【課題】輝尽性蛍光体の結晶性を均一とし、鮮鋭性の高い放射線画像が得られる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線画像変換パネルの製造装置１において、真空容器２と、真空容器２の内部に設ける支持体ホルダ５と、支持体ホルダ５に保持される支持体４とを設け、輝尽性蛍光体を蒸発させて支持体４に輝尽性蛍光体を蒸着させる蒸発源８ａ，８ｂを、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置する。 （もっと読む）

【課題】乾燥工程においてスラリーを希釈する必要がなく、しかも乾燥工程で得られた乾燥品を焼成工程の前に解砕する必要がなく、生産性に優れたケイ酸塩蛍光体の製造方法を提供することである。
【解決手段】酸化ケイ素を含む複数種の金属化合物を湿式粉砕混合しスラリーを調製する工程と、このスラリーを乾燥する工程と、この乾燥品を焼成する工程とを有し、前記乾燥工程において、２００〜３５０℃の熱風を吹き込んで多数の媒体粒子を流動させる流動室内に前記スラリーを供給し、スラリー中の固形分を最大粒径が３ｍｍ以下の乾燥粒子として連続的に回収する。 （もっと読む）

【課題】輝尽性蛍光体層の輝度分布が均一な放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】真空容器２内で、シート状の支持体１１を保持し、回転させながら輝尽性蛍光体を蒸着させて、輝尽性蛍光体層を成膜する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸着工程における支持体１１の任意の二箇所の温度を支持体温度Ｔ₁及びＴ₂とすると、支持体温度Ｔ₁及びＴ₂が、｜Ｔ₁−Ｔ₂｜≦１０℃を満たすように支持体１１を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 輝尽性蛍光体粒子内に発光分布がなく、それを用いた放射線像変換パネルは粒状性がよく、Ｘ線損傷による発光強度低下も小さい、希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とそれを用いた放射線像変換パネルを提供することにある。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表され、発光面積が蛍光体粒子表面積の５０〜１００％である希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体。
一般式（Ｉ） Ｂａ_(1-x)Ｍ²_(x)ＦＢｒ_(y)Ｉ_(1-y)：ａＭ¹，ｂＬｎ，ｃＯ
（式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓ、Ｍ²はＢｅ，Ｍｇ，Ｓｒ及びＣａ、ＬｎはＣｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｅｒ及びＹｂ、ｘ，ｙ，ａ，ｂ及びｃは、各々、０≦ｘ≦０．３，０≦ｙ≦０．３，０≦ａ≦０．０５，０＜ｂ≦０．２，０≦ｃ≦０．１） （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができ、画質及び安定性が良好な放射線画像変換パネルを実現する。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層に含有される輝尽性蛍光体の粒子の表面を、所定のフッ素含有化合物により覆い、輝尽性蛍光体に疎水性能を付与するようにした。 （もっと読む）

本発明は、放射源と、少なくとも1の蛍光物質を有する発光体とを有する照明システムであって、前記少なくとも1の蛍光物質は、前記放射源によって発光される光の一部を吸収して、吸収した光とは異なる波長の光を放射することができ、前記少なくとも1の蛍光物質は、一般式が、EA_2-zSi_5-aB_aN_8-aO_a：Ln_z；ただし0＜z≦1および0＜a＜5、で表されるオキシド−ニトリド−シリケートであり、少なくとも1の元素EAは、Mg、Ca、Sr、BaおよびZnからなる群から選択され、少なくとも1の元素Bは、Al、GaおよびInからなる群から選択され、前記オキシド−ニトリド−シリケートは、セリウム、ユーロピウム、テルビウム、プラセオジミウムおよびそれらの混合物からなる群から選択されるランタノイドで活性化されることを特徴とする照明システムに関する。 （もっと読む）

【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色ＬＥＤと、青色ＬＥＤの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色ＬＥＤが放つ青色光を吸収して５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式（Ｓｒ_1-a1-b1-x Ｂａ_a1Ｃａ_b1Ｅｕ_x ）₂ ＳｉＯ₄ （０≦ａ１≦０．３、０≦ｂ１≦０．８、０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。 （もっと読む）

