【課題】従来に比して核スピン不純物の含有量が低減されたダイヤモンドを得ることが可能な黒鉛及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１５は、炭素原子^１２Ｃ及び炭素原子^１３Ｃの合計量を基準とする炭素原子^１２Ｃの含有量が９９．９９ｍｏｌ％より大きく、且つ、密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上である。黒鉛１５の製造方法は、炭化水素ガスを金属基板１３に吹き付けて黒鉛１５を得る工程を備え、金属基板１３がタンタル、レニウム、ニッケル、ルテニウム、鉄、コバルト及びこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一種から構成されており、炭化水素ガスにおける炭素原子^１２Ｃ及び炭素原子^１３Ｃの合計量を基準とする炭素原子^１２Ｃの含有量が９９．９９ｍｏｌ％より大きい。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料に適合した熱膨張率を有し、かつ高い熱伝導率を有するダイヤモンド含有複合金属を提供する。
【解決手段】金属とダイヤモンド微粒子とを含んでなり、前記ダイヤモンド微粒子が、爆射法で得られたナノダイヤモンドからなる粒子であることを特徴とするダイヤモンド含有複合金属。 （もっと読む）

【課題】 端構造を原子スケールで形成・制御可能なグラフェンの加工方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法では、グラフェン層に酸素原子を吸着させ、グラフェンの吸着・拡散異方性を利用して、酸素原子を炭素結合間に列状に配列させ、拡散させることによりエーテル結合を形成させ、エーテル結合を開裂させて、端部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】熱放射性を一層向上することが可能な放熱部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本放熱部品は、第１の金属からなる基材と、前記基材上に形成された、第２の金属中に炭素材料が分散された複合めっき層である第１めっき層と、前記第１めっき層上に形成された第２めっき層と、を有し、前記第１めっき層は、前記炭素材料の一部が前記第２の金属の表面から突出した複数の突出部を含み、前記第２めっき層は、隣接する前記突出部間を充填せずに、前記突出部の表面及び前記第２の金属の表面を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いることなく、高い生産性でカーボンナノチューブを製造することのできるカーボンナノチューブの製造方法、および当該製造方法により得られたカーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気とした反応容器３０内に、ポリスチレン粒子等の固形状の炭素含有原料と、ナノサイズのニッケル粒子等の触媒粒子とを収容する。マイクロ加熱装置等からなる加熱装置１によって反応容器３０内を加熱すると、反応容器３０内で炭素含有原料が分解し、ナノサイズの触媒粒子表面でカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】 電気特性に対応した測定が可能な、ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率の測定方法を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）により形成されたチャネルを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のｏｎ／ｏｆｆ比を、前記チャネル中のＣＮＴの面積密度を変化させて測定する、ｏｎ／ｏｆｆ比測定工程と、
前記ｏｎ／ｏｆｆ比と、前記ＣＮＴ面積密度、前記ＦＥＴのｏｎ抵抗、前記ＦＥＴのキャリア移動度または前記ＦＥＴのｏｎ電流との相関に基づき、前記ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率を算出する、半導体型ＣＮＴ含有率算出工程を含むことを特徴とする前記ＣＮＴ中の半導体型ＣＮＴ含有率の測定方法。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】アルミニウム含浸グラファイト基板の表面に析出したアルミニウムを塩酸によるウェットエッチング法によって除去する（ステップ１０１）。次に、アルミニウム含浸グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ１０２）。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボン材料などの難溶性材料を可溶化する可溶化剤があるが、高分子や界面活性剤が用いられ光機能性をもつものは少ない。単純な高分子や界面活性剤である場合には可溶化の目的は達せられるが、可溶化剤は残留し、最終的にナノカーボン材料と混合した材料となってしまい、ナノカーボン材料本来の物性をそこなうことがある。この機能を有効に利用するには可溶化するだけでなく一重項酸素のキャリアーの機能などを有し、ナノカーボン材料の可溶化能力を制御できることが望まれる。
【解決手段】ナノカーボン材料とのπ−π相互作用などによっての親和性が高いアントラセン骨格にスルホ基などの溶解性をもつ置換基を有する誘導体を合成し、ナノカーボン材料を溶媒可溶化した。さらにアントラセン骨格に由来する一重項酸素の付加、脱離の反応性によってをこの課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法による半導体ダイヤモンド等のエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させて得られた結晶層を基板として用い、該基板にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって該基板上に結晶成長を行い、成長した結晶層と基板とを分離させることを特徴とする、オフ角を有する単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 金属内包フラーレンやカーボンナノチューブを確実に生成することができ、しかも、ナノカーボン生成時の収率を飛躍的に向上させうるナノカーボン製造粉末の提供を目的とする。
【解決手段】 プラズマによりナノカーボンを製造するためのナノカーボン製造用粉末であって、炭素と、金属及び／又は金属化合物とを含み、且つ、レーザー回折散乱式粒子径測定法で測定した体積基準の粒度分布において、モード径が１０μｍ以下であることを特徴とする。特に、レーザー回折散乱式粒子径測定法で測定した体積基準の粒度分布において、メディアン径が１０μｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】一般の黒鉛材料などの他部材と共に使用しても熱膨張差等の相互作用による割れが発生しにくく、反応性ガスによって炭化物が生成されても熱応力の発生による剥離及び／又は割れの生じにくいＣ／Ｃ複合材を提供する。
【解決手段】炭素繊維１と炭素質マトリックス２とを含む炭素繊維強化炭素複合材であって、前記炭素繊維は前記炭素質マトリックス内で素線状態で存在する、平均繊維長が１．０ｍｍ未満の直線状繊維であり、炭素繊維強化炭素複合材の嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする炭素繊維強化炭素複合材。 （もっと読む）

