【課題】アルコキシチタン錯体の製造方法を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、Ａは元素の周期律表の第１４族元素を示し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基等を表し、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９及びＲ^１０は同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基等Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ任意のハロゲン原子を表す。）で示されるハロゲン化チタン錯体とアルカリ土類金属アルコキシド類とを反応させることを特徴とする式（２）


（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２は同一または相異なり、炭素原子数１〜２０のアルキル基等を表す。）で示されるアルコキシチタン錯体の製造方法。 （もっと読む）

医薬品中間体として有用な光学活性エポキシアルコール誘導体を、安価で入手可能な原料から、簡便かつ工業的に安全に実施可能な方法、ならびにそれらの重要新規中間体化合物ハロヒドリン誘導体を提供する。また、ハロヒドリンをトリアゾールのスルホンアミド体と反応させることにより短工程でトリアゾール系抗真菌剤中間体を製造するプロセスを提供する。光学活性置換プロピオン酸エステル誘導体を塩基存在下、ハロ酢酸誘導体と反応させることにより、光学活性ハロケトン誘導体とし、次いでアリール金属化合物と反応させて立体選択的に得られるハロヒドリン誘導体を水酸基上置換基の脱離、塩基によるエポキシ化により光学活性なエポキシアルコール誘導体を製造する。また、ハロヒドリン誘導体をトリアゾールのスルホンアミド体と反応させることにより短工程でトリアゾール系抗真菌剤中間体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 光学活性アミノジオール類を簡便にかつ高い立体選択性をもって製造する。
【解決手段】 下記一般式（ＩＩ）
【化１８】


で表される光学活性ビニルケトン誘導体をアルミニウム還元剤により還元する。 （もっと読む）

【課題】 抗ＨＩＶ化合物１’−（Ｓ）−アセトキシシャビコールアセテートの立体選択的化学合成法を提供すること。
【解決手段】 下記式（Ｉ）


（式中、Ｒは、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基を表す）で表されるケトン化合物を、光学活性オキサザボロリジンの存在下、ボラン化合物により還元することにより、光学活性アルコールを得る。この光学活性アルコールのＴＢＳ基を脱離して水酸基とした後、二個の水酸基をアセチル化することにより、１’−（Ｓ）−アセトキシシャビコールアセテートを得る。 （もっと読む）

【課題】パーフルオロアルキル基、ポリフルオロアルキル基、又はフルオロアルキル基を有するアルドール誘導体の簡便で効率の良い製造方法を提供する。
【解決手段】Ｒ_f（Ｒ¹²Ｒ¹³Ｒ¹⁴ＳｉＯ）Ｃ＝Ｃ（ＯＳｉＲ¹⁵Ｒ¹⁶Ｒ¹⁷）（ＯＲ¹¹）で表されるケテンシリルアセタール（式中、Ｒ_fはパーフルオロアルキル基、ポリフルオロアルキル基、又はフルオロアルキル基を表し、Ｒ¹¹は水素又は１価の有機基を表す）と、Ｒ²¹ＣＨＯ（式中、Ｒ²¹は置換又は未置換の環式又は非環式炭化水素基を表す）又はＲ³¹ＣＨ(ＯＲ³²) (ＯＲ³³)（式中、Ｒ³¹、Ｒ³²、及びＲ³³は、独立して置換又は未置換の環式又は非環式炭化水素基を表す）で表される化合物とをルイス酸の存在下で反応させ、アルドール誘導体：Ｒ²¹（Ｒ¹²Ｒ¹³Ｒ¹⁴ＳｉＯ）ＣＨ−Ｃ（Ｒ_f）（ＯＳｉＲ¹⁵Ｒ¹⁶Ｒ¹⁷）−ＣＯ₂Ｒ^１１又はＲ^３１（Ｒ^３２Ｏ）ＣＨ−Ｃ（Ｒ_f）（ＯＳｉＲ¹⁵Ｒ¹⁶Ｒ¹⁷）−ＣＯ₂Ｒ^１１を得る。 （もっと読む）

【課題】 分子内に水酸基およびアミノ基を有し、両官能基がアリールメチル基で保護された化合物について、水酸基側だけを選択的に脱保護化する方法によって、同一分子内に水酸基およびアミノ基を有して、アミノ基だけを保護した化合物を合成する有用な方法を提供する。
【解決手段】
分子内に式（１）：
−Ａｒ−ＯＲ¹
（式中、Ｒ¹は置換もしくは無置換のアリールメチル基を表す。Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環を表す。）で表される基と、式（２）：
−ＮＲ²−
（式中、Ｒ²は置換もしくは無置換のアリールメチル基を表す。）で表される基を含む化合物を、塩基性添加物の存在下で接触還元し、式（２）で表される基はそのままに、式（１）で表される基を式（１’）：
−Ａｒ−ＯＨ
とする製造方法。 （もっと読む）

アルケニルエステル類の加水分解反応やアルケニルエーテル類の開裂反応を利用した光学活性化合物の製造方法であって、酸性化合物や塩基性化合物を使用せず、また、高濃度で反応が出来、酵素反応や微生物を用いた反応のように緩衝液や栄養源等の必要もない、簡便で且つ生産効率のよい製造法の提供。
一般式［１］