蛍光体のマイクロ波合成方法は、マイクロ波チャンバーを備えたマイクロ波炉を準備することと、前記マイクロ波チャンバーに原料を準備することと、前記原料にマイクロ波を照射して、原料から蛍光体を合成することとを含む。マイクロ波合成に使用する絶縁パッケージが開示されている。この絶縁パッケージは、中に開口を有する絶縁体であって、前記開口が前記絶縁体の中心軸に対して実質的に対称に配置されており、且つ前記開口が原料を収容するようになっている、絶縁体を備えている。前記キャビティー内にサセプタ構造体を、前記絶縁体、前記キャビティー及び前記サセプタ構造体が、前記絶縁パッケージの回転軸に対して実質的に対称になるように配置してもよい。蛍光体の連続マイクロ波合成用マイクロ波炉も開示されている。
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本発明は、厚膜絶縁性電子発光ディスプレイ用の多成分の薄膜の燐光物質のための新規なスパッタターゲット及び蒸着方法であって、蒸着された燐光物質は、テレビ用として要求される高輝度と多色を提供する。 この方法は、反応種と非反応種とを有するガスを含む低圧スパッタリング雰囲気中で、単一の複合ターゲットをスパッタリングするステップを備えている。 この複合ターゲットは、マトリクス相と封入相、若しくは２つのマトリクス相を有しており、前記相の一方が、燐光物質の組成に寄与する一以上の金属元素を含むと共に、成分相の他方が、燐光物質の組成に寄与する残余の元素を含んでいる。 前記方法においては、複合ターゲットのマトリクス相及び封入相のスパッタリング速度を制御するためにスパッタリング雰囲気内で前記反応種の圧力を変化させることにより、蒸着すべき２つの相における元素の割合を、基板上に形成する燐光体膜として所望の割合とするステップを更に備えている。 （もっと読む）

【課題】 塗布の膜厚分布が均一で、塗布性が良好で、粒状性が優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法。
【解決手段】 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、アルキド樹脂、脂肪酸アミド、ポリシロキサンーポリオキシアルキレンブロック共重合体、フルオロシリコーンもしくはウレタン変性アクリレートの何れか１種を含有する輝尽性蛍光体層塗布液を支持体上に塗布、乾燥する。 （もっと読む）

【課題】 蓄光性蛍光体を包有する樹脂体であって、耐光性、耐候性が高く、摩耗圧力が高い環境で長時間使用しても蛍光性能および耐候性が低下しない蓄光性蛍光体包有樹脂体を提供する。
【解決手段】 蓄光性蛍光体２が高い透明性を有する樹脂３で形成された本体の上部表面近くに層状に偏在し、完全に樹脂３に包有されて外表面に露出しないようになっており、樹脂３は蓄光性蛍光体２を包有する表面層を形成すると共に樹脂体１全体を円錐台形やその他適当な形状に形作る。 （もっと読む）

【課題】PDP、ランプなどの蛍光体を用いて構成される発光装置及び表示装置において蛍光体発光輝度を向上することにより輝度特性を向上させる。
【解決手段】Br、Sr、Caのうちの１種以上と、MgとZnのうちの１種以上と、Siとから構成される母体がEuで付活されてなる珪酸塩蛍光体の母体中にCu、Ga、Ge、As、Ag、Cd、In、Sn、Sｂ、Au、Hg、Tｌ、Pb、Biの内の１種以上の元素を含有させて高輝度の蛍光体を得、この蛍光体を使用してPDPやランプ等の発光装置及び表示装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤの駆動制御が容易で、演色性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の発光ピーク波長を青色領域に持ち青色を放出する第１の発光素子１０８ａと、第１の発光素子１０８ａからの光により励起される赤色光を放出する蛍光物質１４０と、第１の発光ピーク波長よりも長波長側、かつ、蛍光物質１４０の発光ピーク波長よりも短波長側に第２の発光ピーク波長を持つ第２の発光素子１０８ｂと、第１の発光ピーク波長よりも長波長側に第２の発光ピーク波長を持つ緑色光を放出する第２の発光素子１０８ｂと、を有し、これらの青色光と赤色光と緑色光との混色光が外部に放出される発光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 塗布の膜厚分布が均一で、塗布性が良好で、粒状性が優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、アクリルオリゴマーを含有する輝尽性蛍光体層塗布液を支持体上に塗布、乾燥することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
蛍光体励起用の電子ビ−ムの励起密度が増大しても、発光効率の低下が少なく、高い輝度を維持することが可能な電子線励起用の蛍光体を提供する。
【解決手段】
原料としてＣａ_３Ｎ_２（２Ｎ）、ＡｌＮ（３Ｎ）、Ｓｉ_３Ｎ_４（３Ｎ）、Ｅｕ_２Ｏ_３（３Ｎ）を準備し、各元素のモル比が（Ｃａ＋Ｅｕ）：Ａｌ：Ｓｉ＝１：１：１となるように秤量し混合し、当該混合物を不活性雰囲気中で１５００℃で３時間保持して焼成した後、粉砕して組成式Ｃａ_{０．９８５}ＳｉＡｌＮ_３：Ｅｕ_{０．０１５}を有する蛍光体を製造する。
無し （もっと読む）

