【課題】熱カチオン重合開始剤を含有する熱カチオン重合性組成物を利用した絶縁性接着フィルムや異方性導電接着フィルムを用いて、ガラス基板や回路基板に電子部品を接続する際に、接着界面での浮きの発生が抑制され、接着強度の著しい低下がなく、しかも異方性導電接着フィルムで異方性導電接続した際の対向する接続端子間における導電粒子捕捉効率を低下させないようにする。
【解決手段】熱カチオン重合性組成物は、特定のホウ酸エステル又はビス（アルカンジオラート）ジボロンから選択される有機ホウ素化合物を含有する。この熱カチオン重合性組成物に導電粒子を分散させてフィルム化すれば、異方性導電接着フィルムとなる。 （もっと読む）

【課題】血小板が関与する一次止血の段階と血液凝固因子が関与する凝固血栓形成の段階における双方の血液凝固反応を阻害でき、医療器材又は医療材料の表面に抗血液凝固活性を保持した状態で強固に固定化できる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】本発明は、血小板の付着を阻害する共重合体と、下記の一般式（Ｉ）で示される化合物とが結合している、高分子化合物を提供する。
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【課題】光配向法により液晶分子の配向規制力を付与することができ、垂直配向型の液晶表示素子に適用する場合にあっては垂直配向規制力と塗布性とのバランスに優れ、一方ＴＮ型、ＳＴＮ型または横電解方式の液晶表示素子に適用する場合にあっては配向規制力に優れる液晶配向膜を与える液晶配向剤を提供すること。
【解決手段】上記液晶配向剤は、下記式（Ａ’）


で表される構造を有する感放射線性重合体を含有する。 （もっと読む）

【課題】厚みが大きく且つ略均等であり、しかも、表面粗さが小さい皮膜を、プラズマ成膜によって得る。
【解決手段】プラズマ発生装置１６と、基材１０の成膜部位との間に、整流用治具１２を配置する。この整流用治具１２に形成された成膜用通路２２に、プラズマ発生装置１６からプラズマ励起種を供給する。その一方で、液体供給装置１８から液相原材料Ｌを基材１０に供給し、付着させる。この液相原材料Ｌは、成膜用通路２２に到達したプラズマ励起種によってブローされることで展延し、厚みが低減した液膜となる。また、液膜は、プラズマ励起種によって活性化され、重合・固化して皮膜に変化する。 （もっと読む）

低誘電率層を基板上に堆積するための方法が提供される。一実施形態では、本方法は、１種または複数のオルガノシリコン化合物をチャンバに導入するステップであって、１種または複数のオルガノシリコン化合物がシリコン原子およびこのシリコン原子に結合されたポロゲン成分を含むステップと、１種または複数のオルガノシリコン化合物を、ＲＦ電力の存在下で反応させることにより、低誘電率層をチャンバ内の基板上に堆積させるステップと、低誘電率層からポロゲン成分が実質的に除去されるようにこの低誘電率層を後処理するステップとを含む。任意選択で、不活性キャリアガス、酸化ガス、またはその両方を、１種または複数のオルガノシリコン化合物と共に処理チャンバ内に導入してもよい。後処理プロセスは、堆積した材料の紫外線硬化とすることができる。ＵＶ硬化プロセスは、熱または電子ビーム硬化プロセスと同時にまたは連続して使用してもよい。低誘電率層は、良好な機械的性質および望ましい誘電率を有する。
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【課題】簡単な構造であるにもかかわらず、過酷な環境下での液密性および気密性を十分に保持し得る時計、およびかかる時計を効率よく低コストで製造可能な時計の製造方法を提供すること。
【解決手段】腕時計１は、密閉構造を有する外装部２と、外装部２の内部に収納され、図示しない時計用針を有するムーブメント３とを備えている。このうち、外装部２は、ガラス板２１とベゼル２２と胴部２３と裏蓋２５とを有しており、各部品の接続部は、オルガノシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜で構成された接合膜１１、１２、１３で接続されている。これにより、密閉構造の気密性が向上するとともに、接続部のパッキンが不要になるため、腕時計１の設計自由度が高くなる。また、ガラス板２１の下面にも上記プラズマ重合膜で構成された被膜１４が設けられている。被膜１４は吸湿性を有しているので、ガラス板２１の防曇効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、金型転写性、成形加工性に優れた成形材料を提供すること。
【解決手段】 本発明は、熱硬化性液状樹脂組成物から得られる、ＤＳＣにおける発熱量から求められる未反応率が３０％〜７０％である成形材料である。本発明の成形材料は、単一成形体であることが好ましい。また本発明は、上記成形材料から得られる、ＤＳＣにおける発熱量から求められる未反応率が２０％以下である最終成形品である。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