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ異なる基を表し、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、水素原子、アルキル基等を表し、Ａはメチレン基、カルボニル基又は単結合を表す。）で表されるアルケニルエステル又はアルケニルエーテルに、特定の光学活性配位子を有する遷移金属錯体の存在下、水を作用させることを特徴とする一般式［６］


で表される光学活性カルボン酸又は光学活性アルコールの製造法。
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【解決手段】 酸存在下、極性溶媒を含む溶媒中で、下記一般式（１）で表されるアルコキシシランと水を反応させることを特徴とする下記一般式（２）で表されるかご状オリゴシロキサンを製造する方法。
Ｒ¹Ｓｉ（ＯＲ²）₃ （１）
（Ｒ¹ＳｉＯ_3/2）_n（Ｒ¹ＳｉＯ₂Ｈ）₃ （２）
（一般式（１）及び（２）において、Ｒ¹は水素原子、炭素原子数１〜２０の置換又は非置換の炭化水素基又はケイ素原子数１〜１０のケイ素原子含有基から選ばれる。ＯＲ²は炭素原子１〜６のアルコキシル基である。ｎは２〜１０の整数である。）
【効果】 本発明によれば、酸存在下極性溶媒を含む溶媒中でアルコキシシランを水と反応させることで、高純度かつ容易に目的とするシラノール基を有するかご状オリゴシロキサンを製造できる。また、本発明で製造したかご状オリゴシロキサンは、新規な電子材料、光学材料、電子光学材料、触媒担体、又は樹脂改質剤の反応中間原料として極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１）
（Ｒ¹）_nＳｉ｛ＯＳｉ（ＣＨ₃）_m（ＯＲ²）_3-m｝_4-n （１）
（式中、Ｒ¹は同一又は異なる炭素数１〜１０の１価炭化水素基であり、少なくとも１つは炭素数３〜１０の１価炭化水素基、Ｒ²は炭素数１〜１０の１価炭化水素基であり、ｍは０，１又は２、ｎは１、２又は３である。）
で示されるシロキサン結合を有するオルガノキシシラン化合物。
【効果】 本発明によれば、シロキサン結合を有するオルガノキシシラン化合物を撥水処理剤として用いると、従来の撥水処理剤に比べ、耐候性、持続性に優れ、より高い撥水性を付与することができる。また、この新規化合物はシロキサンを導入することのできる高分子変性剤やシリル化剤としても有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規なジルコニウム錯体を用いて、フィッシャー・トロプシュ反応を穏和な条件下で進行させて、効率よく所望のアレン化合物を高選択的に製造する方法を提供する。また、本発明は、前記ジルコニウム錯体、その製造方法、該ジルコニウム錯体の配位子の製法を提供する。
【解決手段】一般式（８）：
【化１】


（式中、Ａｒは置換されていてもよいアリール基を示す）
で表されるアリールアレン化合物の製造方法であって、一般式（６）：
【化２】


（式中、Ｒ^１はＣ_３−４アルキル基、Ｒ^２はＣ_１−４アルキル基、Ｒ^３はＣ_１−４アルキル基、Ｒ^４はＣ_１−２アルキル基を示し、Ａｒは前記に同じ）
で表されるジルコニウムアラルキリデンジヒドリド錯体に、一酸化炭素を反応させることを特徴とするアリールアレン化合物の製造方法等に関する。 （もっと読む）

本発明は、式Ｉ：
【化１】


［但し、置換基Ｘが同一又は異なっていても良く、それぞれＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又は直鎖、環式若しくは分岐のＣ_1-10アルキルを表し、置換基Ｒが同一又は異なっていても良く、それぞれ直鎖、環式若しくは分岐のＣ_1-10アルキル又はＣ_6-10アリールを表す。］
で表されるｒａｃ−ジオルガノシリルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ジルコニウム化合物をジアステレオ選択的に合成する特定の方法であって、シリル架橋ビスインデニルリガンドをジハロジルコニウムビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシド）塩基付加体と反応させて、ジオルガノシリルビス（２−メチルベンゾ［ｅ］インデニル）ジルコニウムビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシド）を形成し、次いでフェノキシド基を適当な置換剤を用いてＸに置き換えて、式Ｉで表される化合物を得ることを特徴とする法、及びこの化合物を触媒として使用する方法に関する。
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本発明は、架橋遷移金属錯体を、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体と反応させる工程、及び得られた反応混合物を−７８〜＋２５０℃の範囲の温度に加熱する工程を含むことを特徴とするラセミ体メタロセン錯体を製造する方法；対応するメタロセンビフェノキシド錯体、そしてこの錯体を、オレフィン性不飽和化合物の重合のための触媒又は触媒の成分として、或いは立体選択合成における試薬又は触媒として使用する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 不斉ヒドロキシメチル化反応が高い不斉選択性で進行する触媒、及びその触媒を用いた光学活性ヒドロキシメチル化化合物の製法を提供する。
【解決手段】 キラル配位子(例えば、化４)
【化４】


とスカンジウムトリフラート等とを混合させてなる触媒を用いることにより、ケイ素エノラートとホルムアルデヒドとの反応において光学活性ヒドロキシメチル化化合物が高い不斉選択性で得られる。
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本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）