可撓性回路基板および電子機器
【課題】優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板、および、かかる可撓性回路基板を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】可撓性回路基板１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、この可撓性フィルム２の一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体４とを有し、可撓性フィルム２に、導電体４が接合膜３を介して接合されており、この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含み、エネルギーを付与したことにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３に発現した接着性によって、可撓性フィルム２と導電体４とを接合している。
【解決手段】可撓性回路基板１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、この可撓性フィルム２の一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体４とを有し、可撓性フィルム２に、導電体４が接合膜３を介して接合されており、この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含み、エネルギーを付与したことにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３に発現した接着性によって、可撓性フィルム２と導電体４とを接合している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性回路基板および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器において、電子機器が備えるリジットな部材同士を接続する配線や、限られたスペース内で複数の部材同士を接続する配線、さらにはヒンジ部を介して複数の部材同士を接続する配線として、可撓性を有する可撓性回路基板が用いられている。
また、プリンターヘッド、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やフロッピーディスクドライブ（ＦＤＤ）（「フロッピー」は登録商標）のスイングアームのような部材は、電子機器本体内で所定の空間内を繰返し移動することによりその機能を発揮するが、このような部材と電子機器本体とを接続する際にも可撓性回路基板が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような可撓性回路基板は、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのような可撓性を有する可撓性フィルム層と、所定形状にパターニングされた導電層とを、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤のような接着剤で構成される接着剤層を介して接合した積層体を有し、さらに必要に応じて積層体の導電体側を他の可撓性フィルムで保護する保護層を有するものが知られている。
【０００４】
かかる構成の可撓性回路基板は、屈曲して使用され、特にプリンターヘッドや、ＨＤＤおよびＦＤＤに適用した場合では、繰返し屈曲して使用されるため、優れた屈曲性を維持しつつ、繰返しの使用にも各層の剥離やクラック（ひび割れ）の発生が好適に防止された耐屈曲性に優れたものが要求される。
このような要求を満足することを目的に、導電層の厚さを薄くしたり、接着剤層の厚さを厚くする等の対応が行われているが、現在のところ、前記要求を満足するには至っていない。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２５０８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板、および、かかる可撓性回路基板を備えた信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【０００８】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、可撓性フィルムおよび導電体に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０００９】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、可撓性フィルムと導電体とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の可撓性回路基板では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１０】
本発明の可撓性回路基板では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００１１】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、可撓性フィルムと導電体とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、可撓性回路基板の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１２】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、可撓性フィルムと導電体とをより強固に接合することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
【００１３】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムと導電体との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高い可撓性回路基板が得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００１４】
本発明の可撓性回路基板では、前記可撓性フィルムは、樹脂系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムは優れた可撓性を発揮するものとなる。
本発明の可撓性回路基板では、前記導電体は、金属系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜と導電体とを強固に接合することができる。
【００１５】
本発明の可撓性回路基板では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００１６】
本発明の可撓性回路基板では、前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００１７】
本発明の可撓性回路基板では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムまたは導電体等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムまたは導電体に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００１８】
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【００１９】
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【００２０】
本発明の可撓性回路基板では、前記導電体の前記可撓性フィルムと反対側に、前記可撓性フィルムと異なる他の可撓性フィルムを有し、
当該他の可撓性フィルムが前記導電体に接合されていることが好ましい。
かかる構成とすることにより、導電部を確実に保護することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記他の可撓性フィルムが、前記接合膜と同様の接合膜を介して、前記導電体に接合されていることが好ましい。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の可撓性回路基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の可撓性回路基板および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の可撓性回路基板の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の可撓性回路基板の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２２】
図１に示す可撓性回路基板（Flexible Printed Circuit）１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、可撓性フィルムの上側に設けられた導電体４と、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接合膜３と、可撓性フィルム２と異なる他の可撓性フィルム６と、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合する接合膜５とを有している。
可撓性フィルム２は、導電体４を支持する支持体としての機能を有するとともに、導電体４を保護する保護フィルムとしての機能を有するものである。
【００２３】
可撓性フィルム２の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）および芳香族ポリアミド等の樹脂系材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものを主材料として用いることができる。
【００２４】
また、可撓性フィルム２の平均厚さは、その構成材料等によって若干異なり、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜３００μｍ程度であるのがより好ましい。可撓性フィルム２の厚さが薄すぎると、可撓性フィルム２の強度が低下し、支持体としての機能が損なわれるおそれがあり、一方、可撓性フィルム２の厚さが厚過ぎると、可撓性フィルム２の可撓性が低下するおそれがある。
【００２５】
導電体４は、可撓性回路基板１を用いて、後述する電子機器を構築した際に、可撓性回路基板１に接続された他の部材同士を電気的に接続する機能を有するものである。
この導電体４は、本実施形態では、第１の電極４２と、第２の電極（図示せず）と、これら電極同士を電気的に接続する配線４１とで構成されており、第１の電極４２および第２の電極に、それぞれ、他の部材を接続することにより、他の部材同士が電気的に接続される。
【００２６】
本実施形態の可撓性回路基板１では、この導電体４が互いに接触することなく３つ設けられている。なお、導電体４は、３つ設けられている場合に限らず、４つ以上であってもよいし、３つ未満であってもよい。また、その形状も、直線状のものに限らず、ロ字状、コ字状、Ｌ字状および櫛歯状等いかなる形状に形成されていてもよい。
導電体４の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物等の金属系材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものを主材料として用いることができる。
【００２７】
他の可撓性フィルム６は、図２に示すように、導電体４の可撓性フィルム２の反対側に設けられ、導電体４を保護する保護フィルムとして機能する。
また、可撓性フィルム６は、第１の電極４２に対応する位置に、開口部６１を備え、この開口部６１において、第１の電極４２が可撓性回路基板１の外部に対して露出する。そして、開口部６１で露出する第１の電極４２において、他の部材と接続することにより、導電体４と他の部材とが電気的に接続される。
可撓性フィルム６の構成材料としては、可撓性フィルム２の構成材料として挙げたものと同様のものが用いられる。
また、可撓性フィルム６の平均厚さは、可撓性フィルム２の平均厚さで挙げた範囲と同一の厚さとされる。
【００２８】
接合膜３は、このものを介して導電体４を可撓性フィルム２上に接合する機能を有する。
より詳しくは、接合膜３は、その少なくとも一部の領域、すなわち、平面視における接合膜の全面または一部の領域に対して、エネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基３０３が、接合膜３から脱離して、その表面のエネルギーを付与した領域に、可撓性フィルム２との接着性が発現する。この表面に生じた接着性により、接合膜３は、可撓性フィルム２上に、導電体４を接合する。
また、本実施形態では、接合膜３は、平面視で、導電体４とほぼ同一の形状をなしている。すなわち、接合膜３は、導電体４とほぼ同一の形状にパターニングされている。なお、かかる構成とすることにより、可撓性フィルム２上の導電体４が形成されない領域では、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６とが直接接合した状態となっている。
【００２９】
このような接合膜３は、次のような第１〜第３の構成のものが用いられる。以下、第１〜第３の構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。
＜＜第１の構成＞＞
まず、第１の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、図３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３にエネルギーを付与すると、図４に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００３０】
このような第１の構成の接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響により、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、可撓性フィルム２は、接合膜３を介して導電体４に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合したものとなる。このように高い寸法精度で接合膜３が形成されることから、接合膜３は、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとなる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００３１】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００３２】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
また、接合膜３は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、可撓性回路基板１が高温下に曝されたとしても、接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。
【００３３】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、可撓性回路基板１が備える接合膜３の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００３４】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、可撓性フィルム２および導電体４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００３５】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００３６】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００３７】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００３８】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００３９】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができる。
【００４０】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、本発明の可撓性回路基板に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００４１】
＜＜第２の構成＞＞
また、第２の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、金属原子と、この金属原子結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図５参照）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
【００４２】
このような第２の構成の接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図６に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００４３】
この第２の構成の接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであり、接合膜３自体を高い寸法精度で形成し得ることから、接合膜３を、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとすることができる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００４４】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００４５】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
また、接合膜３は、主として金属酸化物で構成されることから、耐熱性に優れている。このため、可撓性回路基板１が高温下に曝されたとしても、接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。
【００４６】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を備える可撓性回路基板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、導電体４ばかりでなく接合膜３にも導電体としての機能を発揮させることができる。
【００４７】
なお、脱離基３０３は、図５に示すように、少なくとも接合膜３の表面３５付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３５付近に偏在していてもよい。ただし、脱離基３０３が表面３５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合膜としての機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
【００４８】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。
【００４９】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５０】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００５１】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
【００５２】
