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Fターム[4G146NB19]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 炭化物、炭素・硫黄含有化合物の製造 (654) | プロセス条件、制御対象の特定 (161) | 圧力(常圧、1気圧を除く) (33)

Fターム[4G146NB19]に分類される特許

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【課題】生体活性を有する炭化ケイ素(SiC)ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 (もっと読む)


【課題】より容易に製造することができ、炭化珪素を高純度で含む炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されている炭化珪素粉末とその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】リチウムイオン二次電池用負極材料として用いて、放電容量が高く、優れたサイクル特性と初期充放電効率が得られる負極材料、得られた負極材料を用いてなる、放電容量が高く、優れたサイクル特性と初期充放電効率を有するリチウムイオン二次電池用負極およびこの二次電池用負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】 黒鉛質物の表面の少なくとも一部に、リチウムと合金化可能な金属原子および炭素原子を有する化合物層を介して、リチウムと合金化可能な金属および/または金属化合物の層を設け、前記黒鉛質物が、平均粒子径が10nm〜1μmの微小黒鉛粒子を、それより粒径の大きな黒鉛粒子を母粒子として、該母粒子の表面に付着することで凹凸を形成してなることを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極材料。 (もっと読む)


【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でSiよりもCが多いSiC皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶の結晶構造相を含む耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材である。
そして、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材の製造方法であって、0を超え25体積%以下のC相を含んだSiC複合ターゲットを用い、該SiC複合ターゲットに印加する平均電力を2kW以上でスパッタし、原子比でSiよりもCが多く、六方晶の結晶構造相を含むSiC皮膜を被覆する耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa25を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末PITを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてTaCを形成する。 (もっと読む)


【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素/炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素/炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素/炭化珪素複合微粒子を得る。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材1上に炭化タンタル被覆膜2を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材1表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が0.01μm〜100μm、スプリングピッチが0.01μm〜10μm、スプリング長が1.0×10−5mm〜20mm、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が80MPa以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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【課題】黒鉛などの炭素基材の表面に炭化ケイ素被膜が緻密にかつ均一に被覆された炭化ケイ素被覆炭素基材を製造する。
【解決手段】未結合手を有しないSP炭素構造からなるベース部と、未結合手を有するSP炭素構造からなるエッジ部とを表面に有する炭素基材を準備する工程と、温度1400〜1600℃、圧力1〜150Paの雰囲気中で、炭素基材の表面と、SiOガスとを反応させて炭化ケイ素を形成することにより、炭化ケイ素で被覆された炭素基材を製造する工程とを備えることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、炭化ケイ素粉体製造方法及びシステムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉体製造方法は、混合器でケイ素源と炭素源とから構成された混合物を生成するステップ、及び前記混合物を真空度0.03torr以上0.5torr以下、温度1300℃以上1900℃以下に加熱して炭化ケイ素(SiC)粉体を合成するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な2H炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス23に炭化珪素単結晶基板25を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン26を導入し、前記リチウムフラックス23に前記メタン26を接触させることにより、前記リチウムフラックス23から前記単結晶基板25上に2H炭化珪素単結晶27を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】
0.01重量%未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素:シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも3重量%のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素:シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 (もっと読む)


本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 (もっと読む)


【課題】SiC被覆膜が予め形成された部材同士を強固に接合することができるとともに、内部空間(中空部)に均一なSiC被覆層が形成されたSiC被覆カーボン部材及びSiC被覆カーボン部材の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC被覆カーボン部材1は、少なくとも表面にSiC被覆膜が形成された複数のカーボン基体2a,3aを接合したSiC被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体2とカーボン基体3の接合層が、単一の層からなるSiC被覆膜2b,3bで構成されている。 (もっと読む)


【課題】1,000℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の(a)及び/又は(b)を満たし、平均外径が50nm以上であって、直径と長さのアスペクト比が10以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、0.1気圧以下の真空下で、1,400℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、600℃以上800℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
(a)グラファイト(002)面のX線回折強度の半値幅が、1°以下の強度を有すること;(b)600℃の大気中で加熱したときに重量減少が10%以下であること (もっと読む)


【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】平均粒子径が200nm以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を1500℃以上かつ1900℃以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Al-SiC、Al-炭素、又はAl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、600℃以上、1200℃以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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