【課題】熱カチオン重合開始剤を含有する熱カチオン重合性組成物を利用した絶縁性接着フィルムや異方性導電接着フィルムを用いて、ガラス基板や回路基板に電子部品を接続する際に、接着界面での浮きの発生が抑制され、接着強度の著しい低下がなく、しかも異方性導電接着フィルムで異方性導電接続した際の対向する接続端子間における導電粒子捕捉効率を低下させないようにする。
【解決手段】熱カチオン重合性組成物は、特定のホウ酸エステル又はビス（アルカンジオラート）ジボロンから選択される有機ホウ素化合物を含有する。この熱カチオン重合性組成物に導電粒子を分散させてフィルム化すれば、異方性導電接着フィルムとなる。 （もっと読む）

【課題】厚みが大きく且つ略均等であり、しかも、表面粗さが小さい皮膜を、プラズマ成膜によって得る。
【解決手段】プラズマ発生装置１６と、基材１０の成膜部位との間に、整流用治具１２を配置する。この整流用治具１２に形成された成膜用通路２２に、プラズマ発生装置１６からプラズマ励起種を供給する。その一方で、液体供給装置１８から液相原材料Ｌを基材１０に供給し、付着させる。この液相原材料Ｌは、成膜用通路２２に到達したプラズマ励起種によってブローされることで展延し、厚みが低減した液膜となる。また、液膜は、プラズマ励起種によって活性化され、重合・固化して皮膜に変化する。 （もっと読む）

低誘電率層を基板上に堆積するための方法が提供される。一実施形態では、本方法は、１種または複数のオルガノシリコン化合物をチャンバに導入するステップであって、１種または複数のオルガノシリコン化合物がシリコン原子およびこのシリコン原子に結合されたポロゲン成分を含むステップと、１種または複数のオルガノシリコン化合物を、ＲＦ電力の存在下で反応させることにより、低誘電率層をチャンバ内の基板上に堆積させるステップと、低誘電率層からポロゲン成分が実質的に除去されるようにこの低誘電率層を後処理するステップとを含む。任意選択で、不活性キャリアガス、酸化ガス、またはその両方を、１種または複数のオルガノシリコン化合物と共に処理チャンバ内に導入してもよい。後処理プロセスは、堆積した材料の紫外線硬化とすることができる。ＵＶ硬化プロセスは、熱または電子ビーム硬化プロセスと同時にまたは連続して使用してもよい。低誘電率層は、良好な機械的性質および望ましい誘電率を有する。
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【課題】簡単な構造であるにもかかわらず、過酷な環境下での液密性および気密性を十分に保持し得る時計、およびかかる時計を効率よく低コストで製造可能な時計の製造方法を提供すること。
【解決手段】腕時計１は、密閉構造を有する外装部２と、外装部２の内部に収納され、図示しない時計用針を有するムーブメント３とを備えている。このうち、外装部２は、ガラス板２１とベゼル２２と胴部２３と裏蓋２５とを有しており、各部品の接続部は、オルガノシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜で構成された接合膜１１、１２、１３で接続されている。これにより、密閉構造の気密性が向上するとともに、接続部のパッキンが不要になるため、腕時計１の設計自由度が高くなる。また、ガラス板２１の下面にも上記プラズマ重合膜で構成された被膜１４が設けられている。被膜１４は吸湿性を有しているので、ガラス板２１の防曇効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、金型転写性、成形加工性に優れた成形材料を提供すること。
【解決手段】 本発明は、熱硬化性液状樹脂組成物から得られる、ＤＳＣにおける発熱量から求められる未反応率が３０％〜７０％である成形材料である。本発明の成形材料は、単一成形体であることが好ましい。また本発明は、上記成形材料から得られる、ＤＳＣにおける発熱量から求められる未反応率が２０％以下である最終成形品である。 （もっと読む）

【課題】基板材料に光活性層状高分子被覆膜を適用する方法を提供する。
【解決手段】基板材料に、少なくとも１つがカチオン活性中心を形成し得る光開始剤を含有する少なくとも２つの分離モノマー層を適用し、光開始剤を含有する少なくとも１つの層を、カチオン活性中心を形成する望ましい波長にて紫外線源で感光し、その際に硬化した層状材料を形成する重合反応で少なくとも２つの別個のモノマー層が反応し、両層が重合反応により硬化するように感光されたモノマー層のカチオン活性中心が未感光層に移動して、１つ以上の層が光開始剤を含有しないか又は開始光で感光されないでもカチオン活性中心の移動により硬化する方法。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

特にｐ−アラミド繊維などのポリマー繊維を製造する紡糸液を調整するためにモノマー、プレポリマー、ポリマー又はそれらの混合物を処理する方法であって、モノマー、プレポリマー、ポリマー又はそれらの混合物は搬送装置４により強制的に反応器７に導入され、反応器７おいて少なくとも一部のモノマー、プレポリマー、ポリマー、添加剤は溶剤と混合、調整、溶解、均質化され且つ／又は脱気後に取り出される。
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【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】第III族ないし第Ｖ族典型元素のハロゲン化オリゴマーおよび／またはハロゲン化ポリマーを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１種の分子鎖フォーマーおよび第２種の分子鎖フォーマー（これら２種の分子鎖フォーマーのうち少なくとも１種は、第III族ないし第Ｖ族典型元素のハロゲン化物である）から、プラズマ化学反応を利用して、ハロゲン化オリゴマーおよび／またはハロゲン化ポリマーを合成する。 （もっと読む）