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性、耐薬品性および耐熱性等に優れたものとなる。
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
【００５３】
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、可撓性フィルム２に対して特に強固に接着するとともに、導電体４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、可撓性フィルム２と導電体４とを強固に接合することができる。
【００５４】
＜＜第３の構成＞＞
また、第３の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図７参照）。
このような第３の構成の接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図８に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００５５】
この第３の構成の接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であり、接合膜３自体を高い寸法精度で形成し得ることから、接合膜３を、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとすることができる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００５６】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００５７】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
【００５８】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を備える可撓性回路基板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、導電体４ばかりでなく接合膜３にも導電体としての機能を発揮させることができる。
【００５９】
以上のような第３の構成の接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００６０】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性をより高めることができる。
【００６１】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００６２】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００６３】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００６４】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００６５】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００６６】
以上のような、第１〜第３の接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、可撓性フィルム２と導電体４との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、可撓性回路基板１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００６７】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可撓性フィルム２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可撓性フィルム２と導電体４とを、接合膜３を介在させて貼り合わせる際に、可撓性フィルム２と導電体４との密着性を高めることができる。
また、接合膜３の平均厚さを前記範囲内のように薄く設定することにより、接合膜３も優れた可撓性を発揮して、可撓性回路基板１を優れた可撓性を有するものとすることができる。
【００６８】
接合膜５は、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合する機能を有する。
この接合膜５は、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合し得るものであれば、いかなる構成のものであってもよい。
具体的には、接合膜５としては、可撓性フィルム６および導電体４の構成材料によって適宜選択されるが、例えば、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、ウレタン系接着剤のような接着剤、半田、ろう材等で構成されるものの他、前述した接合膜３と同様の構成のものが挙げられる。これらの中でも、接合膜５は、接合膜３と同様の構成のものであるのが好ましい。これにより、接合膜５にも、接合膜３と同様の特性を付与することができ、可撓性回路基板１を、接合膜３を備えるものとすることにより得られる効果を、可撓性回路基板１により顕著に発揮させることができる。
【００６９】
なお、可撓性フィルム２と接合膜３との間、および、他の可撓性フィルム６と接合膜５との間のいずれか一方または双方には、それぞれ中間層が設けられていてもよい。この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３、５との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが挙げられる。このような中間層を備える構成とすることにより、信頼性の高い可撓性回路基板１とすることができる。
【００７０】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、中間層が設けられている側の可撓性フィルムと接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
【００７１】
以上説明したような本実施形態の可撓性回路基板１は、例えば、以下のようにして形成することができる。
［Ｉ］ まず、可撓性フィルム２を用意し、この可撓性フィルム２上に、後工程で形成する導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３を形成する。
このような、導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３は、例えば、可撓性フィルム２上の全面に接合膜３を形成した後、導電体４と同一形状をなすマスクを用意し、このマスクを用いて全面に形成された接合膜３をエッチングすること、または、導電体４と同一形状をなす開口部を有するマスクを用意し、このマスクを用いて可撓性フィルム２上に接合膜３を成膜することにより得ることができる。これらの中でも、後者により可撓性フィルム２上に、導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３を形成するのが好ましい。かかる方法によれば、パターニングされた接合膜３を、直接、可撓性フィルム２上に形成することができ、接合膜３をエッチングするする必要がないため、可撓性フィルム２および接合膜３が変質・劣化等してしまうのを確実に防止することができる。
また、接合膜３を成膜する方法は、接合膜３を上述した第１の構成〜第３の構成のものとする場合に応じて異なるため、以下、各構成の接合膜３毎に、順次説明する。
【００７２】
［ＩＡ］ まず、第１の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は、各種成膜法を用いて形成することができ、例えば、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜した膜にエネルギーを付与することにより得られるが、中でも、エネルギー付与前の膜として、プラズマ重合法により成膜された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、プラズマ重合法で成膜された接合膜３は、可撓性フィルム２と導電体４とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で成膜され、エネルギーが付与される前の接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、可撓性回路基板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００７３】
以下、一例として、プラズマ重合法により、接合膜３を成膜する方法について詳述するが、まず、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、可撓性フィルム２上にプラズマ重合法を行いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明する。
図９は、第１の構成の接合膜を成膜する際に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００７４】
図９に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、可撓性フィルム２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【００７５】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図９に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【００７６】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【００７７】
第１の電極１３０は、板状をなしており、可撓性フィルム２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図９に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【００７８】
第１の電極１３０の可撓性フィルム２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図９に示すように、可撓性フィルム２を鉛直方向に沿って支持することができる。また、可撓性フィルム２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で可撓性フィルム２をプラズマ処理に供することができる。
【００７９】
第２の電極１４０は、可撓性フィルム２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
【００８０】
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図９に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【００８１】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して可撓性フィルム２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【００８２】
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００８３】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による可撓性フィルム２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００８４】
次に、可撓性フィルム２上に、接合膜３を形成する方法について説明する。
［ＩＡ−１］ まず、可撓性フィルム２をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
［ＩＡ−２］ 次いで、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００８５】
［ＩＡ−３］ 次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が可撓性フィルム２上に付着・堆積する。これにより、可撓性フィルム２上に、プラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される。
【００８６】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００８７】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【００８８】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。このため、従来は、接着剤を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができなかったが、接合膜３によれば、接合膜３の厚さを厳密に制御することができるので、可撓性フィルム２と導電体４との距離を厳密に制御することができる。
また、可撓性フィルム２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、（エネルギー付与前の）第１の構成の接合膜３を得ることができる。
【００８９】
［ＩＢ］ また、第２の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は各種成膜法を用いて形成することができ、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる際には、例えば、ＩＢａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる際には、例えば、ＩＢｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００９０】
以下、ＩＢａおよびＩＢｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
［ＩＢａ］ ＩＢａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を可撓性フィルム２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００９１】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、導電体４に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、可撓性回路基板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００９２】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００９３】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、可撓性フィルム２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
【００９４】
図１０に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、可撓性フィルム２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【００９５】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、可撓性フィルム２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００９６】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１１に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図１０に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【００９７】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
【００９８】
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００９９】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【０１００】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、可撓性フィルム２および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１０１】
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【０１０２】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして可撓性フィルム２上に接合膜３が形成される。
［ＩＢａ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【０１０３】
［ＩＢａ−２］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０１０４】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１０５】
［ＩＢａ−３］次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して過熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１０６】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が可撓性フィルム２上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【０１０７】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【０１０８】
［ＩＢｂ］ また、ＩＢｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１０９】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１１０】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、可撓性フィルム２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１１】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理する方法、イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、前者の方法を用いるのが好ましい。前者の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１１２】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、ＩＢｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、ＩＢａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１１３】
［ＩＢｂ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［ＩＢｂ−２］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１４】
