する工程と、前記触媒金属の微粒子を核として基板上にカーボンナノチューブを形成する工程を含むカーボンナノチューブの生成方法である。前記触媒金属薄膜の金属を微粒化する工程は、５〜１５％の酸素雰囲気中で７００℃以上〜９００℃未満での加熱により行う。 （もっと読む）

【課題】湿式法により容易に製造でき、かつ量産も可能であり、フラーレン本来の性質を損なうことなく保持でき、さらに熱分解によって発生する分解物が分解温度において窒素化合物を含まない気体であり、前記分解物が膜内に残留することのないフラーレン膜を形成することが可能な、フラーレン誘導体を原料とするフラーレン膜の製造方法の提供。
【解決手段】１００℃〜４００℃で熱分解し、熱分解によって発生する分解物が分解温度において窒素化合物を含まない気体であるフラーレン誘導体の溶液を基材上に塗布して得られる塗布膜を、前記フラーレン誘導体の熱分解温度よりも高く、前記フラーレンの熱分解温度よりも低い温度で加熱して、前記フラーレン誘導体の少なくとも一部を熱分解させることを特徴とするフラーレン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。
【解決手段】半導体領域を含む第１の電極１１と、第１の電極１１上に形成され、膜厚方向に設けられた孔を有する絶縁膜１２と、孔の開口部を覆って閉鎖された空間１３を形成する金属を含む第２の電極１５と、閉鎖空間１３内に配置され、電圧の印加により第１または第２の電極１１，１５のいずれかの側に移動することにより第１の電極１１と第２の電極１５との間にダイポールを発生させて、フラットバンド電圧をシフトさせるフラーレン１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブ状物質の混合物を有するナノチューブ状物質含有膜においては、誘電率が異なる二以上のナノチューブ状物質が混在しているため、特定の誘電率に基づく薄膜の特性が低下し、または、その特性にばらつきが生じるなど、ナノチューブ状物質含有膜の特性を制御することが困難である。
【解決手段】本発明のナノチューブ状物質含有膜は、第１の誘電率を有する第１のナノチューブ状物質と、第２の誘電率を有する第２のナノチューブ状物質とを少なくとも有し、第１のナノチューブ状物質または第２のナノチューブ状物質の少なくとも一方が所定の方向に配向している。 （もっと読む）

フラーレン誘導体のための精製法を記載する。この精製法は、フラーレン誘導体および不純物、例えば他のフラーレン誘導体および多環式芳香族炭化水素等を含む溶液を、活性炭に通す工程を含む。高い純度を持つフラーレン誘導体が得られた。
（もっと読む）

【課題】異なる種類のフラーレンが混在するクラスターを用いたものでありながら、一つの装置にて、効率良く単離すると共に、単離された金属内包フラーレン又はフラーレンのみが挿入されたピーポッドを用いた半導体素子の提供。
【解決手段】金属内包フラーレンと空のフラーレンとが混在するクラスターを充填したオーブン１１と、オーブン１１内で加熱昇華されたクラスターが噴出される再昇華円筒１２と、再昇華円筒１２を加熱してオーブン１１から噴出されたクラスターを再昇華する加熱装置１３と、再昇華円筒１２内に存在する単離状態の空のフラーレン及び金属内包フラーレンを正負別々のイオンとする電子ビーム照射装置と、カーボンナノチューブが塗布された一対の堆積基板１５，１６と、一対の堆積基板１５，１６の各々に正負別々のバイアスを印加する電源装置１７，１８と、を備えた装置を使用する。 （もっと読む）

グラフェン含有プレートレットおよび表面からグラフェンを剥離する方法を記載する。該方法は、タンパク質で処理して剥離を促進することを含む。一実施形態において、該タンパク質はグラフェンの表面に接着し、そして製造したプレートレットはグラフェン層およびグラフェン層表面上のタンパク質層を含む。かようなプレートレットを有する電子デバイスもまた記載する。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたメソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列の均一性を向上させ、また曲面状の基板に対しても膜面内での配向の均一性の高いメソポーラスシリカ膜を提供する。
【解決手段】基板上の、構造異方性を有する非単結晶性のカーボン膜上に形成されたメソポーラスシリカ膜であって、前記メソポーラスシリカ膜の細孔の膜面内での配列方向が基板全体にわたって、前記カーボン膜の構造異方性によって規定されている方向に対して、一定の方向に制御されているメソポーラスシリカ膜。 （もっと読む）

【課題】 横方向（基板表面に平行な方向）にカーボンナノチューブを成長させるためには、側壁に平坦かつ微小な表面を持つ触媒膜を形成する必要がある。ところが、このような触媒膜を形成することは困難である。
【解決手段】 基板表面の相互に離隔した２つの縦配線領域に、第１の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、１つの縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、第１の厚さよりも厚い第２の厚さの横配線用触媒膜を形成する。縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる。気相成長の初期段階には、縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、縦配線領域の前記グラファイトと基板との間にカーボンナノチューブが成長し、横配線領域の前記グラファイトが、縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように第１の厚さ及び第２の厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、有機修飾シリカでナノの厚みに均一に被覆された多層カーボンナノチューブを提供することであり、また、上記有機修飾シリカで被覆された多層カーボンナノチューブの製造方法を提供することである。
【解決手段】有機修飾シリカ層でナノの厚みに均一に被覆されたカーボンナノチューブは次の工程を経て製造される。
（i）カーボンナノチューブを濃硝酸中、高温条件下に処理して機能化する；
（ii）得られた機能化カーボンナノチューブ（f-CNT）を、所定濃度となるように希有機修飾シリカ前駆体溶液中に分散する；
（iii）反応混合物を混合し、被覆が完了するまで、室温で放置する；そして
（iv）得られた有機修飾シリカ超薄膜で均一に被覆されている個々のカーボンナノチューブ（固体）を分離し、乾燥する。 （もっと読む）

