【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタパネルに関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタパネルは、絶縁基板と、複数のソース電極リード線と、複数のゲート電極リード線と、複数のピクセル電極と、複数の薄膜トランジスタと、を含む。前記複数のソース電極リード線は互いに平行に設置され、前記複数のゲート電極リード線は互いに平行に設置され、前記複数のソース電極リード線及び前記複数のゲート電極リード線は交叉して、前記絶縁基板に複数の格子を形成する。各々の前記格子の内に、一つの前記薄膜トランジスタ及び一つの前記ピクセル電極が設置される。前記薄膜トランジスタパネルのソース電極が前記ソース電極リード線に電気的に接続され、ドレイン電極が前記ピクセル電極に電気的に接続され、ゲート電極が前記ゲート電極リード線に電気的に接続され、前記半導体層がカーボンナノチューブ構造体を含む。 （もっと読む）

【課題】ナノ物質含有多孔質体を簡便な方法で形成できるナノ物質含有組成物；少量のナノ物質の添加でナノ物質の持つ機能を効果的に発現できるナノ物質含有多孔質体；該ナノ物質含有多孔質体を簡便な方法で製造できる製造方法；少量のナノ物質の添加でナノ物質の持つ機能を効果的に発現できるナノ物質含有多孔質体からなる層を有し、該層と基材等との密着性が良好な積層体；該積層体を簡便な方法で製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】水およびアルコールを含む混合溶剤（ａ）と、該混合溶剤（ａ）に溶解したメタクリル酸エステル系重合体（ｂ）と、ナノ物質（ｃ）とを含むナノ物質含有組成物；ナノ物質含有組成物を用いて形成されたナノ物質含有多孔質体；および、該ナノ物質含有多孔質体からなる層を有する積層体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板を提供する第一ステップと、前記絶縁基板の表面に複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を形成する第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体にソース電極及びドレイン電極を分離して形成し、該ソース電極及びドレイン電極を、それぞれ前記半導体層における少なくとも一本のカーボンナノチューブの両端に電気的に接続させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体に絶縁層を形成する第四ステップと、前記絶縁層の表面にゲート電極を形成し、薄膜トランジスタを形成する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】炭素原子を含む材料として二酸化炭素を用い、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の形成を可能とする炭素膜形成方法を提供すること。
【解決手段】課題を解決する炭素膜形成方法は、プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、水素及び二酸化炭素を含むガスをパルス放電によりプラズマ化して基材上に炭素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタに関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、絶縁層と、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極を含む。前記ソース電極、前記ドレイン電極及びゲート電極の少なくとも一つが金属性のカーボンナノチューブ構造体を含む。 （もっと読む）

【課題】製造設備のコンパクト化が図れ、特に高収率のフラーレンを含有する炭素微粒子を大量かつ簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】炭化水素化合物および水素を含有する混合物と、酸素含有ガスとを反応炉２内に導入し、水素、一部の炭化水素化合物および酸素で燃焼反応を生じさせて二酸化炭素と水蒸気からなる1200〜2000℃の高温ガスを生成させるとともに、この高温ガスの熱を利用して前記反応炉２内に導入した残りの炭化水素化合物を90kPa以下の減圧雰囲気下で熱分解反応を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタに関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、絶縁層と、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極と、を含む。前記半導体層がカーボンナノチューブ構造体を含み、前記カーボンナノチューブ構造体が複数のカーボンナノチューブを含み、全ての前記カーボンナノチューブが半導体性を有するカーボンナノチューブである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱界面材料の製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを利用した熱界面材料の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の熱界面材料の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの一つの表面に少なくとも一種の金属を堆積させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイ及び前記少なくとも一種の金属を加熱させて、前記金属を溶かす第三ステップと、を含む。前記第二ステップにおいては、伝送装置を利用して、前記カーボンナノチューブアレイの一側から前記カーボンナノチューブアレイに少なくとも一種の金属を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】高品質なカーボンナノチューブを、気相成長法により工業的規模で製造すること。
【解決手段】基板に処理を施すための処理室を有するチューブ状のチャンバと、前記基板に処理を施すためのガスを処理室に導入するための気体導入手段と、前記処理室内の気体を排気する排気手段と、前記処理室に複数の基板をチャージした治具を搬入および搬出するための基板搬入出手段と、前記チャンバの周囲に設けられ、処理室内の基板の温度を調整するヒータと、を有する化学気相成長装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜で十分な機械的強度を確立することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１１は基板１２を備える。基板１２の表面には複数層の絶縁膜１５が積層される。絶縁膜１５同士の間には導電性の配線層１６が挟み込まれる。配線層１６から離れつつ絶縁膜１５には炭素系材１８が埋め込まれる。炭素系材１８は高い機械的強度を有する。その結果、絶縁膜１５では十分な機械的強度が確立される。同様に、半導体装置１１では十分な機械的強度が確立される。絶縁膜１５の表面に平坦化処理が施されても、絶縁膜１５の破損は回避される。加えて、例えば半導体装置１１の実装にあたって半導体装置１１の損傷は回避される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを成長させた場合に膜はがれが生じないカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供し、さらにまた、膜はがれが生じずにカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１には、基板上に、触媒金属１４とカーボンナノチューブ成長時の成長条件により変化しない基材１５とからなる触媒含有層１６及び触媒金属を含有しない非触媒層１７をこの順で積層した積層構造パターン１３が形成されており、前記積層構造パターンの側面に前記触媒含有層の前記触媒金属が露出している。このカーボンナノチューブ成長基板を二元スパッタリング法により、触媒金属及び基材からなる触媒含有膜を形成して製造する。また、このカーボンナノチューブ成長基板でカーボンナノチューブ１９を製造する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシート系材料の処理方法及び装置に関し、所望の層数のグラフェンシートを有するグラフェンシート系材料の形成しうるグラフェンシート系材料の処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】グラフェンシート系材料４０の表面に、グラフェンシート系材料４０に作用する反応性物質３４を含む雰囲気中で紫外線３６を照射することにより、グラフェンシート系材料の最表面層を除去し又は最表面層を改質化してグラフェンシート系材料４０の電気的性質を変化する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを成長させた場合に膜はがれが生じないカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供し、さらにまた、膜はがれが生じずにカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板は、基板の対象面に、分散された状態で形成された触媒粒子１３と、この触媒粒子１３が形成された領域上に、触媒粒子１３がその側面に露出するように設けられた非触媒層パターンとを備える。このカーボンナノチューブ成長用基板を製造する。また、このカーボンナノチューブ成長用基板でカーボンナノチューブを製造する。 （もっと読む）