［ＩＢｂ−３］ 次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１１５】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、可撓性フィルム２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１１６】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１１７】
［ＩＢｂ−４］ 次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、可撓性フィルム２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１１８】
［ＩＢｂ−５］ 次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【０１１９】
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１２０】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１２１】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
【０１２２】
［ＩＣ］ さらに、第３の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は、各種成膜法を用いて形成することができるが、例えば、ＩＣ−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、ＩＣ−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、ＩＣ−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、ＩＣ−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０１２３】
以下、ＩＣ−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【０１２４】
図１２に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、可撓性フィルム２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１２５】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、可撓性フィルム２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、可撓性フィルム２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１２６】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０１２７】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１２９】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１３０】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして可撓性フィルム２上に接合膜３が形成される。
［ＩＣ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１３１】
［ＩＣ−２］ 次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１３２】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０１３３】
［ＩＣ−３］ 次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０１３４】
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、可撓性フィルム２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、可撓性フィルム２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を可撓性フィルム２上に形成することができる。
【０１３５】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１３６】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、可撓性フィルム２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
【０１３７】
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、可撓性フィルム２上に接合膜３を成膜することができる。
【０１３８】
［II］ 次に、他の可撓性フィルム６を用意し、この可撓性フィルム６上に、後工程で形成する導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜５を形成する。
この可撓性フィルム６上への接合膜５の形成方法としては、各種成膜方法が用いられるが、接合膜５が接合膜３と同様の構成となっている場合には、前記工程［Ｉ］で説明したのと同様の方法が好適に用いられる。
【０１３９】
［III］ 次に、接合膜３に対してエネルギーを付与する。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、導電体４との接着性が発現する。
このような状態のエネルギーが付与された後の接合膜３は、導電体４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【０１４０】
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
【０１４１】
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１５０〜２００ｎｍ程度とされる。
【０１４２】
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１４３】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１４４】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１４５】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１４６】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１４７】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
【０１４８】
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１４９】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による可撓性フィルム２および接合膜３の変質・劣化、すなわち可撓性回路基板１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と導電体４との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１５０】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１５１】
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図３、図５および図７に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図３、図７ではメチル基、図５では、水素原子）が接合膜３から脱離する。これにより、図４、図６および図８に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１５２】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１５３】
したがって、活性手３０４とは、図４、図６および図８に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、導電体４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【０１５４】
また、本実施形態では、接合膜３を備える可撓性フィルム２を導電体４に接着する（貼り合わせる）前に、あらかじめ、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜３と導電体４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。
なお、接合膜５が接合膜３と同様の構成である場合には、この接合膜５に対しても、上記と同様にして、エネルギーを付与する。
【０１５５】
［IV］ 次に、所定の形状にパターニングされた導電体４を用意する。
このような導電体４は、各種方法を用いて形成することができるが、例えば、まず、基板の一方の面の全面に仮固定された導電体を形成した後、この導電体を所定の形状にパターニングする。そして、パターニングされた導電体を、基板上から剥離（離型）することにより得ることができる。
【０１５６】
［Ｖ］ 次に、接着性が発現してなる接合膜３を備える可撓性フィルム２と、導電体４とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせる。そして、接合膜５が接合膜３と同様の構成である場合には、接着性が発現してなる接合膜５を備える他の可撓性フィルム６と、導電体４とが密着するように、他の可撓性フィルム６と導電体４とを貼り合わせる。
これにより、可撓性フィルム２と導電体４とを、接合膜３を介して接合（接着）することができるとともに、他の可撓性フィルム６と導電体４とを、接合膜５を介して接合（接着）することができる。
【０１５７】
なお、本工程において、接合膜３（接合膜５）と導電体４とが接合されるメカニズムは、以下の通りであると推察される。
例えば、導電体４が上述したような金属系材料で構成されているとすると、導電体４の可撓性フィルム２との接合に供される領域の表面に、水酸基が露出していると考えられる。このように導電体４から水酸基が露出していると、本工程において、接合膜３と導電体４とが接触するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、導電体４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と導電体４とが強固に接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と導電体４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と導電体４とがより強固に接合されると推察される。
【０１５８】
なお、前記工程［III］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［III］の終了後、できるだけ早く本工程［Ｖ］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［III］の終了後、６０分以内に本工程［Ｖ］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を備える可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１５９】
このようにして接合された可撓性フィルム２と導電体４との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い可撓性回路基板１が得られる。
なお、上記では、可撓性フィルム２上に成膜された接合膜３と導電体４とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせる場合について説明しているが、導電体４の下面に成膜された接合膜３と可撓性フィルム２とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせるようにしてもよい。
【０１６０】
［VI］ 次に、導電体４が備える第１の電極４２に対応する領域に位置する、他の可撓性フィルム６および接合膜５を除去することにより、開口部６１を形成する。
この開口部６１の形成は、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。
なお、上記のように、他の可撓性フィルム６を導電体４に接合した後に開口部６１を形成するのに代えて、あらかじめ開口部６１が形成された可撓性フィルム６を用意し、この可撓性フィルム６を導電体４に接合するようにしてもよい。
【０１６１】
以上のようにして、本実施形態の可撓性回路基板１を製造することができる。
また、可撓性回路基板１を得た後、この可撓性回路基板１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［VIIＡ］および［VIIＢ］）のうちの少なくとも１つの工程（可撓性回路基板１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、可撓性回路基板１の各部の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１６２】
［VIIＡ］得られた可撓性回路基板１を圧縮するように、すなわち、可撓性フィルム２、接合膜３、導電体４、接合膜５および他の可撓性フィルム６が互いに近づく方向に加圧する。
これにより、上記各部の表面と隣接する接合膜の表面とがより近接し、可撓性回路基板１における接合強度をより高めることができる。
【０１６３】
また、可撓性回路基板１を加圧することにより、可撓性回路基板１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、可撓性回路基板１における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、可撓性回路基板１を加圧する際の圧力は、可撓性回路基板１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して可撓性回路基板１における接合強度を高めることができる。
【０１６４】
なお、この圧力は、可撓性回路基板１の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、可撓性回路基板１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、可撓性回路基板１の各部の構成材料によっては、可撓性回路基板１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、可撓性回路基板１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６５】
［VIIＢ］得られた可撓性回路基板１を加熱する。
これにより、可撓性回路基板１における接合強度をより高めることができる。
また、本実施形態では、図２に示すように、可撓性フィルム２の導電体４が存在しない領域では、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６とが直接接合することとなるが、このように、可撓性回路基板１を加熱する構成とすることにより、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６との接合強度を確実に高めることができる。
【０１６６】
このとき、可撓性回路基板１を加熱する際の温度は、室温より高く、可撓性回路基板１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、可撓性回路基板１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１６７】
なお、前記工程［VIIＡ］、［VIIＢ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、可撓性回路基板１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、可撓性回路基板１の接合強度を特に高めることができる。さらに、可撓性フィルム２上の導電体４が存在しない領域における、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６との接合強度をも高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、可撓性回路基板１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１６８】
＜第２実施形態＞
まず、本発明の可撓性回路基板の第２実施形態について説明する。
図１３は、本発明の可撓性回路基板の第２実施形態を示す平面図、図１４は、図１３に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、可撓性回路基板１の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態に記載の可撓性回路基板１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１６９】
本実施形態の可撓性回路基板１では、可撓性フィルム２の上面のほぼ全面に亘って接合膜３を形成し、他の可撓性フィルム６の下面のほぼ全面に亘って接合膜５を形成するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
以上のような第２実施形態の可撓性回路基板１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１７０】
さらに、可撓性回路基板１の導電体４が存在しない領域においても、接合膜３および接合膜５が設けられた構成とすることにより、かかる領域においても、確実に、２つの可撓性フィルム２、６同士を確実に接合することができることから、可撓性回路基板１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
なお、かかる構成の可撓性回路基板１では、隣接する導電体４同士が短絡するのを防止するために、接合膜３および接合膜５は、絶縁性材料で構成される必要がある。かかる観点から、接合膜３および接合膜５は、前記第１実施形態で説明した接合膜のうち、優れた絶縁性を示す第１の構成のものが特に好適に用いられる。
【０１７１】
＜電子機器＞
このような可撓性回路基板１は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１５は、本発明の電子機器を適用したハードディスクドライブの構成を示す部分平面図である。
この図において、ハードディスクドライブ１３００は、ケーシング１３０１と、ケーシング内に配置された磁気ディスク１３０５と、磁気ディスク１３０５を回動駆動させるモータ１３０４と、磁気ディスクにデータの読み書きを行う磁気ヘッド１３０６と、磁気ヘッド１３０６を磁気ディスク１３０５の任意の位置に移動させるスイングアーム１３０２２と、スイングアーム１３０２を駆動させる駆動装置１３０３とを有している。
【０１７２】
磁気ヘッド１３０６は、図示のとおり、スイングアーム１３０２の先端部に設けられており、駆動装置１３０３を駆動してスイングアーム１３０２を移動させることにより、磁気ディスク１３０５の任意の位置に位置する。
このハードディスクドライブ１３００において、磁気ヘッド１３０６が読み書きするデータは、スイングアーム１３０２に設けられた接続端子１３０８と、ケーシング１３０１に設けられた接続端子１３０７とを電気的に接続する接続部を介して、ハードディスクドライブ１３００本体に伝達されるが、この接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７３】
