【解決手段】ｐ−クレゾールを５０質量％以上含有するノボラック型フェノール樹脂に架橋剤を反応させて得られる変性ノボラック型フェノール樹脂。
【効果】本発明の変性ノボラック型フェノール樹脂の合成方法を行うことにより、既存のｐ−クレゾールを５０質量％以上含有するノボラック型フェノール樹脂の分子量を高分子量化し、フォトレジスト用フェノール樹脂として有用な耐熱性のある変性ノボラック型フェノール樹脂を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される置換又は非置換のナフトール基を有するトルクセン化合物を含有するものであることを特徴とするレジスト下層膜形成材料。


（一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、及びＲ^１２は、水素原子等であり、Ｒ^２、Ｒ^５、及びＲ^８は、酸不安定基等であり、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^９は、炭素数６〜２０のアリール基等である。） （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性と良好な感度を併せもつフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂と、これを用いたフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール類と、トリメチルフェノール類と、ホルムアルデヒドと、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、前記フェノール類は、メタクレゾールを含み、当該ノボラック型フェノール樹脂は、前記メタクレゾールを樹脂全体の７５〜９９重量％、前記トリメチルフェノール類を樹脂全体の１〜２５重量％配合しており、ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、１５０００〜４５０００であり、二核体成分の割合が４．０％以上であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。 （もっと読む）

【課題】熱履歴後の耐熱性変化が少なく、かつ、低熱膨張性を発現し、さらに良好な溶剤溶解性を実現するナフトール樹脂を提供する。
【解決手段】α−ナフトール化合物、β−ナフトール化合物、及びホルムアルデヒドの重縮合体であって、下記特定構造式（１）


で表される３量体（ｘ１）と、特定構造式で表される２量体（ｘ２）と、前者が１５〜３５％となる割合、後者が１〜２５％となる割合で含有する。 （もっと読む）

【課題】 高反射基板上でパターンを形成するための適度な吸収を有し、露光後のパターン形状と密着性と段差基板での埋め込み特性が良好で、また、イオンインプランテーションを行う際のイオンインプラント耐性を有するポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子化合物と、（Ｂ）置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】高い柔軟性を示し、且つ高耐熱性、高感度で、高い解像度が可能であると共に、さらに感光剤の溶解性及び塗布性が改良されたノボラック型フェノール樹脂及びその製造方法、並びにそれを用いた感光性組成物（特にフォトレジスト組成物）を提供する。
【解決手段】ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールの少なくとも１以上を含有する１価フェノール成分（ａ）と、炭素数が３以上の脂肪族ポリアルデヒド（ｂ１）と炭素数が２以上の脂肪族モノアルデヒド（ｂ２）とを含有するアルデヒド成分（ｂ）とを縮重合反応して得られるノボラック型フェノール樹脂であって、ノボラック型フェノール樹脂のモル比［ポリアルデヒド（ｂ１）に起因するセグメント／モノアルデヒド（ｂ２）に起因するセグメント］が、８０／２０〜１０／９０であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂である。 （もっと読む）

【課題】得られる硬化物が低誘電率および低誘電損失の特性を有する熱硬化性樹脂を提供する。
【解決手段】ジヒドロキシジフェニル類、ジアミン類、アルデヒド類を反応させて得られ、分子構造中に該ジヒドロキシジフェニル類由来のビフェニル骨格を３４質量％以上、５１質量％以下有することを特徴とする、ジヒドロベンゾオキサジン環構造を主鎖中に有する熱硬化性樹脂。また本発明では、前記ジヒドロキシジフェニル類がビフェノール、前記アルデヒド類がホルムアルデヒドであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】長時間の印刷においても紙剥けの低減が出来、光沢感のある高品質の印刷物を得ることが出来る、平版印刷インキ用樹脂およびそれを含有させた平版印刷インキの提供。
【解決手段】ロジン類（ａ）、ノボラック・レゾール型フェノール樹脂（ｂ）および再生処理した植物油（ｃ）を反応させてなるロジン変性フェノール樹脂（Ａ）を含有することを特徴とする平版印刷インキであり、好ましくは、ロジン変性フェノール樹脂（Ａ）が、重量固形分比で、ロジン類（ａ）５〜７５重量％、ノボラック・レゾール型フェノール樹脂（ｂ）１５〜８５重量％および再生処理した植物油（ｃ）５〜３０重量％を反応させてなることを特徴する平版印刷インキ。 （もっと読む）

【課題】硬化耐燃性樹脂の調製に有用な新規なホスフィン化化合物を提供する。
【解決手段】一官能性、二官能性、および多官能性フェノールの新規なホスフィン化化合物、その誘導体、ならびにその調製方法。新規なホスフィン化化合物の例を下記に示す。