【課題】高導電率と高透明性を有するカーボンナノチューブフィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、透明導電性カーボンナノチューブフィルムの製造方法、前記方法により製造されるカーボンナノチューブフィルム、および該カーボンナノチューブフィルムを含むカーボンナノチューブ素子を提供する。通常の濾過法により得られたカーボンナノチューブフィルムに比べ、本発明の方法で得られたカーボンナノチューブフィルムは透明性が高く、シート抵抗が著しく低くなる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを特性毎に分別する。
【解決手段】本発明の例に関わるカーボンナノチューブの分別装置は、第１の磁気特性を有する第１のカーボンナノチューブＳＣＮＴと第２の磁気特性を有する第２のカーボンナノチューブＭＣＮＴとが共通に導入される導入部２と、第１及び第２のカーボンナノチューブＳＣＮＴ，ＭＣＮＴをそれぞれ回収する第１及び第２の回収部４Ａ，４Ｂと、第１及び第２のカーボンナノチューブＳＣＮＴ，ＭＣＮＴを導入部２から回収部４Ａ，４Ｂまで搬送する搬送部３と、搬送部３に隣接して配置され、カーボンナノチューブＳＣＮＴ，ＭＣＮＴに対して磁場Ｈを印加する磁場発生部５とを具備し、第１の磁気特性と磁場Ｈとの相互作用によって、第１のカーボンナノチューブＳＣＮＴと第２のカーボンナノチューブＭＣＮＴとを分別する。 （もっと読む）

【課題】大気中でも安定した複合材を容易に得ることができる複合材の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１上に、複数の表面酸化微粒子２を堆積する。表面酸化微粒子２の直径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度である。表面酸化微粒子２は、グラファイト層を形成する際の触媒として機能し得るコバルト等の強磁性体金属微粒子とこの表面を覆う酸化膜から構成されている。次いで、炉内に基体１及び表面酸化微粒子２を挿入し、炉内を高真空にして基体１を５１０℃程度まで昇温する。この結果、基体１及び表面酸化微粒子２に付着していた異物等が除去される。その後、炉内の雰囲気を炭化水素系ガス雰囲気にする。この結果、表面酸化微粒子２の表面に存在した酸化膜が還元され、更に、強磁性体金属微粒子の表面にグラファイトが析出し、グラファイト被覆微粒子３が強磁性体複合微粒子として得られる。 （もっと読む）

【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。このように製造されたアモルファスカーボン半導体１においては、ｓｐ２結合リッチな導電性のグラファイト３がアモルファスカーボン２中に分散している。そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 触媒粒子の凝集や移動を防いだカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法、並びにこれを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１は、カーボンナノチューブ成長用触媒粒子１１をそれぞれ散在した状態で含有する固定層１２を基板Ｓ上に備え、前記固定層は、カーボンナノチューブ成長用触媒以外の材料から構成され、かつ、前記カーボンナノチューブ成長用触媒粒子のうちの少なくとも１つの上部が前記固定層の上面に露出している。このカーボンナノチューブ成長用基板を用いてトランジスタを得る。また、このカーボンナノチューブ成長用基板を作製する。 （もっと読む）

型板（１）上に結晶表面構造（４）を製造するための方法である。この方法は、型板（１）を反応環境に提供する工程であって、この結晶表面構造（４）の形成のために必要とされる１つ以上の成分（３）がこの型板（１）内に含まれている、工程と、この型板（１）内のこの成分（３）の移動度を上昇させ、かつ型板−環境の界面上のこの成分（３）の表面拡散距離を上昇させるために、この反応環境内においてこの型板（１）を加熱する工程と、移動性のこの成分（３）を、この型板−環境の界面の方にゆっくりと移動させ、かつ結晶構造（４）としてこの型板（１）の表面上にこの成分（３）を組織化させるために、この反応環境内における条件を変化させることによって、この型板（１）を活性化する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、
−基板（（Ｓ_１）の表面上に金属の層を生成する工程であって、金属の層がモル濃度閾値比Ｃ_Ｍ／Ｃ_Ｍ＋Ｃ_Ｃ（ここで、Ｃ_Ｍは金属／炭素混合物中のモル金属濃度、Ｃ_Ｃは前記混合物中のモル炭素濃度）を超えて均質の固溶体が得られるように炭素との相図を有する工程と、
−得られたモル濃度比が、金属中に炭素の固溶体を得るように閾値比より大きくなるような温度で、炭素原子または炭素含有基または炭素含有イオンの制御された磁束に金属層を露出する工程と、
−混合物の相を２相（金属相と黒鉛相それぞれ）に変え、その結果（炭素原子取り込み金属層）／基板界面に位置する少なくとも下部グラフェン膜（３１）と金属層の表面に位置する上部グラフェン膜（３０）を形成する工程と、
を含むことを特徴とするグラフェン膜成長の制御方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 安価な非晶質の酸化シリコン層を有するシリコン基板にカーボンナノチューブを配向成長させることが可能なカーボンナノチューブ形成用基材を提供する。
【解決手段】表面に非晶質の酸化シリコン層を有するシリコン基板に形成された規則的な複数の筋状の溝からなるトレンチ集合体に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒粒子を担持してなるカーボンナノチューブ形成用基材。該基材の前記筋状の溝に沿ってカーボンナノチューブが成長するため、容易に高配向で高密度なカーボンナノチューブを製造することができる。 （もっと読む）