図１６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０３を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部１１０５を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、ヒンジ構造部１１０５内部に、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを電気的に接続する接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７４】
図１７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２および受話口１２０６を備えた本体部１２０３と、送話口１２０４および表示部１２０１とを備えた表示ユニット１２０７とにより構成され、表示ユニット１２０７は、本体部１２０３に対しヒンジ構造部１２０５を介して回動可能に支持されている。
この携帯電話機１２００において、ヒンジ構造部１２０５内部に、本体部１２０３と表示ユニット１２０７とを電気的に接続する接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７５】
なお、本発明の電子機器は、図１５のハードディスクドライブ、図１６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１７の携帯電話機の他にも、例えば、プリンター、フロッピーディスクドライブ（「フロッピー」は登録商標）、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、車載用レーダ探知機、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等の電子機器に適用することができる。
【０１７６】
以上、本発明の可撓性回路基板および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の可撓性回路基板の各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成と置換することができ、その他の構成が付加されていてもよい。
例えば、前記各実施形態では、導電体上に、他の可撓性フィルムが接合膜を介して設けられている場合について説明したが、本発明の可撓性回路基板では、これら他の可撓性フィルムおよび接合膜を、必ずしも設ける必要はなく、省略することもできる。
また、前記各実施形態では、可撓性フィルムの上面に導電体が接合膜を介して設けられている場合について説明したが、この場合に限定されず、可撓性フィルムの上面および下面の双方に導電体が接合膜を介して設けられていてもよい。
【実施例】
【０１７７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．可撓性回路基板の製造
（実施例１）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
【０１７８】
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図９に示すプラズマ重合装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、平均厚さ２００ｎｍのプラズマ重合膜（接合膜）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・原料ガスの組成 ：オクタメチルトリシロキサン
・原料ガスの流量 ：５０ｓｃｃｍ
・キャリアガスの組成：アルゴン
・キャリアガスの流量：１００ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力 ：１００Ｗ
・チャンバー内圧力 ：１Ｐａ（低真空）
・処理時間 ：１５分
・基板温度 ：２０℃
このようにして成膜されたプラズマ重合膜は、オクタメチルトリシロキサン（原料ガス）の重合物で構成されており、シロキサン結合を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、アルキル基（脱離基）とを含むものである。
【０１７９】
＜３＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８０】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例１の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８１】
（実施例２）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１０に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、ＩＴＯに水素原子が導入された接合膜（平均厚さ１００ｎｍ）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分
このようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯに水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
【０１８２】
＜３＞次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８３】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例２の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８４】
（実施例３）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１０に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、イオンビームスパッタリング法を用いて、金属酸化物膜として、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分
【０１８５】
＜３＞次に、得られた金属酸化物膜に、以下に示す条件で熱処理を施して、金属酸化物膜（ＩＴＯ膜）の表面付近に水素原子を導入することにより接合膜を形成した。なお、熱処理の条件は以下に示す通りである。
＜熱処理の条件＞
・熱処理時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：１５０℃
・処理時間 ：６０分
以上のようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯ膜の表面付近に水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
【０１８６】
＜４＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８７】
＜５＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜４＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例３の可撓性回路基板を得た。
＜６＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８８】
（実施例４）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１２に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、原材料を２，４−ペンタジオネート−銅（II）とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気 ：窒素ガス ＋ 水素ガス
・有機金属材料（原材料） ：２，４−ペンタジオネート−銅（II）
・霧化した有機金属材料の流量 ：１ｓｃｃｍ
・キャリアガス ：窒素ガス
・キャリアガスの流量 ：５００ｓｃｃｍ
・水素ガスの流量 ：０．２ｓｃｃｍ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度 ：２７５℃
・処理時間 ：１０分
以上のようにして成膜された接合膜は、金属原子として銅原子を含み、脱離基として、２，４−ペンタジオネート−銅（II）に含まれる有機物の一部が残存しているものである。
【０１８９】
＜３＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１９０】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例４の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、１２０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
（比較例）
前記接合膜に代えて、２つのポリイミドフィルム同士をエポキシ系接着剤で接合した以外は、前記実施例１と同様にして、可撓性回路基板を得た。
【０１９１】
２．可撓性回路基板の評価
各実施例および比較例で得られた可撓性回路基板について、それぞれ、ＭＩＴ形試験機による耐折強さ試験方法（ＪＩＳ Ｐ８１１５に準拠）に基づいて、下記の条件で１５分間、屈曲を繰返し行った。
＜屈曲条件＞
・折り曲げ半径 ：０．３８ｍｍ
・荷重 ：５００ｇ
・折り曲げ速度 ：１７５回／分
・折り曲げ角度 ：１３５°
以上のような条件で、屈曲を繰返し行った可撓性回路基板について、ポリイミドフィルムと銅板の間の剥離を確認したところ、比較例の可撓性回路基板では剥離が認められたものの、各実施例の可撓性回路基板では、いずれも剥離が認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１９２】
【図１】本発明の可撓性回路基板の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】第１の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】第１の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】第２の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図６】第２の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図７】第３の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図８】第３の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図９】第１の構成の接合膜を成膜する際に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１０】第２の構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１２】第３の構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】本発明の可撓性回路基板の第２実施形態を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したハードディスクドライブの構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１９３】
１……可撓性回路基板 ２……可撓性フィルム ３、５……接合膜 ３５……表面 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ４……導電体 ４１……配線 ４２……第１の電極 ６……他の可撓性フィルム ６１……開口部 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４、１２０３‥‥本体部 １１０５、１２０５‥‥ヒンジ構造部 １１０６、１２０７‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥送話口 １２０６‥‥受話口 １３００‥‥ハードディスクドライブ １３０１‥‥ケーシング １３０２‥‥スイングアーム １３０３‥‥駆動装置 １３０４‥‥モータ １３０５‥‥磁気ディスク １３０６‥‥磁気ヘッド １３０７、１３０８‥‥接続端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性回路基板および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器において、電子機器が備えるリジットな部材同士を接続する配線や、限られたスペース内で複数の部材同士を接続する配線、さらにはヒンジ部を介して複数の部材同士を接続する配線として、可撓性を有する可撓性回路基板が用いられている。
また、プリンターヘッド、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やフロッピーディスクドライブ（ＦＤＤ）（「フロッピー」は登録商標）のスイングアームのような部材は、電子機器本体内で所定の空間内を繰返し移動することによりその機能を発揮するが、このような部材と電子機器本体とを接続する際にも可撓性回路基板が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような可撓性回路基板は、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのような可撓性を有する可撓性フィルム層と、所定形状にパターニングされた導電層とを、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤のような接着剤で構成される接着剤層を介して接合した積層体を有し、さらに必要に応じて積層体の導電体側を他の可撓性フィルムで保護する保護層を有するものが知られている。
【０００４】
かかる構成の可撓性回路基板は、屈曲して使用され、特にプリンターヘッドや、ＨＤＤおよびＦＤＤに適用した場合では、繰返し屈曲して使用されるため、優れた屈曲性を維持しつつ、繰返しの使用にも各層の剥離やクラック（ひび割れ）の発生が好適に防止された耐屈曲性に優れたものが要求される。
このような要求を満足することを目的に、導電層の厚さを薄くしたり、接着剤層の厚さを厚くする等の対応が行われているが、現在のところ、前記要求を満足するには至っていない。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２５０８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板、および、かかる可撓性回路基板を備えた信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【０００８】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、可撓性フィルムおよび導電体に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【０００９】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、可撓性フィルムと導電体とをより強固に接合することができるようになる。
本発明の可撓性回路基板では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、Ｓｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１０】
本発明の可撓性回路基板では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００１１】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、可撓性フィルムと導電体とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、可撓性回路基板の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１２】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、可撓性フィルムと導電体とをより強固に接合することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
【００１３】
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムと導電体との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高い可撓性回路基板が得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００１４】
本発明の可撓性回路基板では、前記可撓性フィルムは、樹脂系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムは優れた可撓性を発揮するものとなる。
本発明の可撓性回路基板では、前記導電体は、金属系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜と導電体とを強固に接合することができる。
【００１５】
本発明の可撓性回路基板では、前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００１６】
本発明の可撓性回路基板では、前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜中のＳｉ骨格が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格と脱離基との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜に接着性を発現させることができる。
【００１７】
本発明の可撓性回路基板では、前記加熱の温度は、２５〜１００℃であることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムまたは導電体等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜を確実に活性化させることができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、可撓性フィルムまたは導電体に損傷等が生じるのを避けつつ、単に圧縮するのみで、接合膜に十分な接着性を発現させることができる。
【００１８】
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【００１９】
本発明の可撓性回路基板は、可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
【００２０】
本発明の可撓性回路基板では、前記導電体の前記可撓性フィルムと反対側に、前記可撓性フィルムと異なる他の可撓性フィルムを有し、
当該他の可撓性フィルムが前記導電体に接合されていることが好ましい。
かかる構成とすることにより、導電部を確実に保護することができる。
本発明の可撓性回路基板では、前記他の可撓性フィルムが、前記接合膜と同様の接合膜を介して、前記導電体に接合されていることが好ましい。
これにより、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の可撓性回路基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の可撓性回路基板および電子機器を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の可撓性回路基板の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の可撓性回路基板の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２２】
