高品質なカーボン単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）を合成する方法およびプロセスを提供する。前記方法により、触媒単位重量当たりの炭素前駆体量および輸送ガス量を最適化する手段を提供する。７８０℃にて、約４．２×１０^−３モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）の流量で、炭素前駆体ガスを担体に担持した触媒に接触させたとき、約２０％の変換効率を達成できる。また、炭素前駆体ガスの流量を約１．７×１０^−２モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）以上にすると、品質が向上し、より速くカーボンＳＷＮＴが成長する結果になった。一方、炭素原子の供給速度を遅くすると（約４．５×１０^２０Ｃ原子／秒−ｇ、すなわち６．４×１０^−４モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ））、欠陥の多いナノチューブが生成する結果になった。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが本来有する電気的特性、光学的特性を損なうことなくカーボンナノチューブを含む膜を作成することのできる組成物、および該組成物より得られるカーボンナノチューブを含む膜を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを含有する組成物は、（Ａ）カーボンナノチューブ、（Ｂ）ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアンハイドライド、ポリスチレン系重合体およびポリ（メタ）アクリレートよりなる群から選択される１種以上の有機ポリマー、（Ｃ）溶媒を含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に触媒層２を形成し、その上にサポート層３を形成しておく。触媒層２としてＣｏ層を形成し、サポート層としてＴｉＮ層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱ＣＶＤ処理を行う。この結果、触媒層２が絶縁基板１及びサポート層３に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層３を透過して触媒層２まで到達するので、グラファイト１１が絶縁基板１と触媒層２との間に成長する。 （もっと読む）

【課題】その成長位置が制御された状態で、基板上で一方向に高密度に配向成長したカーボンナノチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】表面の結晶面がＲ面であるサファイア単結晶基板の表面に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒からなる所定のパターン構造を形成し、ＣＶＤ法により前記パターン構造から前記Ｒ面における正のｃ軸投影方向の１８０°反対方向を主体にカーボンナノチューブを配向成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブを特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつように成長制御させることが可能なカーボンナノチューブ形成用基材の製造方法を提供する。
【解決手段】
カーボンナノチューブ生成用金属系触媒微粒子を単結晶基材の表面に固着させたカーボンナノチューブ形成用基材であって、
下記（１）から（３）の工程を含むことを特徴とする、カーボンナノチューブ形成用基材の製造方法。
（１）金属系触媒微粒子を溶媒に分散した分散液を形成する工程
（２）修飾物質によって、前記単結晶基材の表面を被覆する工程
（３）前記分散液と、表面が被覆された前記単結晶基材とを接触させ、前記金属系触媒微粒子を単結晶基材上に固定する工程 （もっと読む）

【課題】再現性良く、大面積のグラファイト膜を容易に合成することができるグラファイト膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】連続操作による合成効率が高いフッ化カルボニルの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るフッ化カルボニルの製造方法は、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル化合物の少なくとも１種類から選ばれる化合物からなる原料を、キャリアガスとして空気を用いて、連続的に反応管内に誘導し、該反応管内を通過する間に前記化合物を３５０℃〜５３０℃の温度で熱分解することを特徴とする。
一般式（１）


〔一般式（１）において、Ｒｆは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、ａは１〜３の自然数であり、ｂは１〜２の自然数であり、ｃは０〜３０までの整数である。〕 （もっと読む）