【課題】凹凸基板の隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォール。
【解決手段】電子線励起プラズマ発生装置を用いることで、炭素源から極めてエネルギーの高い化学種を生成させることができる。また、凸部と凸部の間隔を２００ｎｍとし、表面にチタンその他の金属膜を形成することで、隣り合う凸部と凸部を橋架けするカーボンナノウォールを形成できた（２．Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ容易に製造でき、バンドキャップの制御が容易な半導体カーボン膜、半導体素子、及び半導体カーボン膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体カーボン膜は、π結合を持ち、５員環、６員環、７員環のうち少なくともいずれかを含む多環炭素と、前記多環炭素に結合した水素及び／又は窒素と、から成り、前記多環炭素を１００重量部としたとき、前記水素及び／又は窒素の量が、５〜２０重量部であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電子バンド構造によって特徴付けられ得る電子物性を有する新型のギャップレス半導体材料であって、電子バンド構造が、第１の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるＶＢ₁及びＣＢ₁をそれぞれ含み、並びに第２の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるＶＢ₂及びＣＢ₂をそれぞれ含む、新型のギャップレス半導体材料を提供する。価電子帯部分ＶＢ₁は第１エネルギー準位を有し、ＣＢ₁及びＣＢ₂のうちの１つが、ＶＢ₁とＣＢ₁及びＣＢ₂のうちの１つとの間でギャップレス電子遷移が可能となるように位置する第２エネルギー準位を有し、並びにエネルギーバンドギャップがＶＢ₂とＣＢ₁及びＣＢ₂のうちのもう一方との間で規定されるように、ギャップレス半導体材料が調製されている。
（もっと読む）

【課題】
本発明は、簡便かつ安定した材質で製造することができ、さらに電気特性に優れた有機半導体を使用してなる電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップを提供する。
【解決手段】
本発明は、有機半導体層が、フラーレンが結合した分子が自己組織化して内壁表面及び外壁表面の両面に結合したフラーレンからなる層を有するナノサイズ構造体を含む電荷輸送材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップに関する。 （もっと読む）

【課題】膜面積の大きい単層カーボンナノチューブ膜を製造することができ、且つ該膜を自立膜として回収することができる単層カーボンナノチューブ製造方法、及び該方法の実施に適した製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１は、前記対向する一対の電極を構成する陰極１２と陽極１１の各々に一つずつ電気的に接続された状態で、且つ、該一対の電極１１，１２間の隙間１４の距離Ｌ_１よりも距離が長い隙間２４（距離Ｌ_２）をあけて対向した状態で配置される一対の導電板２１，２２を備える。前記アーク放電により蒸発したカーボンからなる単層カーボンナノチューブを、前記一対の導電板２１，２２のうち陰極１２側に配置された導電板２２における前記陽極１１と対向する面２２ａに膜状に堆積させて捕捉する。 （もっと読む）

【課題】簡単に垂直配向したカーボンナノチューブを製造することができるカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を得る。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０は電気炉１２を備えており、電気炉１２内には石英管１４が通されており、この石英管１４の周囲にはヒータ１６、熱電対１８が設けられている。石英管１４の一方には、ガス供給部２２が接続されており、石英管１４の他方には圧力調整バルブ２３及び排気部２４が接続されている。ガス供給部２２、圧力調整バルブ２３及び排気部２４は制御部２０によって制御される。排気部２４により石英管１４内を真空排気し、ヒータ１６により石英管１４内を触媒２６が昇華する温度に昇温させてから、ガス供給部２２によりアセチレンガス３０を石英管１４に流入させる。これにより触媒２６とアセチレンガス３０とが気相反応し石英基板２８上にカーボンナノチューブが垂直配向する。 （もっと読む）