図１に示す可撓性回路基板（Flexible Printed Circuit）１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、可撓性フィルムの上側に設けられた導電体４と、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接合膜３と、可撓性フィルム２と異なる他の可撓性フィルム６と、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合する接合膜５とを有している。
可撓性フィルム２は、導電体４を支持する支持体としての機能を有するとともに、導電体４を保護する保護フィルムとしての機能を有するものである。
【００２３】
可撓性フィルム２の構成材料としては、可撓性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）および芳香族ポリアミド等の樹脂系材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものを主材料として用いることができる。
【００２４】
また、可撓性フィルム２の平均厚さは、その構成材料等によって若干異なり、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜３００μｍ程度であるのがより好ましい。可撓性フィルム２の厚さが薄すぎると、可撓性フィルム２の強度が低下し、支持体としての機能が損なわれるおそれがあり、一方、可撓性フィルム２の厚さが厚過ぎると、可撓性フィルム２の可撓性が低下するおそれがある。
【００２５】
導電体４は、可撓性回路基板１を用いて、後述する電子機器を構築した際に、可撓性回路基板１に接続された他の部材同士を電気的に接続する機能を有するものである。
この導電体４は、本実施形態では、第１の電極４２と、第２の電極（図示せず）と、これら電極同士を電気的に接続する配線４１とで構成されており、第１の電極４２および第２の電極に、それぞれ、他の部材を接続することにより、他の部材同士が電気的に接続される。
【００２６】
本実施形態の可撓性回路基板１では、この導電体４が互いに接触することなく３つ設けられている。なお、導電体４は、３つ設けられている場合に限らず、４つ以上であってもよいし、３つ未満であってもよい。また、その形状も、直線状のものに限らず、ロ字状、コ字状、Ｌ字状および櫛歯状等いかなる形状に形成されていてもよい。
導電体４の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含むＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物等の金属系材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものを主材料として用いることができる。
【００２７】
他の可撓性フィルム６は、図２に示すように、導電体４の可撓性フィルム２の反対側に設けられ、導電体４を保護する保護フィルムとして機能する。
また、可撓性フィルム６は、第１の電極４２に対応する位置に、開口部６１を備え、この開口部６１において、第１の電極４２が可撓性回路基板１の外部に対して露出する。そして、開口部６１で露出する第１の電極４２において、他の部材と接続することにより、導電体４と他の部材とが電気的に接続される。
可撓性フィルム６の構成材料としては、可撓性フィルム２の構成材料として挙げたものと同様のものが用いられる。
また、可撓性フィルム６の平均厚さは、可撓性フィルム２の平均厚さで挙げた範囲と同一の厚さとされる。
【００２８】
接合膜３は、このものを介して導電体４を可撓性フィルム２上に接合する機能を有する。
より詳しくは、接合膜３は、その少なくとも一部の領域、すなわち、平面視における接合膜の全面または一部の領域に対して、エネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基３０３が、接合膜３から脱離して、その表面のエネルギーを付与した領域に、可撓性フィルム２との接着性が発現する。この表面に生じた接着性により、接合膜３は、可撓性フィルム２上に、導電体４を接合する。
また、本実施形態では、接合膜３は、平面視で、導電体４とほぼ同一の形状をなしている。すなわち、接合膜３は、導電体４とほぼ同一の形状にパターニングされている。なお、かかる構成とすることにより、可撓性フィルム２上の導電体４が形成されない領域では、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６とが直接接合した状態となっている。
【００２９】
このような接合膜３は、次のような第１〜第３の構成のものが用いられる。以下、第１〜第３の構成の接合膜３について、それぞれ、詳述する。
＜＜第１の構成＞＞
まず、第１の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、図３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３にエネルギーを付与すると、図４に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００３０】
このような第１の構成の接合膜３は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響により、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、可撓性フィルム２は、接合膜３を介して導電体４に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合したものとなる。このように高い寸法精度で接合膜３が形成されることから、接合膜３は、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとなる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００３１】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００３２】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
また、接合膜３は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、可撓性回路基板１が高温下に曝されたとしても、接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。
【００３３】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、可撓性回路基板１が備える接合膜３の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００３４】
このような接合膜３としては、特に、接合膜３を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３は、可撓性フィルム２および導電体４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。
【００３５】
また、接合膜３中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００３６】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００３７】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００３８】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００３９】
このような特徴を有する接合膜３の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３は、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができる。
【００４０】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３は、接着性に特に優れることから、本発明の可撓性回路基板に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００４１】
＜＜第２の構成＞＞
また、第２の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、金属原子と、この金属原子結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである（図５参照）。換言すれば、接合膜３は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したものと言うことができる。
【００４２】
このような第２の構成の接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図６に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５の付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００４３】
この第２の構成の接合膜３は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであり、接合膜３自体を高い寸法精度で形成し得ることから、接合膜３を、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとすることができる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００４４】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００４５】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
また、接合膜３は、主として金属酸化物で構成されることから、耐熱性に優れている。このため、可撓性回路基板１が高温下に曝されたとしても、接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。
【００４６】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を備える可撓性回路基板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、導電体４ばかりでなく接合膜３にも導電体としての機能を発揮させることができる。
【００４７】
なお、脱離基３０３は、図５に示すように、少なくとも接合膜３の表面３５付近に存在していればよく、接合膜３のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３の表面３５付近に偏在していてもよい。ただし、脱離基３０３が表面３５付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３に、接合膜としての機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
【００４８】
以上のような接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＰｂ等が挙げられる。中でも、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）およびＳｂ（アンチモン）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。接合膜３を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。
【００４９】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５０】
また、接合膜３中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００５１】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
【００５２】
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３は、耐候性、耐薬品性および耐熱性等に優れたものとなる。
以上のことを考慮すると、接合膜３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
【００５３】
かかる構成の接合膜３は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３は、可撓性フィルム２に対して特に強固に接着するとともに、導電体４に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、可撓性フィルム２と導電体４とを強固に接合することができる。
【００５４】
＜＜第３の構成＞＞
また、第３の構成の接合膜３は、エネルギーを付与する前の状態が、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである（図７参照）。
このような第３の構成の接合膜３は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３の少なくとも表面３５付近から脱離し、図８に示すように、接合膜３の少なくとも表面３５付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３の表面３５に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３により、可撓性フィルム２と導電体４とが接合されている。
【００５５】
この第３の構成の接合膜３は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であり、接合膜３自体を高い寸法精度で形成し得ることから、接合膜３を、可撓性回路基板１の全体に亘って均一な厚さを有するものとすることができる。その結果、可撓性回路基板１を、その各部において、均一な屈曲性を有するものとすることができる。
【００５６】
また、接合膜３を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接合したことにより、従来のエポキシ系接着剤やウレタン系接着剤のような接着剤を用いて接合した場合と比較して、接着剤がはみ出すといった問題が生じることがない。さらに、接着剤を用いた場合よりも、接合膜３の膜厚を格段に薄く設定することが可能であることから、可撓性回路基板１を優れた屈曲性を有するものとすることができる。
【００５７】
このように、接合膜３は、従来の接着剤と比較して、その膜厚を薄く設定した場合においても、優れた接合性を示すとともに、可撓性フィルム２の各部で、均一な膜厚で成膜される。そのため、可撓性フィルム２と導電体４とを接合する接着剤層として、この接合膜３を備える可撓性回路基板１は、優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れたものとなる。
【００５８】
ところで、この接合膜３は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３を備える可撓性回路基板１の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
また、本実施形態では、接合膜３は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、導電体４ばかりでなく接合膜３にも導電体としての機能を発揮させることができる。
【００５９】
以上のような第３の構成の接合膜３としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００６０】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３の導電性をより高めることができる。
【００６１】
また、金属原子として、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、接合膜３は、優れた導電性を発揮するものとなる。また、接合膜３を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３を成膜することができる。
【００６２】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３から脱離することにより、接合膜３に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００６３】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３の接着性をより高度なものとすることができる。
【００６４】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００６５】
また、かかる構成の接合膜３において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３の安定性が高くなり、可撓性フィルム２と導電体４とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００６６】
以上のような、第１〜第３の接合膜３の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、可撓性フィルム２と導電体４との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、可撓性回路基板１の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００６７】
さらに、接合膜３の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、可撓性フィルム２の接合面（接合膜３に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３を被着させることができる。その結果、接合膜３は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、可撓性フィルム２と導電体４とを、接合膜３を介在させて貼り合わせる際に、可撓性フィルム２と導電体４との密着性を高めることができる。
また、接合膜３の平均厚さを前記範囲内のように薄く設定することにより、接合膜３も優れた可撓性を発揮して、可撓性回路基板１を優れた可撓性を有するものとすることができる。
【００６８】
接合膜５は、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合する機能を有する。
この接合膜５は、他の可撓性フィルム６と導電体４とを接合し得るものであれば、いかなる構成のものであってもよい。
具体的には、接合膜５としては、可撓性フィルム６および導電体４の構成材料によって適宜選択されるが、例えば、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、ウレタン系接着剤のような接着剤、半田、ろう材等で構成されるものの他、前述した接合膜３と同様の構成のものが挙げられる。これらの中でも、接合膜５は、接合膜３と同様の構成のものであるのが好ましい。これにより、接合膜５にも、接合膜３と同様の特性を付与することができ、可撓性回路基板１を、接合膜３を備えるものとすることにより得られる効果を、可撓性回路基板１により顕著に発揮させることができる。
【００６９】
なお、可撓性フィルム２と接合膜３との間、および、他の可撓性フィルム６と接合膜５との間のいずれか一方または双方には、それぞれ中間層が設けられていてもよい。この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３、５との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが挙げられる。このような中間層を備える構成とすることにより、信頼性の高い可撓性回路基板１とすることができる。