【課題】 グラフェンシート層内を所望の化学構造とすることによって、所望の電気的性質を有するグラフェンシート系材料の形成が容易な処理技術を提供する。
【解決手段】
グラフェンシート系材料の表面に、電子供与性を有する官能基を発生する特定物質が含まれる雰囲気中で紫外線を照射することにより該特定物質を活性化し、グラフェンシート系材料に含まれるグラフェンシートの端部を電子供与性の官能基で修飾する工程を含むことを特徴とするグラフェンシート系材料の処理方法に関する。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノ材料の分散剤としての応用が期待できる新規なイオン性高分岐ポリマー、並びに、炭素ナノ材料分散剤、及び炭素ナノ材料組成物を提供すること。
【解決手段】分子内に２個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーＡと、分子内にカルボキシル基及び少なくとも１個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーＢとを、該モノマーＡ及び該モノマーＢの合計モル数に対して、５モル％以上２００モル％以下の重合開始剤Ｃの存在下で重合させる段階と、前記重合段階の前、前記重合段階の間、又は前記重合段階に続いて、前記カルボキシル基に窒素原子含有塩基性化合物を反応させる段階とにより得られる、イオン性高分岐ポリマー、該ポリマーよりなる炭素ナノ材料分散剤、及び該分散剤を含む炭素ナノ材料組成物。 （もっと読む）

【課題】電子素子へ容易に適用が可能な状態で、キャリアがドープされたカーボンナノチューブが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 （もっと読む）

【課題】オン／オフ比が高く、しかも構造も簡単な、半導体酸化グラフェンを用いた電界効果トランジスタを低コストかつ高い歩留まりで製造することができる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された絶縁膜１２上にアミノ基を有する分子からなる分子層１３を形成した後、この分子層１３上に酸化グラフェン１４を形成する。酸化グラフェン１４を熱的または化学的に還元することにより半導体酸化グラフェン１５を形成する。半導体酸化グラフェン１５をチャネル層に用いて電界効果トランジスタを製造する。酸化グラフェン１４を熱的に還元する際の雰囲気としては例えば大気を用いる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブのような単一ナノ構造の成長に適した、金属表面上に触媒ナノ粒子を形成する方法の提供。
【解決手段】少なくとも以下の工程：基板表面の少なくとも一部の上に金属層を有する基板を形成する工程と、少なくとも金属層の上に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層に小さな孔を形成して、これにより金属層を露出させる工程と、単一触媒ナノ粒子１２を孔の中に形成する工程と、犠牲層を除去する工程と、を含む方法及び、更に、触媒ナノ粒子からのカーボンナノチューブの成長。 （もっと読む）