（もっと読む）

【解決手段】(i)犠牲膜パターン上に無機材料膜を形成し、犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する工程を含むマイクロ構造体の製造方法において、(A)一部又は全部のフェノール性水酸基が1，2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドによりエステル化されたクレゾールノボラック樹脂を含むと共に、架橋剤を含み、かつ200〜300nmの波長領域に最大の吸収極大を持つ光酸発生剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物を用い、犠牲膜として塗布する工程、(B)基板を加熱する工程、(C)パターンレイアウトイメージに沿った照射を行う工程、(D)犠牲膜パターンを形成する工程、(E)上記犠牲膜パターン中のクレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程を含む。
【効果】高精度な欠陥損失のない平面形状及び85°以上90°未満側壁の形状を有し、かつ熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置、及び新規のフェノール樹脂を提供する。
【解決手段】半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、フェノール性水酸基数が異なる２種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂（Ａ）：１００質量部；及び光酸発生剤（Ｂ）：０．１〜５０質量部；を含有する、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高炭素密度、高耐熱性、高屈折率及び蛍光特性等の高い機能性を有するフェノール樹脂、これを含む硬化性組成物及び硬化物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物をフェノール成分とし、酸性触媒の存在下、アルデヒド類、ジメチロール化合物類、アルケン類、ケトン類からなる群より選択される少なくとも１種である架橋剤で重合して得られるフェノール樹脂。


（式（１）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立にヒドロキシアリール基を示す。） （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）

【課題】未反応のレゾルシンの残留量を少ないレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法を提供する。
【解決手段】レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、を含むレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法。レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、水を除去した後の混合物と塩基とを混合する工程と、を含む製造方法であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高感度で且つアルカリ溶解特性、硬化膜の膜特性に優れたフォトレジスト用アルコキシ化フェノール樹脂型架橋剤およびその製造法を提供する。
【解決手段】２種類の繰り返し単位（Ａ）および（Ｂ）を含んでなる、レゾールタイプの高分子構造を有するアルコキシ化フェノール樹脂型架橋剤。但し、式中の波線は、隣接する繰り返し単位との結合部位であることを示す。アルキルフェノール類とアルデヒドをレゾール化し、次いでアルコールによりアルコキシ化する。重量平均分子量は２０００〜２００００である。
（もっと読む）

【課題】成形性に優れ、強度、高温下及び高湿下における寸法安定性に優れたフェノール樹脂組成物とフェノール樹脂成形材料並びにフェノール樹脂成形品を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂とともに硬化剤、又は硬化剤と硬化助剤とを含有するフェノール樹脂組成物であって、フェノール樹脂がその全量１００質量％の内訳として、アルキルベンゼン変性ノボラック型フェノール樹脂３０〜６０質量％、ノボラック型フェノール樹脂１０〜３０質量％、ポリ酢酸ビニル変性ノボラック型フェノール樹脂１０〜５０質量％、レゾール型フェノール樹脂１０〜３０質量％の範囲内で選択されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】曲がり耐性に優れ、パターン転写性能が高く、かつエッチング耐性にも優れるレジスト下層膜を形成することができ、下層膜形成時のアウトガスの臭気を抑制できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒは、炭素数１〜３０の１価の有機基である。但し、この有機基は、隣接する硫黄原子側の末端に酸素原子を含まない。［Ａ］化合物が、芳香環及びヘテロ芳香環からなる群より選ばれる少なくとも１種の環を有し、上記式（１）で表される基の＊で示される結合手が、これらの環に直接又は酸素原子を介して結合していることが好ましい。
（もっと読む）

【課題】半導体やＬＣＤを製造する際のリソグラフィーに使用されるフォトレジスト用として、高耐熱、高感度、高残膜率、高解像度なフォトレジストの製造を可能にするノボラック型フェノール樹脂を提供すること。
【解決手段】ｍ−クレゾール及び／又はｐ−クレゾールを含有する１価フェノール成分（ａ）と、２価フェノール類び／又は３価フェノールを含有する多価フェノール成分（ｂ）と、アルデヒド成分（ｃ）とを反応して得られるノボラック型フェノール樹脂であって、１価フェノール成分（ａ）と多価フェノール成分（ｂ）の質量割合（ａ）／（ｂ）が９９／１〜５０／５０であり、アルデヒド成分（ｃ）が、ポリアルデヒド（ｃ１）及びホルムアルデヒド（ｃ２）を含有し、アルデヒド成分（ｃ）における、ポリアルデヒド（ｃ１）とホルムアルデヒド（ｃ２）とのモル比（ｃ１）／（ｃ２）が５／９５〜９５／５であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。 （もっと読む）