【００７０】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、中間層が設けられている側の可撓性フィルムと接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
【００７１】
以上説明したような本実施形態の可撓性回路基板１は、例えば、以下のようにして形成することができる。
［Ｉ］ まず、可撓性フィルム２を用意し、この可撓性フィルム２上に、後工程で形成する導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３を形成する。
このような、導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３は、例えば、可撓性フィルム２上の全面に接合膜３を形成した後、導電体４と同一形状をなすマスクを用意し、このマスクを用いて全面に形成された接合膜３をエッチングすること、または、導電体４と同一形状をなす開口部を有するマスクを用意し、このマスクを用いて可撓性フィルム２上に接合膜３を成膜することにより得ることができる。これらの中でも、後者により可撓性フィルム２上に、導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜３を形成するのが好ましい。かかる方法によれば、パターニングされた接合膜３を、直接、可撓性フィルム２上に形成することができ、接合膜３をエッチングするする必要がないため、可撓性フィルム２および接合膜３が変質・劣化等してしまうのを確実に防止することができる。
また、接合膜３を成膜する方法は、接合膜３を上述した第１の構成〜第３の構成のものとする場合に応じて異なるため、以下、各構成の接合膜３毎に、順次説明する。
【００７２】
［ＩＡ］ まず、第１の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は、各種成膜法を用いて形成することができ、例えば、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜した膜にエネルギーを付与することにより得られるが、中でも、エネルギー付与前の膜として、プラズマ重合法により成膜された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、プラズマ重合法で成膜された接合膜３は、可撓性フィルム２と導電体４とを特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で成膜され、エネルギーが付与される前の接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持することができる。このため、可撓性回路基板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００７３】
以下、一例として、プラズマ重合法により、接合膜３を成膜する方法について詳述するが、まず、接合膜３の形成方法を説明するのに先立って、可撓性フィルム２上にプラズマ重合法を行いて接合膜３を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明する。
図９は、第１の構成の接合膜を成膜する際に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００７４】
図９に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、可撓性フィルム２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
【００７５】
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図９に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
【００７６】
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
【００７７】
第１の電極１３０は、板状をなしており、可撓性フィルム２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図９に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【００７８】
第１の電極１３０の可撓性フィルム２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図９に示すように、可撓性フィルム２を鉛直方向に沿って支持することができる。また、可撓性フィルム２に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で可撓性フィルム２をプラズマ処理に供することができる。
【００７９】
第２の電極１４０は、可撓性フィルム２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
【００８０】
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
図９に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【００８１】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して可撓性フィルム２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【００８２】
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
【００８３】
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による可撓性フィルム２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【００８４】
次に、可撓性フィルム２上に、接合膜３を形成する方法について説明する。
［ＩＡ−１］ まず、可撓性フィルム２をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
［ＩＡ−２］ 次いで、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００８５】
［ＩＡ−３］ 次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が可撓性フィルム２上に付着・堆積する。これにより、可撓性フィルム２上に、プラズマ重合膜で構成された接合膜３が形成される。
【００８６】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【００８７】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
【００８８】
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３の厚さを容易に調整することができる。このため、従来は、接着剤を用いて可撓性フィルム２と導電体４とを接着した場合、接着剤の厚さを厳密に制御することができなかったが、接合膜３によれば、接合膜３の厚さを厳密に制御することができるので、可撓性フィルム２と導電体４との距離を厳密に制御することができる。
また、可撓性フィルム２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、（エネルギー付与前の）第１の構成の接合膜３を得ることができる。
【００８９】
［ＩＢ］ また、第２の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は各種成膜法を用いて形成することができ、接合膜３のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる際には、例えば、ＩＢａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、接合膜３の表面３５付近に偏在させる際には、例えば、ＩＢｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００９０】
以下、ＩＢａおよびＩＢｂの方法を用いて、接合膜３を成膜する場合について、詳述する。
［ＩＢａ］ ＩＢａの方法では、接合膜３は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を可撓性フィルム２に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができるため、接合膜３のほぼ全体に亘って脱離基３０３を導入することができる。
【００９１】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、導電体４に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、可撓性回路基板１の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００９２】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００９３】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、可撓性フィルム２上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
【００９４】
図１０に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、可撓性フィルム２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【００９５】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、可撓性フィルム２上に接合膜３を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００９６】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１１に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図１０に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【００９７】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
【００９８】
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【００９９】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜３の成膜速度をより速くすることができる。
【０１００】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６、可撓性フィルム２および接合膜３が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１０１】
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【０１０２】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして可撓性フィルム２上に接合膜３が形成される。
［ＩＢａ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
【０１０３】
［ＩＢａ−２］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０１０４】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１０５】
［ＩＢａ−３］次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して過熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１０６】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が可撓性フィルム２上に被着することにより、接合膜３が形成される。
【０１０７】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基３０３が存在する接合膜３を成膜することができる。
【０１０８】
［ＩＢｂ］ また、ＩＢｂの方法では、接合膜３は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
【０１０９】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１１０】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、可撓性フィルム２上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１１】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理する方法、イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、前者の方法を用いるのが好ましい。前者の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１１２】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
なお、ＩＢｂの方法を用いて接合膜３の成膜する場合も、ＩＢａの方法を用いて接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１１３】
［ＩＢｂ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［ＩＢｂ−２］ 次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１４】
［ＩＢｂ−３］ 次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１１５】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、可撓性フィルム２上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０１１６】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０１１７】
［ＩＢｂ−４］ 次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、可撓性フィルム２および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０１１８】
［ＩＢｂ−５］ 次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３が形成される。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
【０１１９】
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１２０】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１２１】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３５付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３を成膜することができる。
【０１２２】
［ＩＣ］ さらに、第３の構成の接合膜３を形成する場合、接合膜３は、各種成膜法を用いて形成することができるが、例えば、ＩＣ−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して接合膜３を形成する方法、ＩＣ−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３を形成する方法、ＩＣ−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、ＩＣ−Ｃの方法により接合膜３を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３を形成することができる。
【０１２３】
以下、ＩＣ−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３を形成する方法により、接合膜３を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【０１２４】
図１２に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、可撓性フィルム２（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１２５】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、可撓性フィルム２上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、可撓性フィルム２および接合膜３が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１２６】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０１２７】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３を成膜することができる。その結果、この接合膜３は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１２９】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１３０】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして可撓性フィルム２上に接合膜３が形成される。
［ＩＣ−１］ まず、可撓性フィルム２を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１３１】
［ＩＣ−２］ 次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１３２】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜３の種類、すなわち、接合膜３を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３を成膜することができる。
【０１３３】
［ＩＣ−３］ 次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０１３４】
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、可撓性フィルム２上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、可撓性フィルム２上に接合膜３を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３を可撓性フィルム２上に形成することができる。
【０１３５】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３を確実に形成することができる。