【課題】特定のフラーレン誘導体を用いたメソフェーズを有する組成物、および、その新しい用途を提供する。
【解決手段】複数のフラーレン誘導体からなる組成物であり、上記複数のフラーレン誘導体のそれぞれは、フラーレン部位と、フラーレン部位の含窒素五員環に結合したアルキル置換基部位との結合からなり、メソフェーズを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ等のナノ炭素材料自体の特性を損なうことなく、優れた耐水性と導電性を兼ね備えた耐水性導電体の製造方法を目的とする。
【解決手段】スルホン酸基及び／又はカルボキシ基からなる酸性基（ａ）を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）、ナノ炭素材料（Ｂ）及び溶媒（Ｃ）を含有するナノ炭素材料含有組成物を、基材の少なくとも一方の面上に塗工して塗膜を形成する塗膜形成工程と、該塗膜形成工程の後に、前記酸性基（ａ）が脱離するように前記塗膜を加熱する脱離工程とを含む耐水性導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで大面積、厚膜品のダイヤモンド単結晶を提供し、抵抗率の高い気相合成法によってダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】種基板１であるダイヤモンド単結晶を用意する工程と、前記ダイヤモンド単結晶から気相合成法によって単結晶を成長させる工程と、を有し、前記単結晶を成長させる工程において、水素と、炭素源を含んだ合成ガス中に窒素ガスを添加することにより、単結晶基板中の炭素原子に対する窒素原子の含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とするとともに、さらに、前記ダイヤモンド単結晶の周辺にＳｉ基板２を配置することにより、単結晶基板中の炭素原子に対するＳｉ原子の含有量を１．０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とし、抵抗率が１．０×１０16Ω・cm以上であるダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法に代表される塗布法で成膜可能であって、高い電荷移動度および高いオンオフ比を有する有機ＦＥＴを提供することができるカーボンナノチューブ分散溶液および有機半導体コンポジット溶液を提供すること。
【解決手段】表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブおよび一種類以上の溶媒を含有するカーボンナノチューブ分散溶液であって、該カーボンナノチューブ分散溶液に含まれる各溶媒の双極子モーメントが３．５Ｄｅｂｙｅ以下であり、かつ、沸点が１５０℃以上である溶媒を全溶媒中５０体積％以上含有するカーボンナノチューブ分散溶液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機複合材料ダイオードに関し、特にカーボンナノチューブを含む有機複合材料からなるダイオードに関するものである。
【解決手段】有機複合材料ダイオードは、複数のカーボンナノチューブを含む有機複合材料層、該有機複合材料層に間隔を置いて設置され、それぞれ、該有機複合材料層と電気的に接続された第一電極と第二電極及び、前記有機複合材料層の表面に設置され、一部の有機複合材料層を被覆する圧力層を含む。前記第一電極が前記圧力層に被覆された有機複合材料層と電気的に接続され、前記第二電極が前記圧力層に被覆されない有機複合材料層と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ中の特にグラファイティックなカーボンを効果的に除去することが可能なカーボンナノチューブの純粋化方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属又はアルカリ土類金属の硝酸塩１０をカーボンナノチューブ３０に付着させ、この金属硝酸塩を付着させたカーボンナノチューブ３０ａを真空又は不活性ガス中で加熱することで、金属硝酸塩１０とカーボンナノチューブ３０ａ中のグラファイティフィックなカーボンとを反応させてグラファイティフィックなカーボンを除去する。 （もっと読む）

【課題】ナノ材料の有する特性及び機能性を維持したナノ材料含有バルク体、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】まず。ナノ材料を分散剤によって液体中に分散させ、ナノ材料分散液を調製する（分散工程）。その後、前記ナノ材料分散液を凍結乾燥し、多孔質バルク体とする（凍結乾燥工程）。こうして得られる本発明の多孔質ナノ材料分散体は、分散剤の多孔質バルク体中に、特性及び機能性を維持した状態でナノ材料が保持させており、安価かつ容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン等の電極に金属型単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）、チャネルに半導体型ＳＷＣＮＴを利用することで、チャネル・ソース・ドレイン間のコンタクトが良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＷＣＮＴ原料から、金属型・半導体型ＳＷＣＮＴの分離精製を行い、それぞれ純度９０％以上のものを用意し、インクジェット法により、ソース・ドレインを金属型ＳＷＣＮＴで形成し、チャネルを半導体型ＳＷＣＮＴで形成することにより、良好なコンタクトを保ちながら、トランジスタ動作が可能となる。 （もっと読む）

電気化学的工程を含むナノ材料を分散する方法。約０．１ｍｇｍ^−１以上の濃度の個々の帯電したナノ材料および溶媒を含む分散されたナノ材料の溶液、および電気化学セルが開示されている。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシートから炭素化触媒を除去する方法、炭素化触媒が除去されたグラフェンシートを素子に転写する方法、及び該方法によるグラフェンシート及び素子を提供する。
【解決手段】炭素化触媒上に形成されたグラフェンシートに該グラフェンシートを全部または一部において保持及び固定するバインダー層を形成した後、前記グラフェンシートから前記炭素化触媒を除去する。さらに、このように炭素化触媒が除去されたグラフェンシートを素子に転写する。前記グラフェンシートから前記炭素化触媒を除去する際に酸を利用することができ、このとき、湿潤剤をさらに利用することができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質およびこれを用いたカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質は、ニコチンアミドおよびニコチンアミド系化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含む。また、本発明のカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法は、前記カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質を用いて、カーボンナノチューブにｎ型ドーピングする。本発明によると、空気中でも長期間のドーピング安定性を確保することができ、さらにドーピング状態の制御も容易になる。 （もっと読む）