【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内３１でアルゴンイオン３４と衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分３４又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】骨格の表面積が極めて大きな多孔体及び該多孔体の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る多孔体は、三次元網目構造を持つ発泡金属の骨格の表面に、炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーが形成されたことを特徴とする。前記発泡金属がＮi、Ｃr又はＦeであることが好ましい。特に、前記炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーが、前記発泡金属の骨格表面の炭化アルミニウム相又は酸化アルミニウム相から複数成長していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内でアルゴンイオンと衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

炭化物ナノ粒子を含む分散硬化体の製造方法は、溶射法によって分散硬化体を製造する工程を含み、燃焼チャンバの下流に、気体流と反応して炭化物を形成する少なくとも１つの前駆体を有するキャリアガスによって気体流が供給されるか、又は熱的負荷に曝される外部ナノ粒子発生器を介して炭化物ナノ粒子が供給される。それは、例えば、内燃機関用部品（例えばピストンリング）などの分散硬化体の製造を可能にする。本方法は、燃焼チャンバの下流に、溶射粉末を供給するための少なくとも１つの管に加えて、キャリアガスによって前駆体を供給するための少なくとも１つの管をさらに含む溶射装置によって実行される。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子基質を使用した、酸化ホウ素又は酸化ケイ素の炭化物化又は窒化ステップを含む、炭化ホウ素、窒化ホウ素、及び炭化ケイ素を調製するための、新規で有用な方法を対象とする。
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【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１０００℃を超える高温の還元性ガス雰囲気中においても、優れた還元性ガス反応抑制効果を発揮し、製品寿命を大きく延ばすことができる還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料は、Ｔａ微粒子を、Ｃを含む反応性ガス粒子と共に黒鉛基材表面に付着させることで、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる結晶組織のＴａＣ被膜が形成され、かつ該被膜の組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となる。また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、アークイオンプレーティング式反応性蒸着法により、金属Ｔａの微粒子を、Ｃを含む反応ガスの粒子と共に黒鉛基材表面に付着させ、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる前記被膜を形成すると共に、黒鉛基材表面にＴａＣ被膜をその組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となるように形成する。 （もっと読む）

本発明は、それぞれの割合がｎ＋１±ε_１、１±ε_２及びｎ±ε_３である少なくとも１つの要素Ｍ、少なくとも１つの要素Ａ及び少なくとも１つの要素Ｘを含む粉末であって、Ａは、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳから選択され、Ｍは、遷移金属であり、Ｘは、Ｂ、Ｃ及びＮから選択され、ｎは、１、２または３に等しい整数であり、ε_１、ε_２及びε_３は、独立して０から０．２の範囲の数を表し、５００ｎｍ未満の平均粒径を有する粉末に関する。
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本発明は、反応流（１４）とエネルギー流（１５）の間の相互作用がある気相において、粒子製造用リアクター（１１）中でナノメータ粒子（１０）を製造する気相法に関する。この方法は、以下の工程を含む：
−該リアクター（１１）と気体の塩化物（１２）を製造するための装置を連結する工程
−粉末の形態の塩基前駆物質（２０）から気体の塩化物を製造する工程、及び
−前記反応流（１４）をリアクター（１１）内に注入する工程。
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本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン類及び／又は揮発性重金属類を含む鉄ダスト類を資源化する還元・炭化処理において、汎用性のある還元・炭化処理を確立し、かつ、排気系統における従来対策を不要とするとともに燃料コストを低減する。
【解決手段】 流動層型反応炉を用いて、鉄ダスト類中の物質を資源化する方法において、（ａ）炉頂より鉄ダスト類を装入し、（ｂ）炉内に、Ｈ₂及びＣＨ₄を主成分とする廃棄物由来ガスを吹き込んで流動層を形成し、（ｃ）鉄ダスト類中の鉄酸化物を選択的に還元及び／又は炭化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 剥離性などの耐久性及び耐食性が高く、腐食及び応力腐食割れが発生しにくい原子炉構造材を提供する。
【解決手段】 炭素ドープされた酸化チタン又はチタン合金酸化物からなる多機能層を表面の少なくとも一部に設けたことを特徴とする原子炉構造材とする。 （もっと読む）

ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。１つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより１つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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【課題】 低い温度で十分に原材料からの転換率が得られ、粒子サイズが小さく、不純物が少ない粉末状の炭化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）Ｓｉ元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金、金属ケイ素粉末および遷移金属粉末を含む混合物、金属ケイ素粉末および遷移金属化合物を含む混合物のいずれかと、（Ｂ）鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、３７０〜８００℃の温度範囲にて反応させる工程を含む炭化ケイ素の製造方法。 （もっと読む）

ナノ粉末を合成するためのプロセスと装置が提案される。特に、有機金属化合物、塩化物、臭化物、フッ化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、および炭酸塩を前駆体として使う、誘導プラズマ技術による金属、合金、セラミック、および複合材料のような様々な材料のナノ粉末の合成のためのプロセスが開示される。このプロセスは、反応材料を、材料の過熱蒸気をもたらすのに十分高い温度を持ったプラズマ流れが生成されたプラズマトーチに供給する段階と；前記蒸気を冷却領域にプラズマ流れを用いて輸送する段階と；冷却領域内のプラズマ流れに冷却ガスを注入して再生可能なガスの冷却面を形成する段階と；再生可能なガスの冷却面とプラズマ流れとの間の界面においてナノ粉末を形成する段階と；を有する。
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【課題】 モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ薄膜を成膜する方法であり、シリコン基板が載置された反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスを導入する第１工程（I）と、反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスとヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）とを導入する第２工程（II）と、反応装置内にヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を導入する第３工程（III）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、レーザ（１０）によって発せられる光線（１１）と注入装置（１４）によって放出される反応剤の流れ（１３）との少なくとも１つの相互作用ゾーンにおいて、熱分解性レーザの作用により、連続流の中でナノメートルサイズ又はサブミクロンサイズの粉体を製造するためのシステムに関し、本システムでは、レーザの後に光学手段（１２）が設けられており、レーザによって発せられた光線のエネルギーを、各反応剤の流れの軸に対して垂直な軸に沿って、前記少なくとも１つの相互作用ゾーン内で寸法が調節可能な細長い断面に分布させることができる。本発明は、前記粉体の製造方法にも関する。
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