【０１３６】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、可撓性フィルム２上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３を形成することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３を成膜することができる。
【０１３７】
以上のように、接合膜３を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、可撓性フィルム２上に接合膜３を成膜することができる。
【０１３８】
［II］ 次に、他の可撓性フィルム６を用意し、この可撓性フィルム６上に、後工程で形成する導電体４とほぼ同一の形状をなす接合膜５を形成する。
この可撓性フィルム６上への接合膜５の形成方法としては、各種成膜方法が用いられるが、接合膜５が接合膜３と同様の構成となっている場合には、前記工程［Ｉ］で説明したのと同様の方法が好適に用いられる。
【０１３９】
［III］ 次に、接合膜３に対してエネルギーを付与する。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与すると、接合膜３では、脱離基３０３の結合手が切れて接合膜３の表面３５付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手が接合膜３の表面３５付近に生じる。これにより、接合膜３の表面３５に、導電体４との接着性が発現する。
このような状態のエネルギーが付与された後の接合膜３は、導電体４と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【０１４０】
ここで、接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜３にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、接合膜３に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
【０１４１】
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、接合膜３の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３に接着性を確実に発現させることができる。
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１５０〜２００ｎｍ程度とされる。
【０１４２】
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１４３】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３の表面３５付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、接合膜３が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、接合膜３の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１４４】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、接合膜３のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による接合膜３の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、接合膜３の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１４５】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って接合膜３に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１４６】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３の表面３５付近から確実に切断することができる。
【０１４７】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基３０３を接合膜３から確実に切断することができる。
また、接合膜３に照射するレーザ光は、その焦点を、接合膜３の表面３５に合わせた状態で、この表面３５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、接合膜３の表面３５に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
【０１４８】
また、接合膜３に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１４９】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３の表面３５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による可撓性フィルム２および接合膜３の変質・劣化、すなわち可撓性回路基板１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３と導電体４との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１５０】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３の表面３５付近に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３の表面３５付近に生じる活性手を少なくし、接合膜３に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１５１】
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜３は、図３、図５および図７に示すように、その表面３５付近に脱離基３０３を有している。かかる接合膜３にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図３、図７ではメチル基、図５では、水素原子）が接合膜３から脱離する。これにより、図４、図６および図８に示すように、接合膜３の表面３５に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３の表面に接着性が発現する。
【０１５２】
ここで、本明細書中において、接合膜３が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３５および内部の脱離基３０３が脱離して、接合膜３の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【０１５３】
したがって、活性手３０４とは、図４、図６および図８に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、導電体４に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【０１５４】
また、本実施形態では、接合膜３を備える可撓性フィルム２を導電体４に接着する（貼り合わせる）前に、あらかじめ、接合膜３に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜３と導電体４とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。
なお、接合膜５が接合膜３と同様の構成である場合には、この接合膜５に対しても、上記と同様にして、エネルギーを付与する。
【０１５５】
［IV］ 次に、所定の形状にパターニングされた導電体４を用意する。
このような導電体４は、各種方法を用いて形成することができるが、例えば、まず、基板の一方の面の全面に仮固定された導電体を形成した後、この導電体を所定の形状にパターニングする。そして、パターニングされた導電体を、基板上から剥離（離型）することにより得ることができる。
【０１５６】
［Ｖ］ 次に、接着性が発現してなる接合膜３を備える可撓性フィルム２と、導電体４とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせる。そして、接合膜５が接合膜３と同様の構成である場合には、接着性が発現してなる接合膜５を備える他の可撓性フィルム６と、導電体４とが密着するように、他の可撓性フィルム６と導電体４とを貼り合わせる。
これにより、可撓性フィルム２と導電体４とを、接合膜３を介して接合（接着）することができるとともに、他の可撓性フィルム６と導電体４とを、接合膜５を介して接合（接着）することができる。
【０１５７】
なお、本工程において、接合膜３（接合膜５）と導電体４とが接合されるメカニズムは、以下の通りであると推察される。
例えば、導電体４が上述したような金属系材料で構成されているとすると、導電体４の可撓性フィルム２との接合に供される領域の表面に、水酸基が露出していると考えられる。このように導電体４から水酸基が露出していると、本工程において、接合膜３と導電体４とが接触するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせたとき、接合膜３の表面３５に存在する水酸基と、導電体４の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３と導電体４とが強固に接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３と導電体４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３と導電体４とがより強固に接合されると推察される。
【０１５８】
なお、前記工程［III］で活性化された接合膜３の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［III］の終了後、できるだけ早く本工程［Ｖ］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［III］の終了後、６０分以内に本工程［Ｖ］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３を備える可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【０１５９】
このようにして接合された可撓性フィルム２と導電体４との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い可撓性回路基板１が得られる。
なお、上記では、可撓性フィルム２上に成膜された接合膜３と導電体４とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせる場合について説明しているが、導電体４の下面に成膜された接合膜３と可撓性フィルム２とが密着するように、可撓性フィルム２と導電体４とを貼り合わせるようにしてもよい。
【０１６０】
［VI］ 次に、導電体４が備える第１の電極４２に対応する領域に位置する、他の可撓性フィルム６および接合膜５を除去することにより、開口部６１を形成する。
この開口部６１の形成は、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。
なお、上記のように、他の可撓性フィルム６を導電体４に接合した後に開口部６１を形成するのに代えて、あらかじめ開口部６１が形成された可撓性フィルム６を用意し、この可撓性フィルム６を導電体４に接合するようにしてもよい。
【０１６１】
以上のようにして、本実施形態の可撓性回路基板１を製造することができる。
また、可撓性回路基板１を得た後、この可撓性回路基板１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［VIIＡ］および［VIIＢ］）のうちの少なくとも１つの工程（可撓性回路基板１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、可撓性回路基板１の各部の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１６２】
［VIIＡ］得られた可撓性回路基板１を圧縮するように、すなわち、可撓性フィルム２、接合膜３、導電体４、接合膜５および他の可撓性フィルム６が互いに近づく方向に加圧する。
これにより、上記各部の表面と隣接する接合膜の表面とがより近接し、可撓性回路基板１における接合強度をより高めることができる。
【０１６３】
また、可撓性回路基板１を加圧することにより、可撓性回路基板１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、可撓性回路基板１における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、可撓性回路基板１を加圧する際の圧力は、可撓性回路基板１が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して可撓性回路基板１における接合強度を高めることができる。
【０１６４】
なお、この圧力は、可撓性回路基板１の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、可撓性回路基板１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、可撓性回路基板１の各部の構成材料によっては、可撓性回路基板１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、可撓性回路基板１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６５】
［VIIＢ］得られた可撓性回路基板１を加熱する。
これにより、可撓性回路基板１における接合強度をより高めることができる。
また、本実施形態では、図２に示すように、可撓性フィルム２の導電体４が存在しない領域では、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６とが直接接合することとなるが、このように、可撓性回路基板１を加熱する構成とすることにより、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６との接合強度を確実に高めることができる。
【０１６６】
このとき、可撓性回路基板１を加熱する際の温度は、室温より高く、可撓性回路基板１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、可撓性回路基板１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１６７】
なお、前記工程［VIIＡ］、［VIIＢ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、可撓性回路基板１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、可撓性回路基板１の接合強度を特に高めることができる。さらに、可撓性フィルム２上の導電体４が存在しない領域における、可撓性フィルム２と他の可撓性フィルム６との接合強度をも高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、可撓性回路基板１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１６８】
＜第２実施形態＞
まず、本発明の可撓性回路基板の第２実施形態について説明する。
図１３は、本発明の可撓性回路基板の第２実施形態を示す平面図、図１４は、図１３に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、可撓性回路基板１の第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態に記載の可撓性回路基板１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１６９】
本実施形態の可撓性回路基板１では、可撓性フィルム２の上面のほぼ全面に亘って接合膜３を形成し、他の可撓性フィルム６の下面のほぼ全面に亘って接合膜５を形成するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
以上のような第２実施形態の可撓性回路基板１においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１７０】
さらに、可撓性回路基板１の導電体４が存在しない領域においても、接合膜３および接合膜５が設けられた構成とすることにより、かかる領域においても、確実に、２つの可撓性フィルム２、６同士を確実に接合することができることから、可撓性回路基板１の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
なお、かかる構成の可撓性回路基板１では、隣接する導電体４同士が短絡するのを防止するために、接合膜３および接合膜５は、絶縁性材料で構成される必要がある。かかる観点から、接合膜３および接合膜５は、前記第１実施形態で説明した接合膜のうち、優れた絶縁性を示す第１の構成のものが特に好適に用いられる。
【０１７１】
＜電子機器＞
このような可撓性回路基板１は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１５は、本発明の電子機器を適用したハードディスクドライブの構成を示す部分平面図である。
この図において、ハードディスクドライブ１３００は、ケーシング１３０１と、ケーシング内に配置された磁気ディスク１３０５と、磁気ディスク１３０５を回動駆動させるモータ１３０４と、磁気ディスクにデータの読み書きを行う磁気ヘッド１３０６と、磁気ヘッド１３０６を磁気ディスク１３０５の任意の位置に移動させるスイングアーム１３０２２と、スイングアーム１３０２を駆動させる駆動装置１３０３とを有している。
【０１７２】
磁気ヘッド１３０６は、図示のとおり、スイングアーム１３０２の先端部に設けられており、駆動装置１３０３を駆動してスイングアーム１３０２を移動させることにより、磁気ディスク１３０５の任意の位置に位置する。
このハードディスクドライブ１３００において、磁気ヘッド１３０６が読み書きするデータは、スイングアーム１３０２に設けられた接続端子１３０８と、ケーシング１３０１に設けられた接続端子１３０７とを電気的に接続する接続部を介して、ハードディスクドライブ１３００本体に伝達されるが、この接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７３】
図１６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０３を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部１１０５を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、ヒンジ構造部１１０５内部に、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを電気的に接続する接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７４】
図１７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２および受話口１２０６を備えた本体部１２０３と、送話口１２０４および表示部１２０１とを備えた表示ユニット１２０７とにより構成され、表示ユニット１２０７は、本体部１２０３に対しヒンジ構造部１２０５を介して回動可能に支持されている。
この携帯電話機１２００において、ヒンジ構造部１２０５内部に、本体部１２０３と表示ユニット１２０７とを電気的に接続する接続部として可撓性回路基板１が設けられている。
【０１７５】