ＳＯＦ前駆体の反応による、共有結合性有機骨格として配列した複数のセグメントと複数の連結基とを含む構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、カルベン誘導体を用いて触媒される環状化合物の制御可能な開環重合の方法であって、前記カルベン誘導体は式（Ｉ）に示されるカルベン二酸化炭素化合物である。その式中、点線は任意に選択される二重結合を表す。X¹はS又はNから選択される。X²はC又はNから選択される。R¹、R²は、水素、1〜10個の炭原子を有するアルキル基、1〜10個の炭原子を有し、且つハロゲン原子、ヒドロキシル基、フェニル基及びシアン基中の一種又は多種に置換されたアルキル基、3〜6個の炭原子を有するシクロアルキル、ハロゲン原子、アダマンタン、フェニル基、及び置換フェニル基中の同一であるか又は異なる基から選択される。R³、R⁴は水素、ハロゲン原子、シアン基、ヒドロキシル基、置換フェニル基、1〜4個炭原子を有するアルキル基、及び1〜4個炭原子を有し、且つハロゲン原子、ヒドロキシル基、フェニル基及びシアン基中の一種又は多種に置換されたアルキル基中の同一であるか又は異なる基から選択される。又は、R³とR⁴とは3〜8個炭原子を含有するシクロアルキル又はシクロアルケニルを形成する。又は、R³とR⁴とはベンゼン環を形成する。又は、R²とR³とは無置換の五員又は六員N-複素環を形成する。
【化１】

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本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロブタンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭化水素などの酸素を含まないキャリアガスを成膜時に同伴させてもよい。 （もっと読む）

【課題】優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板、および、かかる可撓性回路基板を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】可撓性回路基板１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、この可撓性フィルム２の一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体４とを有し、可撓性フィルム２に、導電体４が接合膜３を介して接合されており、この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含み、エネルギーを付与したことにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３に発現した接着性によって、可撓性フィルム２と導電体４とを接合している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種々の基材表面にガス透過性、生物適合性、低摩擦または絶縁の性質を付与するように設計した脂肪族ヒドロシクロシロキサン膜を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、所望によりコモノマーと共重合された重合脂肪族ヒドロシクロシロキサンモノマーを含有するプラズマ重合膜およびこれら膜の製造方法を開示する。これら方法を用いて基材を被覆して、疎水性、血栓抵抗性、ガス透過性および生物適合性などの性質を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】耐曝露汚染性と耐食性に優れる硬化塗膜を形成できる有機−無機ハイブリッド樹脂の水性分散体、硬化性樹脂組成物、塗料、および、塗装物を提供すること。
【解決手段】酸基および／または中和された酸基を含有する重合体（Ａ）を、チタン原子に結合したアルコキシ基および／またはシリコン原子に結合したアルコキシ基を含有するチタノシロキサン化合物（Ｂ）で変性し、次いで、中和し、若しくは、中和せずして得られる中和された酸基を含有するチタノシロキサン変性重合体（ＡＢ）を、水性媒体中に分散させた後、チタン原子に結合したアルコキシ基および／またはシリコン原子に結合したアルコキシ基を加水分解縮合して得られるものである有機−無機ハイブリッド樹脂水性分散体、この水性分散体と硬化剤（Ｃ）を含有する硬化性樹脂組成物、これらを含有する塗料、及び、この塗料を塗装して得られる塗装物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、ジイソプロピルジビニルシラン、ジアリルジビニルシランなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭素数２〜６の炭化水素などの水素を含まない同伴ガスを成膜時に同伴させてもよい。１−メチル−４−イソピル−１，３−シクロヘキサジエンなどのポロジエンを添加して成膜してもよく、プラズマ発生用高周波電力、成膜用ガスの流量あるいは成膜圧力を変化させて成膜してもよい。 （もっと読む）

重合性官能基を有する官能化ポリビニルピロリドン及び両親媒性ポリジメチルシロキサン−ＰＶＰブロックコポリマーの製造方法。（メタ）アクリレート化ポリビニルピロリドン化合物及び（メタ）アクリルアミド官能化ポリビニルピロリドン構造体を開示する。本ブロックコポリマーは、生物医学用具における生体適合成分として有用である。これらは、生物医学用具、例えば眼科用レンズに、改良された湿潤性、潤滑性、及び材料適合性を与える。 （もっと読む）

【課題】レーザー溶着で強固な接合部を形成することができる樹脂材料および樹脂組成物、その樹脂および樹脂組成物を用いレーザー溶着により接合された成形体を提供する。
【解決手段】表面自由エネルギーが３５ｍＮ／ｍ以上であるレーザー溶着用樹脂であって、融点が１５０℃以上であり、ガラス転移温度が２０℃以上である。樹脂としては、構造中にイミノ基、アミド基、エステル基、ウレタン基、イミド基、エーテル基、カーボネート基、ウレア基などの結合成分もしくは、カルボン酸、水酸基、スルホン酸金属塩基、アミン基、グリシジル基、シラノール基、カルボジイミド基、イソシアネート基などのイオン性基もしくは反応性基のうちいずれか一つを含むものである。更に、異種樹脂、補強繊維、発泡剤、着色材、フィラー、、安定剤のうちいずれか一つ以上を含んでも良い。以上よりなる、レーザー用樹脂組成物及び接合用成形体である。 （もっと読む）

分子層堆積法を用いて有機ポリマー又は有機−無機複合ポリマーの超薄層を基板上に堆積する。この方法は、第１の官能基を有する気相反応物を用いる。この気相反応物は表面に単官能性でのみ反応して、ポリマー鎖に一つの単位を追加する。更に、追加の気相反応物は第１の官能基とは異なる第２の官能基を有するか、又はブロックされ、マスクされ若しくは保護された官能基、又はこのような官能基の前駆体を有する。
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