本発明は、カルベン誘導体を用いて触媒される環状化合物の制御可能な開環重合の方法であって、前記カルベン誘導体は式（Ｉ）に示されるカルベン二酸化炭素化合物である。その式中、点線は任意に選択される二重結合を表す。X¹はS又はNから選択される。X²はC又はNから選択される。R¹、R²は、水素、1〜10個の炭原子を有するアルキル基、1〜10個の炭原子を有し、且つハロゲン原子、ヒドロキシル基、フェニル基及びシアン基中の一種又は多種に置換されたアルキル基、3〜6個の炭原子を有するシクロアルキル、ハロゲン原子、アダマンタン、フェニル基、及び置換フェニル基中の同一であるか又は異なる基から選択される。R³、R⁴は水素、ハロゲン原子、シアン基、ヒドロキシル基、置換フェニル基、1〜4個炭原子を有するアルキル基、及び1〜4個炭原子を有し、且つハロゲン原子、ヒドロキシル基、フェニル基及びシアン基中の一種又は多種に置換されたアルキル基中の同一であるか又は異なる基から選択される。又は、R³とR⁴とは3〜8個炭原子を含有するシクロアルキル又はシクロアルケニルを形成する。又は、R³とR⁴とはベンゼン環を形成する。又は、R²とR³とは無置換の五員又は六員N-複素環を形成する。
【化１】

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本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

本開示は、ポリオキソメタレート（ＰＯＭ）又はヘテロポリ酸（ＨＰＡ）を含有又は含む燃料電池に有用である可能性がある、ポリマー電解質、ポリマー電解質膜（ＰＥＭ）及び膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）を提供する。いくつかの実施形態において、このポリオキソメタレート、それに対する対イオン、又はそれら両方が、Ｍｎ及び／又はＣｅを含む。いくつかの実施形態において、このポリマー電解質はフッ素化されている。いくつかの実施形態において、このポリマー電解質は、ポリオキソメタレート以外の第２の酸官能基を含む。別の態様において、本開示は、共有結合したポリオキソメタレートを含むモノマーを共重合させる工程を含む方法と、そのポリマーにポリオキソメタレートを共有結合させる工程を含む方法とを含んだ、ポリマー電解質の製造方法を提供する。
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【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、１−１−ジビニル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジアリル−１−シラシクロペンタン、１−１−ジエチニル−１−シラシクロブタン、１−１−ジビニル−１−シラシクロブタンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭化水素などの酸素を含まないキャリアガスを成膜時に同伴させてもよい。 （もっと読む）

【課題】優れた屈曲性を発揮しつつ、繰返しの屈曲にも耐え得る耐屈曲性に優れた可撓性回路基板、および、かかる可撓性回路基板を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】可撓性回路基板１は、可撓性を有する可撓性フィルム２と、この可撓性フィルム２の一方の面側に設けられた、所定の形状にパターニングされた導電体４とを有し、可撓性フィルム２に、導電体４が接合膜３を介して接合されており、この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含み、エネルギーを付与したことにより、接合膜３の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３に発現した接着性によって、可撓性フィルム２と導電体４とを接合している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種々の基材表面にガス透過性、生物適合性、低摩擦または絶縁の性質を付与するように設計した脂肪族ヒドロシクロシロキサン膜を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、所望によりコモノマーと共重合された重合脂肪族ヒドロシクロシロキサンモノマーを含有するプラズマ重合膜およびこれら膜の製造方法を開示する。これら方法を用いて基材を被覆して、疎水性、血栓抵抗性、ガス透過性および生物適合性などの性質を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、ジイソプロピルジビニルシラン、ジアリルジビニルシランなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭素数２〜６の炭化水素などの水素を含まない同伴ガスを成膜時に同伴させてもよい。１−メチル−４−イソピル−１，３−シクロヘキサジエンなどのポロジエンを添加して成膜してもよく、プラズマ発生用高周波電力、成膜用ガスの流量あるいは成膜圧力を変化させて成膜してもよい。 （もっと読む）

本発明は、結合剤、その製造方法、ならびに配合物、表面被覆、ペイント、染料およびプラスチックにおけるその使用に関する。 （もっと読む）

分子層堆積法を用いて有機ポリマー又は有機−無機複合ポリマーの超薄層を基板上に堆積する。この方法は、第１の官能基を有する気相反応物を用いる。この気相反応物は表面に単官能性でのみ反応して、ポリマー鎖に一つの単位を追加する。更に、追加の気相反応物は第１の官能基とは異なる第２の官能基を有するか、又はブロックされ、マスクされ若しくは保護された官能基、又はこのような官能基の前駆体を有する。
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少なくとも１個のケイ素原子上に、少なくとも１個の加水分解性アリールオキシ型官能基を含むシラン末端プレポリマー。シリル−アリールオキシ末端基を含むこれらのプレポリマーを接着剤シーラント組成物において使用すると、これらの反応性が増大する。これによって、ほとんどの場合毒性を生じかつ酸化触媒として作用する金属系触媒の使用を回避することが可能となるか、あるいはその量を従来の組成物において使用される標準的な量と比較して減少させることが可能となるが、さらに公知のシラン末端プレポリマーに基づく組成物よりも架橋時間の大幅な短縮が保証される。 （もっと読む）