なお、本発明の電子機器は、図１５のハードディスクドライブ、図１６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１７の携帯電話機の他にも、例えば、プリンター、フロッピーディスクドライブ（「フロッピー」は登録商標）、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、車載用レーダ探知機、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等の電子機器に適用することができる。
【０１７６】
以上、本発明の可撓性回路基板および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の可撓性回路基板の各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成と置換することができ、その他の構成が付加されていてもよい。
例えば、前記各実施形態では、導電体上に、他の可撓性フィルムが接合膜を介して設けられている場合について説明したが、本発明の可撓性回路基板では、これら他の可撓性フィルムおよび接合膜を、必ずしも設ける必要はなく、省略することもできる。
また、前記各実施形態では、可撓性フィルムの上面に導電体が接合膜を介して設けられている場合について説明したが、この場合に限定されず、可撓性フィルムの上面および下面の双方に導電体が接合膜を介して設けられていてもよい。
【実施例】
【０１７７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．可撓性回路基板の製造
（実施例１）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
【０１７８】
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図９に示すプラズマ重合装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、平均厚さ２００ｎｍのプラズマ重合膜（接合膜）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・原料ガスの組成 ：オクタメチルトリシロキサン
・原料ガスの流量 ：５０ｓｃｃｍ
・キャリアガスの組成：アルゴン
・キャリアガスの流量：１００ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力 ：１００Ｗ
・チャンバー内圧力 ：１Ｐａ（低真空）
・処理時間 ：１５分
・基板温度 ：２０℃
このようにして成膜されたプラズマ重合膜は、オクタメチルトリシロキサン（原料ガス）の重合物で構成されており、シロキサン結合を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、アルキル基（脱離基）とを含むものである。
【０１７９】
＜３＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８０】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例１の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８１】
（実施例２）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１０に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、ＩＴＯに水素原子が導入された接合膜（平均厚さ１００ｎｍ）を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分
このようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯに水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
【０１８２】
＜３＞次に、得られた接合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８３】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例２の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８４】
（実施例３）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１０に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、イオンビームスパッタリング法を用いて、金属酸化物膜として、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜イオンビームスパッタリングの成膜条件＞
・ターゲット ：ＩＴＯ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・チャンバー内の温度 ：２０℃
・イオンビームの加速電圧 ：６００Ｖ
イオン発生室側のグリッドへの印加電圧 ：＋４００Ｖ
チャンバー側のグリッドへの印加電圧 ：−２００Ｖ
・イオンビーム電流 ：２００ｍＡ
・イオン発生室に供給するガス種 ：Ｋｒガス
・処理時間 ：２０分
【０１８５】
＜３＞次に、得られた金属酸化物膜に、以下に示す条件で熱処理を施して、金属酸化物膜（ＩＴＯ膜）の表面付近に水素原子を導入することにより接合膜を形成した。なお、熱処理の条件は以下に示す通りである。
＜熱処理の条件＞
・熱処理時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・水素ガスの流量 ：６０ｓｃｃｍ
・チャンバー内の温度 ：１５０℃
・処理時間 ：６０分
以上のようにして成膜された接合膜は、ＩＴＯ膜の表面付近に水素原子が導入されたもので構成されており、金属原子（インジウムおよびスズ）と、この金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基（水素原子）とを含むものである。
【０１８６】
＜４＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１８７】
＜５＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜４＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例３の可撓性回路基板を得た。
＜６＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
【０１８８】
（実施例４）
＜１＞まず、２枚のポリイミドフィルム（縦５ｃｍ×横１０ｃｍ×平均厚さ３０μｍ）を用意した。
＜２＞次に、２枚のポリイミドフィルムを、図１２に示す成膜装置のチャンバー内に収納し、それぞれに、原材料を２，４−ペンタジオネート−銅（II）とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気 ：窒素ガス ＋ 水素ガス
・有機金属材料（原材料） ：２，４−ペンタジオネート−銅（II）
・霧化した有機金属材料の流量 ：１ｓｃｃｍ
・キャリアガス ：窒素ガス
・キャリアガスの流量 ：５００ｓｃｃｍ
・水素ガスの流量 ：０．２ｓｃｃｍ
・チャンバーの到達真空度 ：２×１０−６Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度 ：２７５℃
・処理時間 ：１０分
以上のようにして成膜された接合膜は、金属原子として銅原子を含み、脱離基として、２，４−ペンタジオネート−銅（II）に含まれる有機物の一部が残存しているものである。
【０１８９】
＜３＞次に、得られたプラズマ重合膜に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分
【０１９０】
＜４＞次に、３枚の銅板（縦３ｍｍ×横７ｃｍ×平均厚さ４０μｍ）を用意し、前記工程＜３＞で紫外線を照射してから１分後に、この３枚の銅板を２枚のポリイミドフィルム同士の間に介在させた状態で、ポリイミドフィルムが備える接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、ポリイミドフィルム同士を重ね合わせた。これにより、実施例４の可撓性回路基板を得た。
＜５＞次に、得られた可撓性回路基板を１０ＭＰａで加圧しつつ、１２０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
（比較例）
前記接合膜に代えて、２つのポリイミドフィルム同士をエポキシ系接着剤で接合した以外は、前記実施例１と同様にして、可撓性回路基板を得た。
【０１９１】
２．可撓性回路基板の評価
各実施例および比較例で得られた可撓性回路基板について、それぞれ、ＭＩＴ形試験機による耐折強さ試験方法（ＪＩＳ Ｐ８１１５に準拠）に基づいて、下記の条件で１５分間、屈曲を繰返し行った。
＜屈曲条件＞
・折り曲げ半径 ：０．３８ｍｍ
・荷重 ：５００ｇ
・折り曲げ速度 ：１７５回／分
・折り曲げ角度 ：１３５°
以上のような条件で、屈曲を繰返し行った可撓性回路基板について、ポリイミドフィルムと銅板の間の剥離を確認したところ、比較例の可撓性回路基板では剥離が認められたものの、各実施例の可撓性回路基板では、いずれも剥離が認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１９２】
【図１】本発明の可撓性回路基板の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】第１の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】第１の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】第２の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図６】第２の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図７】第３の構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図８】第３の構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図９】第１の構成の接合膜を成膜する際に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１０】第２の構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１２】第３の構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】本発明の可撓性回路基板の第２実施形態を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す可撓性回路基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したハードディスクドライブの構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１７】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１９３】
１……可撓性回路基板 ２……可撓性フィルム ３、５……接合膜 ３５……表面 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 ４……導電体 ４１……配線 ４２……第１の電極 ６……他の可撓性フィルム ６１……開口部 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２００……成膜装置 ２１１……チャンバー ２１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３０……排気手段 ２３１……排気ライン ２３２……ポンプ ２３３……バルブ ２５０……開口 ２５３……グリッド ２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６０……ガス供給手段 ２６１……ガス供給ライン ２６２……ポンプ ２６３……バルブ ２６４……ガスボンベ ５００……成膜装置 ５１１……チャンバー ５１２……基板ホルダー ５２１……シャッター ５３０……排気手段 ５３１……排気ライン ５３２……ポンプ ５３３……バルブ ５６０……有機金属材料供給手段 ５６１……ガス供給ライン ５６２……貯留槽 ５６３……バルブ ５６４……ポンプ ５６５……ガスボンベ ５７０……ガス供給手段 ５７１……ガス供給ライン ５７３……バルブ ５７４……ポンプ ５７５……ガスボンベ １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４、１２０３‥‥本体部 １１０５、１２０５‥‥ヒンジ構造部 １１０６、１２０７‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥送話口 １２０６‥‥受話口 １３００‥‥ハードディスクドライブ １３０１‥‥ケーシング １３０２‥‥スイングアーム １３０３‥‥駆動装置 １３０４‥‥モータ １３０５‥‥磁気ディスク １３０６‥‥磁気ヘッド １３０７、１３０８‥‥接続端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の可撓性回路基板。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の可撓性回路基板。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載の可撓性回路基板。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載の可撓性回路基板。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載の可撓性回路基板。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１２】
前記可撓性フィルムは、樹脂系材料を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１３】
前記導電体は、金属系材料を主材料として構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１４】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１３のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１５】
前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項１４に記載の可撓性回路基板。
【請求項１６】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１４または１５に記載の可撓性回路基板。
【請求項１７】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１４ないし１６のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１８】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項１９】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項２０】
前記導電体の前記可撓性フィルムと反対側に、前記可撓性フィルムと異なる他の可撓性フィルムを有し、
当該他の可撓性フィルムが前記導電体に接合されている請求項１ないし１９のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項２１】
前記他の可撓性フィルムが、前記接合膜と同様の接合膜を介して、前記導電体に接合されている請求項２０に記載の可撓性回路基板。
【請求項２２】
請求項１ないし２１のいずれかに記載の可撓性回路基板を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の可撓性回路基板。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の可撓性回路基板。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載の可撓性回路基板。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載の可撓性回路基板。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載の可撓性回路基板。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１１】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１２】
前記可撓性フィルムは、樹脂系材料を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１３】
前記導電体は、金属系材料を主材料として構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１４】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１３のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１５】
前記エネルギー線は、波長１５０〜３００ｎｍの紫外線である請求項１４に記載の可撓性回路基板。
【請求項１６】
前記加熱の温度は、２５〜１００℃である請求項１４または１５に記載の可撓性回路基板。
【請求項１７】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項１４ないし１６のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項１８】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
当該接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項１９】
可撓性を有する可撓性フィルムと、
該可撓性フィルムの一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体とを有し、
前記可撓性フィルムに、前記導電体が接合膜を介して接合されており、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記可撓性フィルムと前記導電体とを接合していることを特徴とする可撓性回路基板。
【請求項２０】
前記導電体の前記可撓性フィルムと反対側に、前記可撓性フィルムと異なる他の可撓性フィルムを有し、
当該他の可撓性フィルムが前記導電体に接合されている請求項１ないし１９のいずれかに記載の可撓性回路基板。
【請求項２１】
前記他の可撓性フィルムが、前記接合膜と同様の接合膜を介して、前記導電体に接合されている請求項２０に記載の可撓性回路基板。
【請求項２２】
請求項１ないし２１のいずれかに記載の可撓性回路基板を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−９９８１２（Ｐ２００９−９９８１２Ａ）
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７０７１２（Ｐ２００７−２７０７１２）
【出願日】平成１９年１０月１７日（２００７．１０．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月１７日（２００７．１０．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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