【課題】
発光部の発熱などにより蛍光体の温度が上昇しても発光強度の変化が少なく、高い輝度を維持できるという白色ＬＥＤ用蛍光体の提供、並びに、当該蛍光体を用いた光源およびＬＥＤを提供する。
【解決方法】
原料としてＣａ_３Ｎ_２（２Ｎ）、ＡｌＮ（３Ｎ）、Ｓｉ_３Ｎ_４（３Ｎ）、Ｅｕ_２Ｏ_３（３Ｎ）を準備し、各元素のモル比が（Ｃａ＋Ｅｕ）：Ａｌ：Ｓｉ＝１：１：１となるように秤量し混合し、当該混合物を不活性雰囲気中で１５００℃で３時間保持して焼成した後、粉砕して組成式Ｃａ_{０．９８５}ＳｉＡｌＮ_３：Ｅｕ_{０．０１５}を有する蛍光体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 特に鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルの製造方法の提供。
【解決手段】 支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、基板面内の温度の変動係数を１〜４０％で蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光のピーク波長が580〜680nmの範囲にあり、高い発光強度を有するという発光特性を持ち、紫外〜可視光(波長250〜550nm)の広範囲な波長域の励起光に対し平坦で効率の高い励起帯を持つという励起帯特性を有する蛍光体を提供する。
【解決手段】例えば、Ca₃N₂(2N)、AlN(3N)、Si₃N₄(3N)、Eu₂O₃(3N)を準備し、各原料を所定量秤量、混合した後、1500℃で６時間焼成し、組成式CaAlSiN₃:Euで示される生成相を含み、当該Ｘ線回折パターンのブラッグ角度（２θ）が、３６．５°〜３７．５°および４１．９°〜４２．９°である範囲に相対強度１０％以上の回折ピークを示す蛍光体を得る。（但し、上式中2N、3Nは純度を示す。） （もっと読む）

【課題】
赤色蛍光体と、橙色蛍光体と、青色蛍光体と、緑色蛍光体との４種以上の蛍光体を含み、色温度の高い場合での白色発光のみならず、色温度の低い電球色の発光においても、優れた演色性を有する発光をおこなう蛍光体混合物、および当該蛍光体混合物と発光部とを有する発光装置を提供する。
【解決手段】
赤色蛍光体としてCaAlSiN₃:Euを、橙色蛍光体としてCaAl₂Si₄N₈:Euを製造し、緑色蛍光体としてZnS:Cu,Alを、青色蛍光体としてBAM:Euとを準備した後、これら４種の蛍光体の発光スペクトルを測定し、当該発光スペクトルから蛍光体混合物の相関色温度がねらいの色温度となる相対混合比を、シミュレーションにより求め、当該シミュレーションの結果に基づき各蛍光体を秤量し混合して蛍光体混合物を得た。 （もっと読む）

【課題】 黄色から赤色（580 nm 〜 680 nm）の範囲にブロードなピークを持ち、励起光である近紫外・紫外から可視光（250 nm 〜 550 nm）という長波長側に良好な励起帯を持つとともに、発光強度が向上した蛍光体を提供すること。
【解決手段】 組成式MmAaBbOoNn:Z（但し、M元素はII価の価数をとる1種以上の元素であり、A元素はIII価の価数をとるAl、Ga、In、Tl、Y、Sc、P、As、Sb、Biのうちの1種以上の元素であり、B元素はIV価の価数をとる1種以上の元素であり、Oは酸素であり、Nは窒素であり、Z元素は希土類元素または遷移金属元素から選択される少なくとも1つ以上の元素であり、m > 0、a > 0、b > 0、n = 2/3m + a + 4/3b - 2/3o、o ≧ 0である。）で表記され、更にホウ素及び／またはフッ素を含有することを特徴とする蛍光体である。 （もっと読む）